Магнетронное распыление (magnetron sputtering)

Sputter Deposition

Магнетронное распыление

Столкновение высокоэнергетических частиц содержащихся в плазме эмитируют атомы с поверхности материала мишени, которые конденсируются на поверхности подложки создавая пленку на подложке. Процессы магнетронного напыления происходят при более высоком давлении чем в испарении. Процессы могут происходить и на меньшей длине свободного пробега атома. Пленки полученные методом магнетронного распыления имеют стехиометрию лучше представляющую состав материала мишени, чем состав полученный методом испарения. Определенно, процесс имеет преимущества по уровню адгезии получаемых пленок из-за более высокой энергии воздействия частиц.

Распыляемые мишени и источники могут быть разных размеров для оптимизации скорости, производительности и однородности получаемых пленок.

Технология напыления магнетронным распылением компании Angstrom Engineeringобъединяет в себе источники распыления высочайшего качества с системой контроля и управления давлением газа.

Системы с источниками магнетронного распыления компании Angstrom Engineering могут оснащаться RF, DC, импульсными DC или MF элекрич. источниками

Специально сконфигурированные источники позволяют наносить магнитные материалы такие как Fe, Ni и Co гораздо проще и поддерживают возможность использования более толстых мишеней.

Доступные для процесса системы : Covap II │ Nexdep │ Amod │ Evovac │ Другие по запросу

Также Вас может заинтересовать

Электронно-лучевое испарение (electron beam evaporation)

Электронно-лучевое испарение (electron beam evaporation)

Катод эмитирует сфокусированный магнитным полем высоко энергетический пучок, который попадая на материал в тигле уносит с тигля напыляемый материал, осаждаемый на подложку.

Электронно-лучевое испарение (electron beam evaporation)

Резистивное термическое испарение (resistive evaporation)