Установки реактивно-ионного травления Etchlab 200 и Etchlab 380 multiwafer производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) без вакуумного загрузочного шлюза.
Обработка пластин диаметром до 200 мм и 380 мм соответственно.
Процесс: RIE
До 8 газовых линий
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Установки реактивно-ионного травления Etchlab 200 и Etchlab 380 multiwafer производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) без вакуумного загрузочного шлюза.
Обработка пластин диаметром до 200 мм и 380 мм соответственно.
Процесс: RIE
До 8 газовых линий
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Установки реактивно-ионного травления SI 591 Compact и SI 591 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) с вакуумным загрузочным шлюзом.
Обработка пластин диаметром до 200 мм или 7х7 дюймов.
Процесс: RIE
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация
Установки реактивно-ионного травления SI 591 Compact и SI 591 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) с вакуумным загрузочным шлюзом.
Обработка пластин диаметром до 200 мм или 7х7 дюймов.
Процесс: RIE
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация
Установки реактивно-ионного травления SI 500 RIE производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) с гелиевым охлаждением обратной стороны подложки и вакуумным загрузочным шлюзом.
Обработка пластин диаметром до 200 мм или 7х7 дюймов
Процесс: RIE
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация
Установки реактивно-ионного травления SI 500 RIE производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) с гелиевым охлаждением обратной стороны подложки и вакуумным загрузочным шлюзом.
Обработка пластин диаметром до 200 мм или 7х7 дюймов
Процесс: RIE
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация
Установки травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия).
Обработка пластин диаметром до 200 мм или до 300 мм
Процессы: ICP-RIE, RIE
Источник индуктивно-связанной плазмы (ИСП)
Высокая плотность плазмы и скорость травления
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация
Установки травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия).
Обработка пластин диаметром до 200 мм или до 300 мм
Процессы: ICP-RIE, RIE
Источник индуктивно-связанной плазмы (ИСП)
Высокая плотность плазмы и скорость травления
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация
Установки криогенного травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 С производства SENTECH Instruments GmbH (Германия).
Обработка пластин диаметром до 200 мм
Процессы: Cryo ICP-RIE, ICP-RIE, RIE
Источник индуктивно-связанной плазмы (ИСП)
Криогенный электрод (-150 oС...+400 oС)
Высокая плотность плазмы и скорость травления
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация
Установки криогенного травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 С производства SENTECH Instruments GmbH (Германия).
Обработка пластин диаметром до 200 мм
Процессы: Cryo ICP-RIE, ICP-RIE, RIE
Источник индуктивно-связанной плазмы (ИСП)
Криогенный электрод (-150 oС...+400 oС)
Высокая плотность плазмы и скорость травления
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация
Плазменное травление - это процесс травления материала при воздействии на него плазмы газового разряда. В микроэлектронике его используют в основном для удаления слоев материала с поверхности подложки, после процесса литографии, при производстве интегральных схем или других полупроводниковых приборов. Основными преимуществами данного типа травления по сравнению жидкостным травлением является его анизотропия и образование газообразных продуктов реакции, которые легко удаляются из рабочего объема.
Плазменное травление подразделяется на три основных вида:
Ионное травление
Удаление поверхностных слоев материла происходит под воздействием ускоренных ионов. В зависимости от того, каким образом генерируется ионный пучок выделяют:
Плазмохимическое травление
Удаление поверхностных слоев материала осуществляется за счет их взаимодействия с радикалами, образованными в плазменном разряде.
Ионно-химическое травление
Для удаления поверхностных слоев материла используют как бомбардировку ускоренными ионами, так химическое взаимодействие с компонентами плазменного разряда. В настоящее время это наиболее часто использующийся процесс. Выделяют два вида плазмохимического травления:
Установки плазменного травления имеют до 16 газовых линий, OES, лазерную интерферометрию и вакуумный загрузочный шлюз. Установки SENTECH предназначены для использования в НИОКР для реализации процессов сухого плазменного травления.
ООО "Минатех"— Микро и нано технологии
Статьи
© Все права защищены
Россия, Москва, ул. Ткацкая, д.5с1.
тел./факс: +7 (495) 909-89-53 / +7 (495) 909-89-54
моб.тел.: +7 (926) 134-69-15
e-mail: info@minateh.ru
