+7 (495) 909-89-53

Новая обновленная установка безмасковой лазерной литографии DWL 66+

dwl66+_application 3dwl66+_application 2dwl66+_application 1

Новая обновленная установка безмасковой лазерной литографии (генератор изображения) модели DWL 66+ (2017 года) производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия) с лучшими характеристиками. 

Установка безмасковой лазерной литографии (генератор изображения) модели DWL 66+ предназначена для задач НИОКР, мелкой серии, опытное производство. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.
Экспонирование по фоторезсту или фотоэмульсии.

Для обеспечения высокоточного перемещения подложки генератор оборудован специальной оптической системой и системой позиционирования подложки. Во время экспонирования положение координатного столика контролируется с помощью интерферометрической системы высокого разрешения. Оптическая ситема смонтрована на тяжелом гранитном основании.

Камера микроклимата, с помощью которой поддерживется стабильная температура в камере литографа для достижения наилучшх результатов, точности и стабильности параметров. 

Для обеспечения наилучшей разрешающей способности генератор оборудован системой автофокусировки с подстройкой пьезомодулем и системой модуляции луча с помощью акусто-оптического модулятора.

В установке можно реализовывать процессы совмещения в ручном, полуавтоматическом и полностью автоматическом режиме.

В базовой комплектации система оснащена диодным лазером, работающим на длине волны 405 нм с мощностью до 300 мВт и базовой системой экспонирования в серой шкале (basic grey scale exposure mode) с до 128 уровней экспонирования. В зависимости от технических требований заказчика установка может быть оснащена различными лазерными системами: UV-диодный лазер (375 нм, 70 мВт).

Установку можно оснастить сменными пишущими линзами с минимальным размером элемента 0,3 мкм, 0,6 мкм, 0,8 мкм и 1 мкм, 2 мкм, 4 мкм соответствено (по выбору). Пишущие головки сменные и могут меняться оператором при смене процесса.

Опции:

  • оптический автофокус (дополнительно к пневматческой системе автофокусировки) 
  • режим вектороного экспонирования 
  • продвинутый или профессиональный режим 3D экспонирование для полутоновой шкалы экспонирования (Advanced and Professional Gray Scale Exposure Mode) 
  • обратное совмещение (BSA) 
  • режим экспонирования с высоким разрешением (размер элемента до 0,3 мкм) 
  • увеличение скорости письма (почти в 2 раза от стандартной спецификации) 
  • кассетная загрузка для пластин (до 8 дюймов) или шаблонов (до 7х7 дюймов) - cassette to cassette station (до 2-ух кассетных модулей)

Особенности

  • Сменные пишущие линзы (головы) на 0,3 мкм, 0,6 мкм, 0,8 мкм, 1 мкм, 2 мкм, 4 мкм.

  • Источники излучения: Диодный лазер — 405 нм, 300 мВт, 5000 часов (типичное 20000 часов), воздушное охлаждение (для тонких и стандартных резистов g-line и h-line),   УФ-диодный лазер (по заказу) — 375 нм, 70 мВт, 5000 часов (типичное 20000 часов), воздушное охлаждение (для стандартных и УФ-резистов  таких как SU8, g-line, h-line и i-line)

  • Размер обрабатываемых подложек и пластин до 9 х 9 дюймов

  • Размер поля экспонирования до 200 х 200 мм (минимум 5х5 мм)
  • Толщина подложки до 12 мм

  • Рамер адесной сетки от 7 нм
  • Скорость письма (экспонировния) от 3 до 2000 мм2/мин в зависимости от выбора пишущей линзы.
  • Погрешность позиционирования подложки: 10 нм;
  • Работа с дизайнами форматов DXF, CIF, GDSII, Gerber
  • Габаритные размеры: 1300 х 1100 х 1950 мм, вес: 1000 кг;
  • Размеры блока управления: 650 х 800 х 1950 мм, вес: 180 кг;
Скачать брошюру в PDF

Характеристики

Режим работы HiRes I II III IV V
Размер адресной сетки, нм 7 10 20 50 100 200
Минимальный размер элекмента, мкм 0,3 0,6 0,8 1,0 2,0 4,0

Minimum lines and spaces [half pitch, µm]

0,5 0,8 1,0 1,5 3,0 5,0
Скорость экспонирования для диодного лазера (рисования), мм2/мин 3 6 25 150 600 2000
Скорость экспонирования для UV диодного лазера (рисования), мм2/мин - 5 20 110 - -
Неровность (шероховатость) края (3σ), нм 50 50 70 80 110 160
Равномерность (3σ), нм 60 60 80 130 180 250
Точность совмещения (3σ), нм 100 100 150 250 400 800

Точность совмещения 2-ого слоя на 100x100мм² [3σ, nm]

500 500 500 500 800 1000
Область письма (экспонирования), мм2 200 х 200 


Запросить предложение можно по ссылке или направив нам письмо по адресу info@minateh.ru

Новости

Все новости

Система плазменной очистки ATTO с нашего склада в Москве

Подробнее

Международная выставка испытательного и контрольно-измерительного оборудования Testing & Control

Подробнее

МИНАТЕХ начинает сотрудничество с немецким специалистом по метрологии SURAGUS

Подробнее

Новая установка безмасковой лазерной литографии DWL 66+

Подробнее

МИНАТЕХ начинает сотрудничество с немецкой компанией Accurion GmbH

Подробнее

Процесс совмещения на установках MLA от HIMT

Подробнее

Новый компактный 3D профилометр-конфокальный микроскоп S lynx от SENSOFAR

Подробнее

SENTECH анонсировал новую серию спектроскопических эллипсометров SENresearch 4.0.

Подробнее