+7 (495) 909-89-53

Плазменное травление (RIE, RIE-ICP, DRIE)

Установки реактивно-ионного травления Etchlab 200 (RIE) и Etchlab 380 Multiwafer

Установки реактивно-ионного травления Etchlab 200 и Etchlab 380 multiwafer производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) без вакуумного загрузочного шлюза.

Обработка пластин диаметром до 200 мм и 380 мм соответственно.
Процесс: RIE
До 8 газовых линий
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия

Установки реактивно-ионного травления Etchlab 200 и Etchlab 380 multiwafer производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) без вакуумного загрузочного шлюза.

Обработка пластин диаметром до 200 мм и 380 мм соответственно.
Процесс: RIE
До 8 газовых линий
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия

Установка реактивно-ионного травления SI 591 Compact (RIE) и SI 591 (RIE)

Установки реактивно-ионного травления SI 591 Compact и SI 591 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) с вакуумным загрузочным шлюзом.

Обработка пластин диаметром до 200 мм или 7х7 дюймов.
Процесс: RIE
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация

Установки реактивно-ионного травления SI 591 Compact и SI 591 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) с вакуумным загрузочным шлюзом.

Обработка пластин диаметром до 200 мм или 7х7 дюймов.
Процесс: RIE
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация

Установка реактивно-ионного травления SI 500 RIE

Установки реактивно-ионного травления SI 500 RIE производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) с гелиевым охлаждением обратной стороны подложки и вакуумным загрузочным шлюзом.

Обработка пластин диаметром до 200 мм или 7х7 дюймов
Процесс: RIE
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки 
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация

Установки реактивно-ионного травления SI 500 RIE производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) с гелиевым охлаждением обратной стороны подложки и вакуумным загрузочным шлюзом.

Обработка пластин диаметром до 200 мм или 7х7 дюймов
Процесс: RIE
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки 
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация

Установка травления в индуктивно-связанной плазме SI 500

Установки травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия).

Обработка пластин диаметром до 200 мм или до 300 мм
Процессы: ICP-RIE, RIE
Источник индуктивно-связанной плазмы (ИСП)
Высокая плотность плазмы и скорость травления
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация

Установки травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия).

Обработка пластин диаметром до 200 мм или до 300 мм
Процессы: ICP-RIE, RIE
Источник индуктивно-связанной плазмы (ИСП)
Высокая плотность плазмы и скорость травления
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация

Установка криогенного травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 С

Установки криогенного травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 С производства SENTECH Instruments GmbH (Германия).

Обработка пластин диаметром до 200 мм
Процессы: Cryo ICP-RIE, ICP-RIE,  RIE
Источник индуктивно-связанной плазмы (ИСП)
Криогенный электрод (-150 oС...+400 oС)
Высокая плотность плазмы и скорость травления
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация

Установки криогенного травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 С производства SENTECH Instruments GmbH (Германия).

Обработка пластин диаметром до 200 мм
Процессы: Cryo ICP-RIE, ICP-RIE,  RIE
Источник индуктивно-связанной плазмы (ИСП)
Криогенный электрод (-150 oС...+400 oС)
Высокая плотность плазмы и скорость травления
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация

Плазменное травление - это процесс травления материала при воздействии на него плазмы газового разряда. В микроэлектронике его используют в основном для удаления слоев материала с поверхности подложки, после процесса литографии, при производстве интегральных схем или других полупроводниковых приборов. Основными преимуществами данного типа травления по сравнению жидкостным травлением является его анизотропия и образование газообразных продуктов реакции, которые легко удаляются из рабочего объема.

Плазменное травление подразделяется на три основных вида:

Ионное травление

Удаление поверхностных слоев материла происходит под воздействием ускоренных ионов. В зависимости от того, каким образом генерируется ионный пучок выделяют:

  • Ионно-плазменное травление
  • Ионно-лучевое травление

Плазмохимическое травление

Удаление поверхностных слоев материала осуществляется за счет их взаимодействия с радикалами, образованными в плазменном разряде.

Ионно-химическое травление

Для удаления поверхностных слоев материла используют как бомбардировку ускоренными ионами, так химическое взаимодействие с компонентами плазменного разряда. В настоящее время это наиболее часто использующийся процесс. Выделяют два вида плазмохимического травления:

  • Реактивное ионно-плазменное травление. Обрабатываемые образцы помещают на электрод газоразрядного устройства и бомбардируют ионами химически активной плазмы. Например, RIE (реактивное ионное травление) и ICP (травление в индуктивно-связанной плазме).
  • Реактивное ионно-лучевое травление. Образцы помещают в высоковакуумную камеру, а их бомбардировка осуществляется из автономного источника ионами химически активных газов

Установки плазменного травления имеют до 16 газовых линий, OES, лазерную интерферометрию и вакуумный загрузочный шлюз. Установки SENTECH предназначены для использования в НИОКР для реализации процессов сухого плазменного травления.

Новости

Все новости

Система плазменной очистки ATTO с нашего склада в Москве

Подробнее

Международная выставка испытательного и контрольно-измерительного оборудования Testing & Control

Подробнее

МИНАТЕХ начинает сотрудничество с немецким специалистом по метрологии SURAGUS

Подробнее

Новая установка безмасковой лазерной литографии DWL 66+

Подробнее

МИНАТЕХ начинает сотрудничество с немецкой компанией Accurion GmbH

Подробнее

Процесс совмещения на установках MLA от HIMT

Подробнее

Новый компактный 3D профилометр-конфокальный микроскоп S lynx от SENSOFAR

Подробнее

SENTECH анонсировал новую серию спектроскопических эллипсометров SENresearch 4.0.

Подробнее