Установка DLI-CVD и MOCVD модели MC-100 и MC-200 от ANNEALSYS (Франция)

Универсальная установка для процессов DLI-CVD, DLI-ALD и MOCVD модели MC-100 и MC-200 производства ANNEALSYS (Франция) для исследований и НИОКР на подложках диаметром до 4-ех дюймов и 8-ми дюймов соответственно. 
(DLI - Direct Liquid Injection)

Применение: 
- DLI-CVD, DLI-ALD, MOCVD
- Металлы и сплавы, оксиды, нитриды,
- Углеродные нанатрубки и нанопровода…
- Полупроводники: SiO2, HfO2, Ta2O5, Cu, TiN, TaN, ...
- Диэлектрики с высоким k: SrTiO3, BaTiO3, Ba(1-x)SrxTiO3 (BST)
- Ферроэлектрики: SBT, SBTN, PLZT, PZT,…
- Сверхпроводники: YBCO, Bi-2223, Bi-2212, Tl-1223, …
- Пьезоэлектрики: (Pb, Sr)(Zr,Ti)O3, Модифицированный титанат свинца с колоссальным магнитным сопротивлением
- Металлы: Pt, Cu,...
- Термические покрытия
- Буфферные слои
- Механические покрытия
- Оптика

Особенности

• Ручная загрузка

• Установки MC-100 и MC-200 - установки с холодными стенками для проведения DLI-CVD, MOCVD процессов специально разработаны для удовлетворения требований заказчиков занимающихся разработками и исследованиями

• MC-100 позволяют проводить процесс гетороэпитаксии оксидов на пластине монокристаллического кремния (такие как YBCO/LAO, STO/MgO, MxOy/LAO,…) с помощью MOCVD с использованием большого числа твердых, жидких металлоорганических прекурсоров с использованием технологии прямого впрыска жидкости (Direct Liquid Injection.)

• Системы MC-100 и MC-200 модет быть снабжена разными аппаратами (системами) впрыска и вакуумным оборудованием в зависимости от применения.

• CVD процессс с пульсирующим давлением

• Высокая скорость нагрева до 200°C/сек для пластины в 4 дюймов
• Компактная напольная конфигурация для экономии места
• Высокая надежность и низкая стоимость владения
• Высокая воспроизводимость процесса
• Высокая скорость охлаждения и низкий эффект памяти
• Вакуумная версия (10-3 Торр) 
• Пирометр и термопара для контроля температуры
• Быстрый цифровой контроллер температуры PID
• До 8-ми газовых линий и до 4-х инжекторов подачи прекурсоров