+7 (495) 909-89-53

Процессы вакуумного напыления (Application)

Резистивное термическое испарение (resistive evaporation)

Резистивное термическое испарение (resistive thermal evaporation).

Использование электрической энергии для нагрева катода, который в свою очередь нагревает распыляемый материал до температуры испарения.

Резистивное термическое испарение (resistive thermal evaporation).

Использование электрической энергии для нагрева катода, который в свою очередь нагревает распыляемый материал до температуры испарения.

Магнетронное распыление (magnetron sputtering)

Магнетронное напыление (sputter deposition).

Столкновение высокоэнергетических частиц содержащихся в плазме эмитируют атомы с поверхности материала мишени, которые конденсируются на поверхности подложки создавая пленку на подложке.

Магнетронное напыление (sputter deposition).

Столкновение высокоэнергетических частиц содержащихся в плазме эмитируют атомы с поверхности материала мишени, которые конденсируются на поверхности подложки создавая пленку на подложке.

Электронно-лучевое испарение (electron beam evaporation)

Электронно-лучевое испарение (electron beam evaporation)

Катод эмитирует сфокусированный магнитным полем высоко энергетический пучок, который попадая на материал в тигле уносит с тигля напыляемый материал, осаждаемый на подложку.

Электронно-лучевое испарение (electron beam evaporation)

Катод эмитирует сфокусированный магнитным полем высоко энергетический пучок, который попадая на материал в тигле уносит с тигля напыляемый материал, осаждаемый на подложку.

Ионное асистирование (ion-assisted deposition)

Ионное напыление (ion-assisted deposition).

Широкий луч от ионного источника направляется прямо на подложку обычно совместно с магнетронным или электронно-лучевым напылением.

 

Ионное напыление (ion-assisted deposition).

Широкий луч от ионного источника направляется прямо на подложку обычно совместно с магнетронным или электронно-лучевым напылением.

 

Resistive Thermal Evaporation

Резистивное термическое испарение

Резистивное испарение – это процесс осаждения в вакууме, который использует электрическую энергию для нагрева катода, который в свою очередь нагревает осаждаемый материал до такой степени, что испаряет его. Процесс может производиться в очень высоком вакууме, что позволяет увеличить длину свободного пробега атома и уменьшить тем самым возможность загрязнения пленки. Может быть достигнута высокая скорость осаждения. Более низкая энергия частиц может уменьшить эффект повреждения подложки. Angstrom Engineering разработал системы осаждения тонких пленок на основе такой технологии, которые позволяют наносить широкий спектр материалов включая: металлы, органические полимеры и неорганические полимеры. Процесс может контролироваться с использованием QCM (quality control manual),системой температурного и оптического контроля обеспечивающие результаты с высоким качеством и повторяемостью. 

Sputter Deposition

Магнетронное распыление
 

Столкновение высокоэнергетических частиц содержащихся в плазме эмитируют атомы с поверхности материала мишени, которые конденсируются на поверхности подложки создавая пленку на подложке. Процессы магнетронного напыления происходят при более высоком давлении чем в испарении. Процессы могут происходить и на меньшей длине свободного пробега атома. Пленки полученные методом магнетронного распыления имеют стехиометрию лучше представляющую состав материала мишени, чем состав полученный методом испарения. Определенно, процесс имеет преимущества  по уровню адгезии получаемых пленок из-за более высокой энергии воздействия частиц.

Распыляемые мишени и источники могут быть разных размеров для оптимизации скорости, производительности и однородности получаемых пленок.

Технология напыления магнетронным распылением компании Angstrom Engineeringобъединяет в себе источники распыления высочайшего качества с системой контроля и управления давлением газа.

Системы с источниками магнетронного распыления компании Angstrom Engineering могут оснащаться RF, DC, импульсными DC или MF элекрич. источниками

Специально сконфигурированные источники позволяют наносить магнитные материалы такие как Fe, Ni и Co гораздо проще и поддерживают возможность использования более толстых мишеней.

Electron Beam Evaporation 

Электронно-лучевое испарение 

В электронно-лучевом испарении, катод эмитирует сфокусированный магнитным полем высоко энергетический пучок электронов, который попадая на материал в тигле уносит с тигля напыляемый материал, осаждаемый на подложку. Мощные испарители и наборы испарителей с упорядоченным дизайном позволяют получать высокие скорости роста пленки и высокие толщины пленок. Также такой дизайн позволяет увеличить количество процессов и время напыления до развакуумирования камеры для восполнения испаряемого материала в источнике.

Нанесение тугоплавких материалов может достигать высоких скоростей, что может эффективно использоваться для увеличения жаропрочности металлических и керамических пленок. Испаряемый осаждаемый материал может поддерживать поверхностный слой нерасплавленного материала, защищающий тигель от коррозии или от загрязнения.

Angstrom Engineering устанавливает электронно-лучевые испарители в системы и обеспечивает продвинутый контроль и управление распылением для самых сложных применений. Системы могут быть сконфигурированы с использованием как стандартных платформ (систем) так и по индивидуальному заказу для полного соответствия требованиям заказчика.

Ion Assisted Deposition

Ионное напыление

В IAD (ионном напылении) источник широкого пучка ионов направляет рассеянный ионный пучок ионов с различным энергиями прямо на подложку, обычно вместе с источником магнетронным распыления или источником электронно-лучевого напыления. Инертный газ такой как Ar или реактивный газы такие как О2 и N2  могут быть использованы для обеспечения дополнительных химических реакций в течение роста пленки. IAD процессы позволяют усовершенствовать процессы роста пленок через реакции на поверхности, контролировать плотность пленки и улучшать адгезию пленки.Angstrom Engineering может улучшить возможности Вашей системы добавлением ионного источника для ваших процессов. Программные решения компании Angstrom Engineeringпозволяют осуществлять прецизионный тщательный контроль процессов в системах.   

Новости

Все новости

Система плазменной очистки ATTO с нашего склада в Москве

Подробнее

Международная выставка испытательного и контрольно-измерительного оборудования Testing & Control

Подробнее

МИНАТЕХ начинает сотрудничество с немецким специалистом по метрологии SURAGUS

Подробнее

Новая установка безмасковой лазерной литографии DWL 66+

Подробнее

МИНАТЕХ начинает сотрудничество с немецкой компанией Accurion GmbH

Подробнее

Процесс совмещения на установках MLA от HIMT

Подробнее

Новый компактный 3D профилометр-конфокальный микроскоп S lynx от SENSOFAR

Подробнее

SENTECH анонсировал новую серию спектроскопических эллипсометров SENresearch 4.0.

Подробнее