SE 400adv - новейший лазерный (сканирующий) эллипсометр производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) с возможностью проведения измерений пленок под различными углами разработан для высокоточного измерения толщины и оптических характеристик пленочных структур (коэффициент преломления, показатель поглащения) на различных типах поверхностей. Измерение нанопленок.
Длина волны - 632,8 нм
Диапазон измерения толщины пленк: 1 нм до 6000 нм.
Применение: Измерение толщины и коэффициента преломления единичных слоев или двухслойных пленок (с известными параметрами подслоя) в производстве или лаборатории.
Высокая стабильность и точность при измерении с источником света (HeNe лазер, 632,8 нм.), термостабилизированный компенсатор, управление поляризатором, детектор сверх низких шумов.
Высокая точность выравнивания образца (регулировка по высоте и углу наклона) с помощью автоколлиматического телескопа (АСТ).
Полностью интегрированная поддержка для многоугловых измерений с продвинутым программным обеспечением SENTECH.
Программное обеспечение SENTECH для проведения эллипсометрических измерений, включающее в себя библиотеку приложений
n, k массивного материала
толщина монослоев
толщина и индекс преломления монослоев
толщина и индекс преломления верхнего слоя двойного слоя
заданные эллипсометрические приложения
- 30 мкм микроспот (фокусировка пятна)
- Столик с ручной регулировкой x-y (перемещение - 150 мм) для картирования (mapping)
- Моторизованные столики с компьютерным управлением для обрацов диаметром до 200 мм и перемещением с высокой точностью для меппинга (картирования)
- Видеокамера для выравнивания образца взамен окуляра с выводом изображения и РС.
- Жидкостная ячейка
- Автофокусировка в комбинации с моторизованным столиком для выравнивания образцов
- Рефлектометр (Film Thickness Probe) FTPadv с диаметром пятна 80 мкм.
- ПО для иммитационного моделирования (SIMULATION Software)
- Установка для измерений пленок на кристаллическом кремнии (текстурированном)
Источник и длина волны | 632,8 нм HeNe лазер (< 1 мВт) |
Точность измерения ψ и ∆: | 0,002о , 0,002о |
Точность измерения толщины пленки: |
0,01 нм на 100 нм SiO2на Si |
Точность измерения индекса преломления: | 5х10-4 на 100 нм SiO2 наSi |
Диапазон измерений для прозрачных пленок: | до 6000 нм |
Диапазон измерений для слабоабсорбирующих слоев(полисиликон): | до 2000 нм. |
Время измерения | 10 мс – 1с (зависит от режима измерений) |
Диаметр светового пятна | около 1 мм |
Угол падения луча света | Ручной гониометр 40 – 90о, шаг установки 5о |
Выравнивание образца, фокусировка | Автоколлиматический телескоп (АСТ) |
CER SE 500adv - уникальный комбинированный лазерный (сканирующий) эллипсометр-рефлектометр производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) с возможностью проведения измерений пленок под различными углами разработан для высокоточного измерения толщины и оптических характеристик пленочных структур (коэффициент преломления, показатель поглащения) на различных типах поверхностей. Измерение нанопленок.
Длина волны эллипсометра - 632,8 нм
Диапазон длины волны рефлектометра - 450-920 нм.
Диапазон измерения толщины пленок с эллипсометром: 1 нм до 6000 нм.
Диапазон измерения толщины пленок с рефлектометром: 50 нм до 25000 нм.
CER SE 500adv - уникальный комбинированный лазерный (сканирующий) эллипсометр-рефлектометр производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) с возможностью проведения измерений пленок под различными углами разработан для высокоточного измерения толщины и оптических характеристик пленочных структур (коэффициент преломления, показатель поглащения) на различных типах поверхностей. Измерение нанопленок.
Длина волны эллипсометра - 632,8 нм
Диапазон длины волны рефлектометра - 450-920 нм.
Диапазон измерения толщины пленок с эллипсометром: 1 нм до 6000 нм.
Диапазон измерения толщины пленок с рефлектометром: 50 нм до 25000 нм.