+7 (495) 909-89-53

Быстрые термические процессы - RTP

Установка AS-Micro для быстрых термических процессов (RTP)

Система AS-Micro производства ANNEALSYS (Франция) для быстрых термических процессов (RTP) для обработки пластин диаметром до 3 дюймов для использования в лабораториях. Версия с двумя камерами для перекрестного загрязнения (cross contamination).

Применение:
Быстрый термический отжиг (RTA),
Быстрое термическое окисление (RTO)
Послеимплантационный отжиг и др.
Температурный диапазон: от RT до 1250°C
Загрузка: ручная

Система AS-Micro производства ANNEALSYS (Франция) для быстрых термических процессов (RTP) для обработки пластин диаметром до 3 дюймов для использования в лабораториях. Версия с двумя камерами для перекрестного загрязнения (cross contamination).

Применение:
Быстрый термический отжиг (RTA),
Быстрое термическое окисление (RTO)
Послеимплантационный отжиг и др.
Температурный диапазон: от RT до 1250°C
Загрузка: ручная

Установка AS-One для быстрых термических процессов (RTP)

Система AS-One производства ANNEALSYS (Франция) для быстрых термических процессов с холодными стенками в исполнении для пластин диаметром до 4 дюймов (100 мм) и до 6 дюймов (150 мм).

Применение:
быстрый термический отжиг (RTA)
быстрое термическое окисление (RTO)
послеимплантационный отжиг и др.
Температурный диапазон: от RT до 1450°C (в зависимости от версии печи)
Загрузка: ручная

Система AS-One производства ANNEALSYS (Франция) для быстрых термических процессов с холодными стенками в исполнении для пластин диаметром до 4 дюймов (100 мм) и до 6 дюймов (150 мм).

Применение:
быстрый термический отжиг (RTA)
быстрое термическое окисление (RTO)
послеимплантационный отжиг и др.
Температурный диапазон: от RT до 1450°C (в зависимости от версии печи)
Загрузка: ручная

Уже установлено в России и СНГ: 16 шт
Установка AS-Master для быстрых термических процессов (RTP) и RTCVD

Универсальная система AS-Master производства ANNEALSYS (Франция) для быстрых термических процессов (RTP) для обработки пластин диаметром до 8 дюймов (200 мм.) с возможностью проведения процессов RTCVD (опция).   

Применение:
быстрый термический отжиг (RTA)
быстрое термическое окисление (RTO)
RTCVD
послеимплантационный отжиг и др.
Температурный диапазон: от RT до 1450°C (в зависимости от версии печи)
Загрузка: ручная (опция: загрузка из кассеты в кассету) 

Универсальная система AS-Master производства ANNEALSYS (Франция) для быстрых термических процессов (RTP) для обработки пластин диаметром до 8 дюймов (200 мм.) с возможностью проведения процессов RTCVD (опция).   

Применение:
быстрый термический отжиг (RTA)
быстрое термическое окисление (RTO)
RTCVD
послеимплантационный отжиг и др.
Температурный диапазон: от RT до 1450°C (в зависимости от версии печи)
Загрузка: ручная (опция: загрузка из кассеты в кассету) 

Уже установлено в России и СНГ: 3 шт
Компактная установка AS-Premium для быстрых термических процессов (RTP)

Компактная система AS-Premium  производства ANNEALSYS (Франция) для быстрых термических процессов (RTP) для обработки пластин размером до 8х8 дюймов (200 х 200 мм) с холодными стенками. 

Применение:
быстрый термический отжиг (RTA)
быстрое термическое окисление (RTO)
Диффузия
Селенизация (CIGS solar cell)
Отжиг полупроводников
Нитритизация, силицидирование
Кристализация и уплотнение
Температурный диапазон: от RT до 1300°C
Верхнее расположение ламп или двухсторонний отжиг с верхним и нижним расположением ламп
Загрузка: ручная (опционально - кассетная закгрузка, кластерная конфигурация)

Компактная система AS-Premium  производства ANNEALSYS (Франция) для быстрых термических процессов (RTP) для обработки пластин размером до 8х8 дюймов (200 х 200 мм) с холодными стенками. 

Применение:
быстрый термический отжиг (RTA)
быстрое термическое окисление (RTO)
Диффузия
Селенизация (CIGS solar cell)
Отжиг полупроводников
Нитритизация, силицидирование
Кристализация и уплотнение
Температурный диапазон: от RT до 1300°C
Верхнее расположение ламп или двухсторонний отжиг с верхним и нижним расположением ламп
Загрузка: ручная (опционально - кассетная закгрузка, кластерная конфигурация)

Установка высокотемпературного отжига Zenith 100

Компактная система Zenith 100 и Zenith 150 производства ANNEALSYS (Франция) для высокотемпературных термических процессов (High Temperature RTP и CVD) для обработки пластин диаметром до 4 дюймов (100 мм) и до 6 дюймов (150 мм) соотвестенно.

Применение:
Постимплантационный отжиг SiC
Получение графена высокотемпературной сублимацией SiC
Получение графена CVD методом
Температурный диапазон: от 450°C до 2000°C
Пластины до 100 мм
Загрузка: ручная

Компактная система Zenith 100 и Zenith 150 производства ANNEALSYS (Франция) для высокотемпературных термических процессов (High Temperature RTP и CVD) для обработки пластин диаметром до 4 дюймов (100 мм) и до 6 дюймов (150 мм) соотвестенно.

Применение:
Постимплантационный отжиг SiC
Получение графена высокотемпературной сублимацией SiC
Получение графена CVD методом
Температурный диапазон: от 450°C до 2000°C
Пластины до 100 мм
Загрузка: ручная

Быстрая термическая обработка (Rapid thermal processing - RTP) относится к процессу обработки полупроводников, путем нагрева кремниевых или других полупроводниковых пластин до высоких температур (1250°C или выше) в течении нескольких секунд. Такая быстрая скорость нагрева достигается при использовании ИК ламп высокой интенсивности.

Быструю термическую обработку можно разделить на следующие категории: 

- Быстрый тепловой обжиг (Rapid Thermal Anneal - RTA) 
- Быстрое термическое окисление (Rapid Thermal Oxidation - RTO) 
- Быстрое термическое азотирование (Rapid Thermal Nitridation - RTN) 
- Быстрая термическая диффузия (Rapid Thermal Diffusion - RTD) 
- Быстрое тепловое химическое осаждение паров (Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition - RTCVD) 

Эти процессы используются для широкого спектра применений в производстве различных полупроводниковых приборов. 

Одной из ключевых проблем быстрой термической обработки является точное измерение и контроль температуры пластин, т.к. от этого напрямую зависит их качество. 

Оборудования ANNEALSYS производства Франции, отлично решает эту проблему. Измерение температуры термопарами, вкупе с управляющим PID-регулятором гарантирует высокий и стабильный температурный контроль, и быструю скорость реагирования системы. Управлять системой можно с персонального компьютера на базе системы Windows.

Рекомендации по применению и выбору установки для процессов RTP и RTCVD

Процесс

Система

Implant annealing (постимплантационный отжиг)
Ohmic contact annealing (вжигание омических контактов)
Diffusion of dopants (диффузия легирующей примеси)
Densification and crystallization (уплотнение и кристаличация)

AS-Micro
AS-One
AS-Premium
AS-Master

Implant annealing of silicon carbide (посимплантационный отжиг SiC)

Zenith-100

Thermal annealing of polymers (Термический отжиг полимеров)

AS-One,AS-Master

Oxidation (окисление)
Nitridation (азотирование)
Selenization (селинизация)

AS-Micro
AS-One
AS-Premium
AS-Master

Silicon carbonization (карбонизация кремния)

AS-Master HT version

RTCVD of graphene (рост графена)

AS-OneAS-MasterZenith-100

Generation of graphene by sublimation (Сублимационный рост графена)

Zenith-100

RTCVD of graphene (рост графена)
RTCVD of hBN (hexagonal boron nitride)

AS-One
AS-Master

RTCVD of poly silicon, epitaxial silicon, SiO2, SiNx (RTCVD поилкремния, эпитаксиального кремния, SiO2, SiNx)

AS-Master RTCVD version