+7 (495) 909-89-53

Настольная установка безмаcковой лазерной литографии mPG 101

mpg 101_application 1mpg 101_application 3mpg 101_application 2

Настольная модель mPG 101 лазерной безмасковой литографии производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
Установка предназначена для решения задач, не требующих высокой производительности - лабораторные исследования, НИОКР, опытное производство и др.

Лазерный генератор изображения Heidelberg mPG 101 является компактным бюджетным решением для лабораторий и мелкосерийных производств. Несмотря на свою компактность, установка справляется со всеми теми же задачами, что выполняют более крупные модели генераторов. Установка может использоваться для производства фотошаблонов, а также для получения топологических структур на прочих пластинах с фоторезистом или фотоэмульсией при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики, формирование структур на фотоэмульсии (ВРП-6). 

Для обеспечения высокоточного перемещения лазерного луча генератор оборудован специальной оптической системой и системой позиционирования подложки.

Для обеспечения наилучшей разрешающей способности генератор оборудован системой автофокусировки с подстройкой пьезомодулем и системой модуляции луча с помощью акустооптического модулятора.

Для перемещения подложки в горизонтальной плоскости есть специальная система позиционирования. 

В базовой комплектации система оснащена диодным лазером, работающим на длине волны 405 нм, 120 мВт. В зависимости от технических требований заказчика установка может быть оснащена УФ диодным лазерным источником (375 нм, 70 мВт). 

Установку можно оснастить сменными пишущими линзами с минимальным размером элемента 5 микрон, 2,5 микрона и 0,9 микрон и 0,6 микрон (по выбору). Пишущие головки сменные и могут меняться оператором при смене процесса.

Опции: оптический автофокус, режим вектороного экспонирования, базовый режим экспонирования в градации серого (3D экспонирование).

Особенности

  • Сменные пишущие линзы (головы) на 0,6 мкм, 1,0 мкм, 2,5 мкм и 5,0 мкм.

  • Источники излучения: Диодный лазер — 405 нм, 120 мВт, 8000 часов, воздушное охлаждение (для тонких и стандартных резистов) или УФ-диодный лазер (по заказу) — 375 нм, 70 мВт, 7000 часов, воздушное охлаждение (для УФ-резистов).

  • Размер обрабатываемых подложек и пластин до 6 х 6 дюймов;

  • Размер поля экспонирования до 125 х 125 мм;
  • Толщина подложки до 6 мм;

  • Скорость экспонирования от 1 до 90 мм2/мин
  • Погрешность позиционирования подложки: 20 нм;
  • Работа с дизайнами форматов DXF, CIF, GDSII
  • Точная фокусировка луча до 100 нм;

  • Габаритные размеры: 610 х 740 х 500 мм, вес 100 кг;
Скачать брошюру в PDF

Характеристики

Режим работы I II III IV
Размер адресной сетки, нм 20 40  100 200
Минимальный размер элемента, мкм 0,6 1,0 2,5 5,0
Скорость экспонирования (рисования), мм2/мин 1 5 35 90
Однородность ширины линии (3σ), нм 150 200 400 800
Неровность края (3σ), нм 100 120 200 400
Точность совмещения (3σ), нм 200 200 400 800
Область письма (экспонирования), мм2 50 x 50 100 x 100 125 x 125 125 x 125

Запросить предложение можно по ссылке или направив нам письмо по адресу info@minateh.ru

Новости

Все новости

Международная выставка испытательного и контрольно-измерительного оборудования Testing & Control

Подробнее

МИНАТЕХ начинает сотрудничество с немецким специалистом по метрологии SURAGUS

Подробнее

Новая установка безмасковой лазерной литографии DWL 66+

Подробнее

МИНАТЕХ начинает сотрудничество с немецкой компанией Accurion GmbH

Подробнее

Процесс совмещения на установках MLA от HIMT

Подробнее

Новый компактный 3D профилометр-конфокальный микроскоп S lynx от SENSOFAR

Подробнее

SENTECH анонсировал новую серию спектроскопических эллипсометров SENresearch 4.0.

Подробнее