Новая обновленная установка безмасковой лазерной литографии (генератор изображения) модели DWL 66+ производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия) с лучшими характеристиками.
Установка безмасковой лазерной литографии (генератор изображения) модели DWL 66+ предназначена для задач НИОКР, мелкой серии, опытное производство. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.
Экспонирование по фоторезсту или фотоэмульсии.
Для обеспечения высокоточного перемещения подложки генератор оборудован специальной оптической системой и системой позиционирования подложки. Во время экспонирования положение координатного столика контролируется с помощью интерферометрической системы высокого разрешения. Оптическая ситема смонтрована на тяжелом гранитном основании.
Камера микроклимата, с помощью которой поддерживется стабильная температура в камере литографа для достижения наилучшх результатов, точности и стабильности параметров.
Для обеспечения наилучшей разрешающей способности генератор оборудован системой автофокусировки с подстройкой пьезомодулем и системой модуляции луча с помощью акусто-оптического модулятора.
В установке можно реализовывать процессы совмещения в ручном, полуавтоматическом и полностью автоматическом режиме.
В базовой комплектации система оснащена диодным лазером, работающим на длине волны 405 нм с мощностью до 300 мВт и базовой системой экспонирования в серой шкале (basic grey scale exposure mode) с до 128 уровней экспонирования. В зависимости от технических требований заказчика установка может быть оснащена различными лазерными системами: UV-диодный лазер (375 нм, 70 мВт).
Установку можно оснастить сменными пишущими линзами с минимальным размером элемента 0,3 мкм, 0,6 мкм, 0,8 мкм и 1 мкм, 2 мкм, 4 мкм соответствено (по выбору). Пишущие головки сменные и могут меняться оператором при смене процесса.
Опции:
Сменные пишущие линзы (головы) на 0,3 мкм, 0,6 мкм, 0,8 мкм, 1 мкм, 2 мкм, 4 мкм.
Источники излучения: Диодный лазер — 405 нм, 300 мВт, 5000 часов (типичное 20000 часов), воздушное охлаждение (для тонких и стандартных резистов g-line и h-line), УФ-диодный лазер (по заказу) — 375 нм, 70 мВт, 5000 часов (типичное 20000 часов), воздушное охлаждение (для стандартных и УФ-резистов таких как SU8, g-line, h-line и i-line)
Размер обрабатываемых подложек и пластин до 9 х 9 дюймов
Толщина подложки до 12 мм
Режим работы | HiRes | I | II | III | IV | V |
Размер адресной сетки, нм | 5 | 10 | 25 | 50 | 100 | 200 |
Минимальный размер элемента, мкм | 0,3 | 0,6 | 0,8 | 1,0 | 2,0 | 4,0 |
Minimum lines and spaces [half pitch, µm] |
0,5 | 0,8 | 1,0 | 1,5 | 3,0 | 5,0 |
Скорость экспонирования для диодного лазера (рисования), мм2/мин | 3 | 13 | 40 | 150 | 600 | 2000 |
Скорость экспонирования для UV диодного лазера (рисования), мм2/мин | 2 | 10 | 30 | 110 | - | - |
Неровность (шероховатость) края (3σ), нм | 50 | 50 | 70 | 80 | 110 | 160 |
Равномерность (3σ), нм | 60 | 70 | 80 | 130 | 180 | 250 |
Точность совмещения (3σ), нм | 100 | 100 | 150 | 250 | 400 | 800 |
Точность совмещения 2-ого слоя на 100x100мм² [3σ, nm] |
500 | 500 | 500 | 500 | 800 | 1000 |
Увеличенная точность совмещения (опция) на 100x100мм² [3σ, nm] |
350 | 350 | 350 | 350 | 500 | 800 |
Область письма (экспонирования), мм2 | 200 х 200 | |||||
Установка безмаскового совмещения и экспонирования модели MLA100 производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
MLA100 предназначена для решения задач, не требующих очень высокой производительности - лабораторные исследования, НИОКР, опытное производство и др. Высокая производительность, малая занимаемая площадь, низкая стоимость использования.
Экспонирование по фоторезсту или фотоэмульсии.
Минимальный топологически размер 1,0 мкм.
Размер шаблонов или пластин до 6 х 6 дюймов.
Область экспонирования до 125 х 125 мм. или до Ø100 мм
Точность совмещения (50x50 мм² [3sigma, нм]) - 1000 нм.
Время экспонирования области 100х100 мм² - 200 минут. (около 3 часов)
Скорость экспонирования 50 мм2/мин.
Растровое (бинарное) экспонирование и 3D экспонирование для режима полутоновой шкалы экспонирования (Basic Gray Scale Exposure Mode).
Установка безмаскового совмещения и экспонирования модели MLA100 производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
MLA100 предназначена для решения задач, не требующих очень высокой производительности - лабораторные исследования, НИОКР, опытное производство и др. Высокая производительность, малая занимаемая площадь, низкая стоимость использования.
Экспонирование по фоторезсту или фотоэмульсии.
Минимальный топологически размер 1,0 мкм.
Размер шаблонов или пластин до 6 х 6 дюймов.
Область экспонирования до 125 х 125 мм. или до Ø100 мм
Точность совмещения (50x50 мм² [3sigma, нм]) - 1000 нм.
Время экспонирования области 100х100 мм² - 200 минут. (около 3 часов)
Скорость экспонирования 50 мм2/мин.
Растровое (бинарное) экспонирование и 3D экспонирование для режима полутоновой шкалы экспонирования (Basic Gray Scale Exposure Mode).
Обновленные установки безмасковой лазерной литографии (генератор изображения) модели VPG+ 200 / VPG+ 400 производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
VPG+ - High Speed Pattern Generators. Установки для серийного производства.
Теперь установки VPG+ стали в почти 3 раза быстрее чем предудущая сери установок VPG.
Предназначены для задач производств крупных серий. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики.
Минимальый топологический размер 0,75 мкм.
Сменные пишущие головки на 0,75 мкм, 1,0 мкм, 2,0 мкм, 4,0 мкм.
Скорость письма от 970 до 13500 мм2/мин в зависимости от выбора пишущей линзы и модели.
Размер шаблонов или пластин до 9 х 9 дюймов и 17 х 17 дюймов (для VPG+ 200/VPG+ 400)
Область экспонирования до 200 х 200 мм2 и 400 х 400 мм2 (для VPG+ 200/VPG+ 400)
Растровое (бинарное) экспонирование, оптический автофокус в дополнение с пневматическому.
Обновленные установки безмасковой лазерной литографии (генератор изображения) модели VPG+ 200 / VPG+ 400 производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
VPG+ - High Speed Pattern Generators. Установки для серийного производства.
Теперь установки VPG+ стали в почти 3 раза быстрее чем предудущая сери установок VPG.
Предназначены для задач производств крупных серий. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики.
Минимальый топологический размер 0,75 мкм.
Сменные пишущие головки на 0,75 мкм, 1,0 мкм, 2,0 мкм, 4,0 мкм.
Скорость письма от 970 до 13500 мм2/мин в зависимости от выбора пишущей линзы и модели.
Размер шаблонов или пластин до 9 х 9 дюймов и 17 х 17 дюймов (для VPG+ 200/VPG+ 400)
Область экспонирования до 200 х 200 мм2 и 400 х 400 мм2 (для VPG+ 200/VPG+ 400)
Растровое (бинарное) экспонирование, оптический автофокус в дополнение с пневматическому.
Настольная модель mPG 101 лазерной безмасковой литографии производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
Установка предназначена для решения задач, не требующих высокой производительности - лабораторные исследования, НИОКР, опытное производство.
Экспонирование по фоторезсту или фотоэмульсии.
Минимальный топологический размер 0,6 мкм.
Сменные пишущие головки на 0,6 мкм, 1,0 мкм, 2,5 мкм, 5,0 мкм.
Скорость письма от 1 до 90 мм2/мин в зависимости от выбора пишущей линзы.
Размер шаблонов или пластин до 6 х 6 дюймов.
Область экспонирования до 125 х 125 мм.
Растровое (бинарное) экспонирование, векторное экспонирование (Vector Exposure Mode) и 3D экспонирование для режима полутоновой шкалы экспонирования (Basic Gray Scale ExposureMode).
Настольная модель mPG 101 лазерной безмасковой литографии производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
Установка предназначена для решения задач, не требующих высокой производительности - лабораторные исследования, НИОКР, опытное производство.
Экспонирование по фоторезсту или фотоэмульсии.
Минимальный топологический размер 0,6 мкм.
Сменные пишущие головки на 0,6 мкм, 1,0 мкм, 2,5 мкм, 5,0 мкм.
Скорость письма от 1 до 90 мм2/мин в зависимости от выбора пишущей линзы.
Размер шаблонов или пластин до 6 х 6 дюймов.
Область экспонирования до 125 х 125 мм.
Растровое (бинарное) экспонирование, векторное экспонирование (Vector Exposure Mode) и 3D экспонирование для режима полутоновой шкалы экспонирования (Basic Gray Scale ExposureMode).