+7 (495) 909-89-53

Плазменное травление (RIE, RIE-ICP, DRIE)

Установки реактивно-ионного травления Etchlab 200 (RIE) и Etchlab 380 Multiwafer

Установки реактивно-ионного травления Etchlab 200 и Etchlab 380 multiwafer производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) без вакуумного загрузочного шлюза.

Обработка пластин диаметром до 200 мм и 380 мм соответственно.
Процесс: RIE
До 8 газовых линий
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия

Установка реактивно-ионного травления SI 591 Compact (RIE) и SI 591 (RIE)

Установки реактивно-ионного травления SI 591 Compact и SI 591 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) с вакуумным загрузочным шлюзом.

Обработка пластин диаметром до 200 мм или 7х7 дюймов.
Процесс: RIE
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация

Установка реактивно-ионного травления SI 500 RIE

Установки реактивно-ионного травления SI 500 RIE производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) с гелиевым охлаждением обратной стороны подложки и вакуумным загрузочным шлюзом.

Обработка пластин диаметром до 200 мм или 7х7 дюймов
Процесс: RIE
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки 
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация

Установка травления в индуктивно-связанной плазме SI 500

Установки травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия).

Обработка пластин диаметром до 200 мм или до 300 мм
Процессы: ICP-RIE, RIE
Источник индуктивно-связанной плазмы (ИСП)
Высокая плотность плазмы и скорость травления
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация

Установка криогенного травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 С

Установки криогенного травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 С производства SENTECH Instruments GmbH (Германия).

Обработка пластин диаметром до 200 мм
Процессы: Cryo ICP-RIE, ICP-RIE,  RIE
Источник индуктивно-связанной плазмы (ИСП)
Криогенный электрод (-150 oС...+400 oС)
Высокая плотность плазмы и скорость травления
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация

Новости

Все новости

Международная выставка испытательного и контрольно-измерительного оборудования Testing & Control

Подробнее

МИНАТЕХ начинает сотрудничество с немецким специалистом по метрологии SURAGUS

Подробнее

Новая установка безмасковой лазерной литографии DWL 66+

Подробнее

МИНАТЕХ начинает сотрудничество с немецкой компанией Accurion GmbH

Подробнее

Процесс совмещения на установках MLA от HIMT

Подробнее

Новый компактный 3D профилометр-конфокальный микроскоп S lynx от SENSOFAR

Подробнее

SENTECH анонсировал новую серию спектроскопических эллипсометров SENresearch 4.0.

Подробнее