+7 (495) 909-89-53

Установка травления в индуктивно-связанной плазме SI 500

SI 500-300 MultiwaferSI500-300SI 500 ICPSI 500 _clustersentech_clustertooltrough the wall installationlaser interferometerStamps for nanoimprint lithography in SiO2PhC in SiO2 and Si3N4ICP-RIE etching of BiSbTeSe with CH4 _ Ar gas mixtureICP etching of PZT ceramics using SiCl4 _ Ar gas mixtureEtching of SiC via holes using SF6 _ O2 gas mixtureEtching of micro lenses in quartzEtching of MCT using CH4 _ H2 _ N2 gas mixtureEtching of GaN using Cl2 _ BCl3 _ Ar gas mixtureEtching of GaAs via holes using Cl2 _ BCl3 _ Ar gas mixtureDeep etching of GaAs using SiCl4 _ O2 _ Ar gas mixtureAlGaAs _ GaAs quantum dots20 nm SiGe nano wire

Установки травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия).

Система травления  SI 500 PTSA ICP plasma etcher производства SENTECH Instruments GmbH предназначена для использования в НИОКР для реализации процессов высокоскоростного сухого плазменного травления кремния (Si), глубокое травлени кремния, (Bosсh процесс или DRIE), MEMS, диэлектриков (SiO2, Si3N4) и полупроводниковых структур, особенно III/V (таких как GaAs, GaN, InP и др.), металлов, микрооптики, наноструктур и фотошаблонов в индуктивно-связанной плазме. 

Установка травления SI 500 с источником индуктивно связанной плазмы может быть использована в широком диапазоне плазменных процессов – от обычного реактивного ионного травления до процессов в плазме высокой плотности. Отличительными особенностями SI 500 являются наличие источника индуктивно связанной плазмы, электрод подложки с гелиевым охлаждением и высокопроизводительная вакуумная система. Управление всеми важными параметрами оборудования осуществляется автоматически. Установка SI 500 была разработана для использования в пилотных производствах и НИОКР. 

Отличительной особенностью системы SI 500 является запатентованный источник индуктивно связанной плазмы ICP-PTSA 200 (плоская тройная спиральная антенна), специально подходящий для травления с низким повреждением структуры, электрод подложки с гелиевым охлаждением и динамическим контролем температуры для поддержания постоянной температуры независимо от мощности плазмы, вакуумная система позволяет обеспечивать высокую производительность требуемую для процессов травления и магнито-пневматический загрузочный шлюз для высочайшей надежности при загрузке/ выгрузке пластин. Все важнейшие параметры системы контролируются автоматически.

Система позволяет обрабатывать как пластины диаметром до 200 мм, так и кусочки. Мощная двухступенчатая вакуумная система позволяет быстро откачивать камеру реактора и получать достаточно глубокий вакуум для проведения процессов травления.

Особенности

  • Обработка пластин диаметром до 200 мм или до 300 мм
  • Процесс: ICP-RIE, RIE
  • Источник индуктивно-связанной плазмы (ICP)
  • Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки 
  • Вакуумный загрузочный шлюз
  • Превосходная однородность, прекрасная воспроизводимость при травлении
  • Высокая скорость травления

  • Низкий уровень повреждений
  • Высокое аспектное отношение

  • Химия: фторна / хлорная
  • Кластерная конфигурация
  • Групповая обработка пластин
  • Держатели для пластин меньшего размера
  • Компактный дизайн и малая занимаемая площадь
  • до 16 газовых линий (фторная химия)
  • Программное обеспечение SENTECH control software  
  • OES и лазерная интрферометрия
  • Большое колличество опций
Запросить брошюру в PDF

Характеристики

Модель установки SI 500 SI 500-300 Multiwafer
Диаметр обрабатываемых пластин до 200 мм (8 дюймов) до 300 мм (12 дюймов)
Источник индуктивно-связанной плазмы (ICP) PTSA 200 (planar triple spiral antenna)
Частота: 13,56 МГц
Мошность: 100-1200 Вт или 100-2500 Вт
PTSA 400 (planar triple spiral antenna)
Частота: 13,56 МГц
Мощность: 100-1200 Вт или 100-2500 Вт
Вакуумный загрузочный шлюз (load-lock) наличие, оборудован сухим фор насосом наличие, оборудован сухим фор насосом
Реактор  Цельная камера без сварных швов, материал камеры - AlMgSi 0.5 
Цельная камера без сварных швов, материал камеры - AlMgSi 0.5 
Электрод электрод с водяным охлаждением, диаметр электрода 240 мм
механический прижим пластины
температурный диапазон: -30...+250 оС
или -150...+400 оС с крио электродом
(другой температурный диапазон при наличии чиллера)
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки
электрод с водяным охлаждением, диаметр электрода 398 мм
механический прижим пластины
температурный диапазон: КТ...+80 оС 
(другой температурный диапазон при наличии чиллера)
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки
Вакуумная система  < 10-6 mbar
форвакуумный насос + турбина
антикоррозионное исполнение,
сухой форвакуумный насос для шлюза.
турбина для шлюза - опция
< 10-6 mbar
форвакуумный насос + турбина
антикоррозионное исполнение,
сухой форвакуумный насос для шлюза.
турбина для шлюза - опция
Газовые линии до 16 газовых линий с MFC и фильтрами и отсечными клапанами до 16 газовых линий с MFC и фильтрами и отсечными клапанами
RF генератор ВЧ генератор 13,56 МГц, 600 Вт., воздушное охлаждение
автоматическое согласование
ВЧ генератор 13,56 МГц, 600 Вт., воздушное охлаждение
автоматическое согласование
Контроль SENTECH control software SENTECH control software
Опции

- Более производительная вакуумная система
- Bosch процесс (DRIE)
- Турбина на магнитном подвесе
- Турбина для вакуумного шлюза
- Дополнительный газовые линии
- Чилер
- Порты камеры реактора
- Нагреа стенок реактора
- Лазерный интерферометр для определния окончания процесса
- OES
- кластерная конфигурация
- температурный сенсор для измерения температуры на обратной стороне подложки
- загрузка из кассеты в кассету (С to C)
- установка через стену

ion spectrosc- Более производительная вакуумная система
- Турбина на магнитном подвесе
- Турбина для вакуумного шлюза
- Дополнительный газовые линии
- Чилер
- Порты камеры реактора
- Нагреа стенок реактора
- Лазерный интерферометр для определния окончания процесса
- OES
- кластерная конфигурация
- температурный сенсор для измерения температуры на обратной стороне подложки
- загрузка из кассеты в кассету (С to C)
- установка через стенуopy


Запросить предложение можно по ссылке или направив нам письмо по адресу info@minateh.ru  

Запросить предложение товара

Установка травления в индуктивно-связанной плазме SI 500

Новости

Все новости

Система плазменной очистки ATTO с нашего склада в Москве

Подробнее

Международная выставка испытательного и контрольно-измерительного оборудования Testing & Control

Подробнее

МИНАТЕХ начинает сотрудничество с немецким специалистом по метрологии SURAGUS

Подробнее

Новая установка безмасковой лазерной литографии DWL 66+

Подробнее

МИНАТЕХ начинает сотрудничество с немецкой компанией Accurion GmbH

Подробнее

Процесс совмещения на установках MLA от HIMT

Подробнее

Новый компактный 3D профилометр-конфокальный микроскоп S lynx от SENSOFAR

Подробнее

SENTECH анонсировал новую серию спектроскопических эллипсометров SENresearch 4.0.

Подробнее