+7 (495) 909-89-53

Установки декапсуляции методом сухого травления ES301, ES312, ES373 и ES401 от NSC (Япония)

Установки декапсуляции методом сухого травления ES301, ES312, ES373 и ES401 NSC (Nippon Scientific CO., Ltd.), Япония  реализуют процесс удаления слоя материала реактивным ионным травлением в пластиковых корпусах и других материалах.

Установки декапсуляции методом сухого травления ES301, ES312, ES373 и ES401 от NSC способны вытравливать слой материала для обеспечения доступа к кристаллам микросхем, а также выполнять травление корпусов.

Характеристики установок

ES301

  • Система контроля температуры травления, метод крепления образца, позволяющий добиваться постоянной скорости травления
  • Отличная повторяемость при стабильной скорости травления
  • Возможно проведение специфических процессов изотропного и анизотропного травления
  • Автоматическое согласование

ES312

  • Возможность обработки до 3-х образцов одновременно
  • Автоматическая система контроля и управления от начала до конца процесса
  • Высокая повторяемость процесса

ES373

  • Высокое аспектное соотношение при травлении многослойных образцов
  • Функция запоминания параметров процесса
  • Функция памяти для рецептов и пошаговое программирование
  • Сохранение условий травления
  • Легкость обслуживания
  • Запись истории процесса
  • Контроль температуры столика
  • VCR коннектор для процессных газов
  • Возможность комплектации сухим насосом

ES401

  • Травление образцов до 8-ми дюймов
  • Изотропное или анизотропное травление
  • Стабильная скорость травления и превосходная однородность

Интерфейс управления системами очень прост и удобен. 

Декапсуляция (лазерная и химическая) применяется для:

1. Как подготовка для последующей плазменной или лазерной декапсуляции
В наши дни, смолы для корпусов меняются и усовершенствуются для того чтобы быть не растворимыми в кислоте в то время как соединительные провода и подложки корпусов меняются в сторону более легкого растворения в кислотах. В процессе декапсуляции цель избежать длительного воздействия сильной кислоты дабы не причинять урона окружающей среде и не наносить повреждения соединительным проводам. Поэтому производится обработка лазером и оставляется слой смолы около 100 мкм. Этот метод позволяет уменьшить время воздействия кислоты и ее объем при вскрытии корпуса интегральной микросхемы, что значительно уменьшит повреждения или сведет их на нет. 
Метод лазерной декапсуляции эффективен при вскрытии корпусов с медными (Cu) и серебрянными (Ag) проводами и для смолы практически не растворимой в кислоте.

2. Декаплуляция площадок корпуса (secondaery bond decapsulation)
Подложки корпусов как BGA обычно защищен паяльным резистом. Этой резист может быть легко поврежден кислотой при вскрытии. Лазерная декапсуляция идеальна для вкрытия такого резиста.  



3. Предварительная декапсуляция для анализа обратной стороны корпуса.
Требуется воздействие на заднюю поверхность чипа когда необходимо провести анализ на отказ с использованием эмиссии на заднюю поверхность или IR-OBIRCH. Лазерная декапсуляция может за короткое время удалить задний участок для таких анализов.


Запросить брошюру в PDF

Запросить предложение можно по ссылке или направив нам письмо по адресу info@minateh.ru

Новости

Все новости

Международная выставка испытательного и контрольно-измерительного оборудования Testing & Control

Подробнее

МИНАТЕХ начинает сотрудничество с немецким специалистом по метрологии SURAGUS

Подробнее

Новая установка безмасковой лазерной литографии DWL 66+

Подробнее

МИНАТЕХ начинает сотрудничество с немецкой компанией Accurion GmbH

Подробнее

Процесс совмещения на установках MLA от HIMT

Подробнее

Новый компактный 3D профилометр-конфокальный микроскоп S lynx от SENSOFAR

Подробнее

SENTECH анонсировал новую серию спектроскопических эллипсометров SENresearch 4.0.

Подробнее