+7 (495) 909-89-53

Лазерная декапсуляция PL101i и PL121i от NSC (Япония)

Установки лазерной декапсуляции моделей  PL101i и PL121i фирмы NSC (Nippon Scientific CO., Ltd.), Япония реализуют процесс удаления слоя материала лазером в пластиковых или керамических (металло-керамических) корпусах или же вырезание металлической крышки металло-керамического корпуса.

Лазерные установки декапсуляции PL101i и PL121i от NSC способны вскрывать медные провода интегральных микросхем, а также выполнять декапсуляцию на ультра маленьких корпусах. Установка может быть усовершенствована до "i" типа.

Лазерная декапсуляция применяется для:

1. Как подготовка для последующей химической или плазменной декапсуляции
В наши дни, смолы для корпусов меняются и усовершенствуются для того чтобы быть не растворимыми в кислоте в то время как соединительные провода и подложки корпусов меняются в сторону более легкого растворения в кислотах. В процессе декапсуляции цель избежать длительного воздействия сильной кислоты дабы не причинять урона окружвющей среде и не наносить повреждения соединительным проводам. Поэтому производится обработка лазером и оставляется слой смолы около 100 мкм. Этот метод позволяет уменьшить время воздействия кислоты и ее объем при вскрытии корпуса интегральной микросхемы, что значительно уменьшит повреждения или сведет их на нет. 
Метод эффективен при вскрытии корпусов с медными (Cu) и серебрянными (Ag) проводами и для смолы практически не растворимой в кислоте.

2. Декаплуляция площадок корпуса (secondaery bond decapsulation)
Подложки корпусов как BGA обычно защищен паяльным резистом. Этой резист может быть легко поврежден кислотой при вскрытии. Лазерная декапсуляция идеальна для вкрытия такого резиста.  



3. Преварительная декапсуляция для анализа обратной стороны корпуса.
Требуется воздействие на заднюю поверхность чипа когда необходимо провести анализ на отказ с использованием эмиссии на заднюю поверхность или IR-OBIRCH. Лазерная декапсуляция может за короткое время удалить задний участок для таких анализов.

4. Быборочное вскрытие микросхемы
Сочетание высокой и низкой мощности процесса и резки поперечного сечения может быть адаптировано для широкого круга процессов. Мощность лазера 10 Вт (PL101_10i, PL121i) может разрезать интергральную схему даже если корпус покрыт керамикой, металлом. Также можно резать BGA корпуса. за короткое время.

Запросить брошюру в PDF

Характеристики

Установка лазерной декапсуляции PL101i PL101_10i PL121i
Размеры, мм ШхГхВ (440х580х600)  ШхГхВ (624х725х660) 
Лазер Nd: YAG, 1064 нм, 4,5 Вт. Nd: YAG, 1064 нм, 10 Вт.
Площать обработки 50 х 50 мм
Столик Ось Z - автоматическое перемещение, перемещене до 20 мм.
Размер столика, мм 100 х 100 мм 397 х 170 мм
Камера  CMOS, 5M, цветная 
Поле зрения 45х 30 мм
Функционал Импорт изображения, измерение размера вскрытия, автоматическое юстировака фокального расстояния, вентиляция 
Опции Ионизатор, Столик с регулировкой наклона, линза 35 мм.


Запросить предложение можно по 
ссылке или направив нам письмо по адресу info@minateh.ru

Новости

Все новости

Международная выставка испытательного и контрольно-измерительного оборудования Testing & Control

Подробнее

МИНАТЕХ начинает сотрудничество с немецким специалистом по метрологии SURAGUS

Подробнее

Новая установка безмасковой лазерной литографии DWL 66+

Подробнее

МИНАТЕХ начинает сотрудничество с немецкой компанией Accurion GmbH

Подробнее

Процесс совмещения на установках MLA от HIMT

Подробнее

Новый компактный 3D профилометр-конфокальный микроскоп S lynx от SENSOFAR

Подробнее

SENTECH анонсировал новую серию спектроскопических эллипсометров SENresearch 4.0.

Подробнее