Установка криогенного травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 С производства SENTECH Instruments GmbH (Германия).
Система криогенного травления SI 500 С PTSA ICP Cryo plasma etcher производстваSENTECH Instruments GmbH идеальный выбор для проведения высокоскоростного плазмо-химического травления кремния при создании MEMS структур и микрооптики.
Отличительными особенностями SI 500 С являются наличие источника индуктивно-связанной плазмы, крио-электрод (- 150°С до 400°С) подложки с охлаждением гелием и высокопроизводительная вакуумная система. Управление всеми важными параметрами оборудования осуществляется автоматически. Установка SI 500 была разработана для использования в пилотных производствах и НИОКР.
Отличительной особенностью системы SI 500 С является запатентованный источник индуктивно связанной плазмы ICP-PTSA 200 (плоская тройная спиральная антенна), специально подходящий для травления с низким повреждением структуры, электрод подложки с гелиевым охлаждением и динамическим контролем температуры для поддержания постоянной температуры независимо от мощности плазмы, вакуумная система позволяет обеспечивать высокую производительность требуемую для процессов травления и магнито-пневматический загрузочный шлюз для высочайшей надежности при загрузке/ выгрузке пластин. Все важнейшие параметры системы контролируются автоматически.
Система позволяет обрабатывать как пластины диаметром до 200 мм, так и кусочки. Мощная двухступенчатая вакуумная система позволяет быстро откачивать камеру реактора и получать достаточно глубокий вакуум для проведения процессов травления.
Высокая скорость травления
Высокое аспектное отношение
| Модель установки | SI 500 C |
| Диаметр обрабатываемых пластин | до 200 мм (8 дюймов) |
| Источник индуктивно-связанной плазмы (ICP) | PTSA 200 (planar triple spiral antenna) Частота: 13,56 МГц Мошность: 100-1200 Вт или 100-2500 Вт |
| Вакуумный загрузочный шлюз (load-lock) | наличие, оборудован сухим фор насосом |
| Реактор | Цельная камера без сварных швов, материал камеры - AlMgSi 0.5 |
| Электрод | электрод с водяным охлаждением, диаметр электрода 240 мм механический прижим пластины температурный диапазон: -150...+400 оС (другой температурный диапазон при наличии чиллера) Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки |
| Вакуумная система | < 10-6 mbar форвакуумный насос + турбина антикоррозионное исполнение, сухой форвакуумный насос для шлюза. турбина для шлюза - опция |
| Газовые линии | до 16 газовых линий с MFC и фильтрами и отсечными клапанами |
| RF генератор | ВЧ генератор 13,56 МГц, 600 Вт., воздушное охлаждение автоматическое согласование |
| Контроль | SENTECH control software |
| Опции |
- Более производительная вакуумная система |
Запросить предложение можно по ссылке или направив нам письмо по адресу info@minateh.ru
Установки реактивно-ионного травления SI 500 RIE производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) с гелиевым охлаждением обратной стороны подложки и вакуумным загрузочным шлюзом.
Обработка пластин диаметром до 200 мм или 7х7 дюймов
Процесс: RIE
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация
Установки реактивно-ионного травления SI 500 RIE производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) с гелиевым охлаждением обратной стороны подложки и вакуумным загрузочным шлюзом.
Обработка пластин диаметром до 200 мм или 7х7 дюймов
Процесс: RIE
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация
Установки травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия).
Обработка пластин диаметром до 200 мм или до 300 мм
Процессы: ICP-RIE, RIE
Источник индуктивно-связанной плазмы (ИСП)
Высокая плотность плазмы и скорость травления
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация
Установки травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия).
Обработка пластин диаметром до 200 мм или до 300 мм
Процессы: ICP-RIE, RIE
Источник индуктивно-связанной плазмы (ИСП)
Высокая плотность плазмы и скорость травления
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация
ООО "Минатех"— Микро и нано технологии
Статьи
© Все права защищены
Россия, Москва, ул. Ткацкая, д.5с1.
тел./факс: +7 (495) 909-89-53 / +7 (495) 909-89-54
моб.тел.: +7 (926) 134-69-15
e-mail: info@minateh.ru
