+7 (495) 909-89-53

Установка осаждения диэлектриков SI 500 D (ICPECVD)

SI 500D ICPECVDtrough the wall installationsentech_clustertoolUniformity of ICPECVD SiNx deposition—film thickness 3 %, refractive index 0.5 %Raman spectra of ICPECVD Si-films deposited with ICP power of 150 W at different temperaturesRaman spectra of ICPECVD Si-films deposited at 100 °C with different ICP powerSiO2 stripe deposited over Si edge—high conformality of ICPECVDMIM structure with ICPECVD SiNx filmLow temperature SiNx—ICPECVD film for lift-off processICPECVD SiNx film on GaSb pixel—high conformality of the deposition processlaser interferometer

Установки плазменного высокоскоростного осаждения диэлектриков в индуктивно-связанной плазме SI 500 D производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) c вакуумным загрузочным шлюзом.

Система низкотемпаратурного плазмо-химического осаждения диэлектриков 
 ICPECVD SI 500 D PTSA ICP Plasma Deposition System производства SENTECH Instruments GmbH специально разработана для низкотемпературного нанесения диэлектрических пленок (SiO2, Si3N4, SiOx, SiNy, SiOxNy, a-Si ) на полупроводниковые и органические подложки. 

Отличительные особенности системы – плоский источник индуктивно связанной плазмыPTSA 200, электрод подложки с гелиевым охлаждением и динамической регулировкой температуры, а также высокоэффективная вакуумная система. Эти особенности позволяют получать слои диэлектриков высокого качества при низкой температуре (KTоС...+400оС), производить эффективную сухую очистку реакторной камеры. Все важные параметры оборудования контролируются автоматически.

Электрод подложки рассчитан на работу с 8” пластинами или держателями пластин (держатели используются для пластин размером меньше, чем 8”).

Вакуумная система, состоящая из турбомолекулярного и форвакуумного насоса, разработана в соответствии с требованиями ICP процессов. Газовая система, реакторная камера и вакуумная система позволяют использовать силан (SiH4) и аммиак (NH3). Автоматические дроссельные регуляторы поддерживают постоянное давление в реакторной камере, независимо от интенсивности газового потока.

Особенности

  • Обработка пластин диаметром до 200 
  • Низкотемпературное осаждение диэлектрика (от КТ до 400 oC)
  • Процесс: ICPECVD (SiO2, Si3N4, SiOx, SiNy, SiOxNy, a-Si )
  • Держатели для пластин меньшего размера
  • Компактный дизайн и малая занимаемая площадь
  • до 16 газовых линий
  • Программное обеспечение SENTECH control software  
  • OES и лазерная интрферометрия, in-situ эллипсометрия
  • Кластерная конфигурация
  • Загрузка из кассеты в кассету (С to C)
  • TEOS или HMDS (осаждения с жидкого прекурсора)
Запросить брошюру в PDF

Характеристики

Модель установки SI 500 D
Диаметр обрабатываемых пластин до 200 мм.
Реактор  AlMgSi 0.5 материал камеры
Инсточник индуктивно-связанной плазмы PTSA 200 (planar triple spiral antenna)
Частота: 13,56 МГц
Мошность: 100-1200 Вт
Электрод подложки Температурный контроль в диапазоне КТ - 400оС 
электрод с водяным охлаждением, диаметр электрода 240 мм
механический прижим пластины
(другой температурный диапазон при наличии чиллера)
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки

Вакуумная система  форвакуумный насос + турбина на магнитном подвесе
10-6 mbar
антикоррозионное исполнение
Газовые линии до 8 газовых линий с MFC и фильтрами и отсечными клапанами
RF генератор ВЧ генератор 13,56 МГц, 1200 Вт., воздушное охлаждение
автоматическое согласование
Вакуумный загрузочный шлюз (load-lock) сухая откачка 
Пирани вакууметр
Давление <10 Па
Контроль SENTECH control software
Опции

- Более производительная вакуумная система
- Дополнительный газовые линии
- Порты камеры реактора
- Нагреа стенок реактора
- Лазерный интерферометр для определния окончания процесса
- OES
- in-situ эллипсометр 
- кластерная конфигурация
- Загрузка из кассеты в кассету
- TEOS или HMDS (осаждение с жидкого прекурсора)
- Чиллер 
- Установка через стену


Запросить предложение можно по ссылке или направив нам письмо по адресу info@minateh.ru  

Новости

Все новости

МИНАТЕХ начинает сотрудничество с немецким специалистом по метрологии SURAGUS

Подробнее

Новая установка безмасковой лазерной литографии DWL 66+

Подробнее

МИНАТЕХ начинает сотрудничество с немецкой компанией Accurion GmbH

Подробнее

Процесс совмещения на установках MLA от HIMT

Подробнее

Новый компактный 3D профилометр-конфокальный микроскоп S lynx от SENSOFAR

Подробнее

SENTECH анонсировал новую серию спектроскопических эллипсометров SENresearch 4.0.

Подробнее