Обновленные установки безмасковой лазерной литографии (генератор изображения) модели VPG+ 200 / VPG+ 400 производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
VPG+ - High Speed Pattern Generators.
Теперь установки VPG+ стали в почти 3 раза быстрее чем предудущая сери установок VPG.
Высокопроизводительные лазерные устновки лазерной литографи (генераторы изображения) VPG+ 200 и VPG+ 400 предназначены для задач производств крупных серий для ормирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.
Для обеспечения высокоточного перемещения подложки генератор оборудован специальной оптической системой и системой позиционирования подложки. Во время экспонирования положение координатного столика контролируется с помощью интерферометрической системы высокого разрешения. Оптическая ситема смонтирована на тяжелом гранитном основании.
Камера микроклимата замкнутого цыкла, с помощью которой подверживется стабильная температура в камере литографа для достижения наилучшх результатов, точности и стабильности параметров.
Для обеспечения наилучшей разрешающей способности генератор оборудован системой автофокусировки с подстройкой пьезомодулем и системой модуляции луча с помощью акусто-оптического модулятора.
Система оснащена высокомощным импульсным UV диодным лазером (High power pulsed UV laser source), работающим на длине волны 355 нм.
Генератор может быть снабжён автоматической системой загрузки пластин (из кассеты в кассету), возможна загрузка пластин диаметром 200 мм или размером 178 х 178 мм и большего зармера по запросу.
Установку можно оснастить сменными пишущими линзами с минимальным размером элемента 0,75 мкм, 1,0 мкм и 2,0 мкм и 4,0 мкм соответствено (по выбору). Пишущие головки сменные и могут меняться оператором при смене процесса.
Опции: оптический автофокус (дополнительно к пневматческой системе автофокусировки), автоматическая загрузочная станция из кассеты, расширение гарантии.
Сменные пишущие линзы (головы) на 0,75 мкм, 1,0 мкм, 2,0 мкм, 4,0 мкм.
Источники излучения: высокомщный импульсный UV лазерый источник — 355 нм.
Размер обрабатываемых подложек и пластин до 9 х 9 и 17 х 17 дюймов
Толщина подложки до 6 мм
| Режим работы | I | II | III | IV |
| Размер адресной сетки, нм | 12,5 | 25 | 50 | 100 |
| Минимальный размер элемента, мкм | 0,75 | 1,0 | 2,0 | 4,0 |
| Скорость экспонирования с диодным лазером (рисования), мм2/мин | 970 | 3150 | 6400 | 13500 |
| Неровность края (3σ), нм | 40 | 50 | 70 | 150 |
| Равномерность линии (3σ), нм | 65 | 75 | 110 | 300 |
|
Точность совмещения (3σ), нм (Overlay accuracy (3σ), nm) |
225 | 350 | 500 | 700 |
|
Сшивка (3σ), нм |
60 | 70 | 100 | 250 |
Ультраточная установка безмасковой лазерной литографии (генератор изображения) модели ULTRA производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
Ультраточная установка безмасковой лазерной литографии (генератор изображения) модели ULTRA предназначена для производства фотошаблонов или прямого экспонирования на пластине с очень высокой точностью. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.
Экспонирование по фоторезсту.
Минимальый топологический размер до 0,5 мкм.
Шероховатость линии - 20 нм
Точность освмещения второго слоя - 100 нм.
Скорость письма до 580 мм2/мин в зависимости от режима
Размер шаблонов или пластин до 9 х 9 дюймов (опционально 17 х 17 дюймов)
Область экспонирования до 228 х 228 мм (опционально 400 х 400 мм)
Толщина подложки до 9 мм.
Автоматический загрузчик фотошаблонов
SECS / GEM protocol
Ультраточная установка безмасковой лазерной литографии (генератор изображения) модели ULTRA производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
Ультраточная установка безмасковой лазерной литографии (генератор изображения) модели ULTRA предназначена для производства фотошаблонов или прямого экспонирования на пластине с очень высокой точностью. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.
Экспонирование по фоторезсту.
Минимальый топологический размер до 0,5 мкм.
Шероховатость линии - 20 нм
Точность освмещения второго слоя - 100 нм.
Скорость письма до 580 мм2/мин в зависимости от режима
Размер шаблонов или пластин до 9 х 9 дюймов (опционально 17 х 17 дюймов)
Область экспонирования до 228 х 228 мм (опционально 400 х 400 мм)
Толщина подложки до 9 мм.
Автоматический загрузчик фотошаблонов
SECS / GEM protocol
Установка безмаскового совмещения и экспонирования модели MLA150 производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
Новое поколение систем прямого экспонирования - установка MLA150 объединяет в себе легкость использования и высокую точность совмещения и высокую производительность. Предназначена для решения задач, требующих высокой производительности в производстве, а также задачи исследования, НИОКР.
Экспонирование по фоторезсту или фотоэмульсии.
Минимальный топологический размер 0,6 мкм (WM I) или 1 мкм (WM II).
Размер шаблонов или пластин до 9 х 9 дюймов.
Область экспонирования до 150 х 150 мм. или до Ø150 мм (до 200 х 200 опционально)
Точность совмещения (100x100 мм² [3sigma, нм]) - 500 нм.
Время экспонирования области 100х100 мм² - 9 минут (мин. топология 1 мкм).
Обратное совмещение (BSA) - опция.
Серая шкала - опция
Оптический автофокус - опция
Режим с высоким аспектным отношением - опция
Автоматическое совмещения по реперам на каждом из чипов - опция
Возможность установки двух источников - 405 нм и 375 нм.
Установка безмаскового совмещения и экспонирования модели MLA150 производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
Новое поколение систем прямого экспонирования - установка MLA150 объединяет в себе легкость использования и высокую точность совмещения и высокую производительность. Предназначена для решения задач, требующих высокой производительности в производстве, а также задачи исследования, НИОКР.
Экспонирование по фоторезсту или фотоэмульсии.
Минимальный топологический размер 0,6 мкм (WM I) или 1 мкм (WM II).
Размер шаблонов или пластин до 9 х 9 дюймов.
Область экспонирования до 150 х 150 мм. или до Ø150 мм (до 200 х 200 опционально)
Точность совмещения (100x100 мм² [3sigma, нм]) - 500 нм.
Время экспонирования области 100х100 мм² - 9 минут (мин. топология 1 мкм).
Обратное совмещение (BSA) - опция.
Серая шкала - опция
Оптический автофокус - опция
Режим с высоким аспектным отношением - опция
Автоматическое совмещения по реперам на каждом из чипов - опция
Возможность установки двух источников - 405 нм и 375 нм.
Новая установка безмасковой лазерной литографии (генератор изображения) модели DWL 66+ производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
Установка безмасковой лазерной литографии (генератор изображения) модели DWL 66+ предназначена для задач НИОКР, мелкой серии, опытное производство. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.
Экспонирование по фоторезсту или фотоэмульсии.
Минимальый топологический размер 0,3 мкм. (300 нм)
Сменные пишущие головки на 0,3 мкм, 0,6 мкм, 0,8 мкм, 1 мкм, 2 мкм, 4 мкм.
Скорость письма от 3 до 2000 мм2/мин в зависимости от выбора пишущей линзы.
Размер шаблонов или пластин до 9 х 9 дюймов
Область экспонирования до 200 х 200 мм.
Толщина подложки до 12 мм.
Точность совмещения до 0,35 мкм
Растровое (бинарное) экспонирование, векторное экспонирование (Vector Exposure Mode) и 3D экспонирование для режима полутоновой шкалы экспонирования (Advanced and Professional Gray Scale Exposure Mode), обратное совмещение (BSA), оптический автофокус в дополнение с пневматическому, режим экспонирования с высоким разрешением (размер элемента до 0,3 мкм), кассетная загрузка для пластин (до 8 дюймов) или шаблонов (до 7х7 дюймов) - cassette to cassette station (до 2-ух кассетных модулей).
Новая установка безмасковой лазерной литографии (генератор изображения) модели DWL 66+ производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
Установка безмасковой лазерной литографии (генератор изображения) модели DWL 66+ предназначена для задач НИОКР, мелкой серии, опытное производство. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.
Экспонирование по фоторезсту или фотоэмульсии.
Минимальый топологический размер 0,3 мкм. (300 нм)
Сменные пишущие головки на 0,3 мкм, 0,6 мкм, 0,8 мкм, 1 мкм, 2 мкм, 4 мкм.
Скорость письма от 3 до 2000 мм2/мин в зависимости от выбора пишущей линзы.
Размер шаблонов или пластин до 9 х 9 дюймов
Область экспонирования до 200 х 200 мм.
Толщина подложки до 12 мм.
Точность совмещения до 0,35 мкм
Растровое (бинарное) экспонирование, векторное экспонирование (Vector Exposure Mode) и 3D экспонирование для режима полутоновой шкалы экспонирования (Advanced and Professional Gray Scale Exposure Mode), обратное совмещение (BSA), оптический автофокус в дополнение с пневматическому, режим экспонирования с высоким разрешением (размер элемента до 0,3 мкм), кассетная загрузка для пластин (до 8 дюймов) или шаблонов (до 7х7 дюймов) - cassette to cassette station (до 2-ух кассетных модулей).
ООО "Минатех"— Микро и нано технологии
Статьи
© Все права защищены
Россия, Москва, ул. Ткацкая, д.5с1.
тел./факс: +7 (495) 909-89-53 / +7 (495) 909-89-54
моб.тел.: +7 (926) 134-69-15
e-mail: info@minateh.ru
