+7 (495) 909-89-53

Атомно-слоевое осаждение - ALD

Установки атомно-слоевого осаждения SI ALD и SI ALD LL (Thermal ALD и PEALD)

Установки атомно-слоевого осаждения SI ALD и SI ALD LL для процессов атомно-слоевого осаждения (Thermal ALD и PEALD) производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) без/c вакуумным загрузочным шлюзом соотвественно. 

Атомно-слоевое осаждение (ALD) - процесс осаждения очень тонких пленок с высокой однородностью и 3D структур слой за слоем. Высокоточный контроль толщины и свойств получаемых пленок обеспечивается добавлением прекурсоров в вакуумную камеру отдельными циклами в процессе осаждения. Термическое атомно-слоевое осаждение (Thermal Atomic Layer Deposition) и плазменно-стимулированное атомно-слоевое осаждение (PEALD - Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition) продвинутый метод расширяющий возможность ALD применением радикалов частиц газа вместо воды в качестве окислителя в процессе осаждения.

Обработка пластин диаметром до 200 мм.
Температура процесса: до 500 oC
Источник плазмы PE (опция) 
Вакуумный загрузочный шлюз (для SI ALD LL)
Процесс: термический ALD (Thermal ALD) и плазменный ALD (PEALD)
Программное обеспечение SENTECH Software
ALD real time monitor
in-situ эллипсометр (лазерный или спектроскоический) 
Кластерная конфигурация
Интергация в перчаточный бокс

Установки атомно-слоевого осаждения SI ALD и SI ALD LL для процессов атомно-слоевого осаждения (Thermal ALD и PEALD) производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) без/c вакуумным загрузочным шлюзом соотвественно. 

Атомно-слоевое осаждение (ALD) - процесс осаждения очень тонких пленок с высокой однородностью и 3D структур слой за слоем. Высокоточный контроль толщины и свойств получаемых пленок обеспечивается добавлением прекурсоров в вакуумную камеру отдельными циклами в процессе осаждения. Термическое атомно-слоевое осаждение (Thermal Atomic Layer Deposition) и плазменно-стимулированное атомно-слоевое осаждение (PEALD - Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition) продвинутый метод расширяющий возможность ALD применением радикалов частиц газа вместо воды в качестве окислителя в процессе осаждения.

Обработка пластин диаметром до 200 мм.
Температура процесса: до 500 oC
Источник плазмы PE (опция) 
Вакуумный загрузочный шлюз (для SI ALD LL)
Процесс: термический ALD (Thermal ALD) и плазменный ALD (PEALD)
Программное обеспечение SENTECH Software
ALD real time monitor
in-situ эллипсометр (лазерный или спектроскоический) 
Кластерная конфигурация
Интергация в перчаточный бокс

Уже установлено в России и СНГ: 2 шт
Установки атомно-слоевого осаждения SILAYO для оптических применений

Установки SILAYO для процессов атомно-слоевого осаждения (ICP ALD) производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) c вакуумным загрузочным шлюзом для оптических применений.

Установка специально разработана для оптических применений. Осаждение пленок с экстримально высокой однородностью - <1% (200мм).

Атомно-слоевое осаждение (ALD) - процесс осаждения очень тонких пленок с высокой однородностью и 3D структур слой за слоем. Высокоточный контроль толщины и свойств получаемых пленок обеспечивается добавлением прекурсоров в вакуумную камеру отдельными циклами в процессе осаждения. Плазменно-стимулированное атомно-слоевое осаждение (PEALD - Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition) с источником ICP (PTSA) делают возможным осаждение слоев для оптических применений с однородность <1% на пластине 200 мм. 

Обработка пластин диаметром до 330 мм и высотой до 100 мм
Температура процесса: до 400 oC
Источник ICP (PTSA) - индуктивно-связанная плазма 
Вакуумный загрузочный шлюз
Процесс: Плазменный ALD (ICP ALD)
Программное обеспечение SENTECH Software
ALD real time monitor (in-situ) 
Stress control
Интергация в перчаточный бокс

Применение: оптические пленки: Al2O3, SiO2, TiO2, HfO2, TaO2, ZrO, Nb2O5 (фильтры, антиотражающие покрытия)

Установки SILAYO для процессов атомно-слоевого осаждения (ICP ALD) производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) c вакуумным загрузочным шлюзом для оптических применений.

Установка специально разработана для оптических применений. Осаждение пленок с экстримально высокой однородностью - <1% (200мм).

Атомно-слоевое осаждение (ALD) - процесс осаждения очень тонких пленок с высокой однородностью и 3D структур слой за слоем. Высокоточный контроль толщины и свойств получаемых пленок обеспечивается добавлением прекурсоров в вакуумную камеру отдельными циклами в процессе осаждения. Плазменно-стимулированное атомно-слоевое осаждение (PEALD - Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition) с источником ICP (PTSA) делают возможным осаждение слоев для оптических применений с однородность <1% на пластине 200 мм. 

Обработка пластин диаметром до 330 мм и высотой до 100 мм
Температура процесса: до 400 oC
Источник ICP (PTSA) - индуктивно-связанная плазма 
Вакуумный загрузочный шлюз
Процесс: Плазменный ALD (ICP ALD)
Программное обеспечение SENTECH Software
ALD real time monitor (in-situ) 
Stress control
Интергация в перчаточный бокс

Применение: оптические пленки: Al2O3, SiO2, TiO2, HfO2, TaO2, ZrO, Nb2O5 (фильтры, антиотражающие покрытия)

Атомно-слоевое осаждение (ALD) - технология, позволяющая покрыть подложку нестандартной формы, равномерно тонким и беспористым слоем. Используется в области нанотехнологий и систем MEMS. ALD технология улучшает функциональные возможности поверхности, и обеспечивают ее защиту.

Цикл атомно-слоевого осаждения состоит из четырех этапов:

1. Подача первого прекурсора                                                                     

2. Удаление непрореагировавших прекурсоров инертным газом

3. Подача второго прекурсора

4. Удаление остатков реагентов

Цикл повторяется до приобретения необходимой толщины пленки

В процессе ALD атомарные слои наносятся последовательно, что обеспечивает точный контроль толщины пленки и позволяет сформировать беспористое и очень однородное покрытие.

Преимущества пленки полученной атомно-слоевым осаждением:

  • Очень высокая однородность
  • Хорошая адгезия
  • Точность. Толщина пленки за один цикл увеличивается на атомарный слой
  • Не зависит от материала, плотности и формы подложки
  • За счет точного контроля толщины пленки обеспечивается увеличение объёма производства.

Применяется для формирования оксидных и нитридных слоев, нанокомпозитов и слоев металлов.

Для процессов атомно-слоевого осаждения используются установки производства SENTECH Instruments GmbH. Системы ALD позволяют реализовывать режим термического и плазмо-стимулированного осаждения, а также использует высокоскоростной эллипсометр от SENTECH для контроля осаждения в реальном времени (Real Time Monitor). SENTECH предлагает самые передовые и современные ультра быстрые in-situ эллипсометры для контроля роста осаждаемых слой за слоем пленок с использование как лазерного, так и спектроскопических эллипсометров.