Установка нанолитографии NanoFrazor Scholar производства HEIDELBERG INSTRUMENTS NANO (SwissLitho AG, Швейцария).
NanoFrazor Scholar - новейшая система NanoFrazor, доступная только с 2017 года. Начальный уровень NanoFrazor особенно подходит для академических исследовательских групп, которые ищут простой способ создания своих нанопаттеров или устройств с высоким разрешением.
NanoFrazor Scholar - это гибкая настольная литографическая система, которая занимает очень мало места. Установку можно даже поставить внутри перчаточного бокса, позволяя изготовить устройство или локальные модификации поверхности, не подвергая образец воздействию воздуха.
NanoFrazor Scholar немного медленнее и менее автоматизирована, по сравнению с другими системами NanoFrazor. Тем не менее, она по-прежнему выполняет все функции, которые делают технологию NanoFrazor уникальной и новой наукой и технологией, которые ранее не выполнялись.
Подобно установке NanoFrazor Explore, нагреваемые кантилеверы в NanoFrazor Scholar также могут быть заменены и откалиброваны в течение минуты. Это стало возможным благодаря использованию интеллектуального магнитного держателя кантилевера, специализированного и простого в использовании устройства обмена и автоматизированного программного обеспечения для калибровки.
Интегрированный оптический цифровой микроскоп обеспечивает изображение кантилевера и образца с высоким разрешением. Он позволяет пользователю контролировать образец и легко находить целевые позиции в структуре на пластине.
Пользовательский интерфейс программного обеспечения NanoFrazor позволяет студентам и исследователям выполнять нанолитографию с высоким разрешением с минимальным обучением. Кроме того, опытные пользователи могут использовать гибкую среду сценариев (рецептов) для экспериментов с более сложными задачами.
Применение установки NanoFrazor:
● MEMS
● Нанолитография и исследования
● Наномагниты
● Наноэлектроника
● Плазмоника
● Полупроводники
● Безмасковое непосредственное формирование изображения
● Протопирование
● Наноимпринт штампы
| Образцы | |
| Максимальный размер образца (XYZ) | 50 х 50 х 20 мм |
| Материал подложки | без ограничений (1) |
| Pettering (создание паттерна на палстине) | |
| Минимальный размер письма | 20 нм |
| Минимальный размер письма для lines and spaces (half-pitch in resist) (2) | 30 нм |
| Вертикальное (3D) разрешение (3) (отличимый размер ступеньки) | < 3 нм |
| Скорость создание паттерна (@30 nm размере пискселя) | 0.5 мм/сек |
| Patterning field size (поле создания структуры) | до 50 х 50 мкм |
| Topography Imaging (метрология установки) | |
| Латеральное разрешение (topography feature size) | < 10 нм |
| Вертикальное (imaging) разрешение (topography sensitivity) | < 0.5 нм |
| Imaging speed (@50 nm размере пискселя) | 0.5 мм/сек |
| Imaging field size (поле метрологического контроля) | до 50 х 50 мкм |
| Совмещение и сшивка | |
| Точность сшивки (4) | < 50 нм |
| Точность совмещения (5) | < 50 нм |
| Контроль нагрева кантилевера | |
| Диапазон температуры | от КТ до 1100 oC |
| Разреешние контроля | < 1 K |
| Режим нагрева | DC или Pulsed |
| Система позиционирования | |
| Диапазон перемещения (макс область создания паттерна) | 50 х 50 мм |
| Разрешение позиционирования | < 5 нм |
| Скорость перемещения | до 10 мм/сек |
| Оптический микроскоп | |
| Коаксиальная белая подсветка | ручная |
| Разрешение (дифракционный предел оптики) | 3.6 мкм |
| Цифровое разрешение | 0.6 мкм |
| Поле зрения | 1.5 x 1.1 мм |
| Камера | 2592 x 1944 pixel |
| Рабочее расстояние | 51 мм |
| Держатель кантилевера | |
| Время замены кантилевера | 1 мин. |
| Электроника | |
| Процессор реального времени | 1 GHz |
| High speed, low noise ADC/DAC channels | 4/4 channels (up to 24 bit) |
| NanoFrazor программное обеспечение | |
| Интуитивный пользовательский интерфейс | Включен |
| Фроматы дизайнов | GDSII, JPG, PNG, BMP, TIFF |
| Пикселизация (определение размера пикселя) | 0.1 нм |
| Максимальное количество уровней для одного поля | 256 |
| Калибровка кантилевера (расстояние, температура, срабатывание...) | автоматическое |
| Совмещение | автоматическая в процессе создания паттерна |
| In-situ коррекция дрефа по Z | автоматческая в процессе создания паттерна |
| Контроль окружающей среды | |
| Контроль флажности температуры | нет |
| Контроль натекания газа | ручной |
| Виброизоляция | не включена (по запросу) |
| Укастическая изоляция | 1 уровень |
| Размеры | |
| Занимаемая площадь на столе | 500 х 320 мм |
| Высота | 300 мм |
| Вес | 50 кг. |
| Требования к подключению | |
| Электропитание | 1x 220 В AC, 10 A |
| Подача инертного газа (опционально) | 1/4 дюйма OD трубка, требуется контроль напуска внешний |
| Сжатый воздух | Только для пассивной виброизоляции, 4 Бара |
| Внешний уровень вибрации | VC-B или лучше |
| Дополнительная виброизоялция | требуется (можно также запросить у SwissLitho) |
| Внешний акустический шум | < 40 dB |
| Опции | |
| Виброизоляционный стол | |
| Direct Laser Sublimation (DLS) extension | не возможно |
| Установка в перчаточный бокс | Да |
|
1 Patterning on completely insulating substrates is possible, but with restrictions on the electrostatic force actuation 2 Sub-10nm half-pitch and feature size has been demonstrated (Ryu Cho et al., ACS Nano, 2017) 3 A vertical resolution of < 1 nm (1 sigma error) has been demonstrated (Rawlings et al, Scientific Reports, 2017) 4 A stitching error of < 10 nm in all directions has been demonstrated (Paul et al., Nanotechnology, 2012) 5 An overlay accuracy of < 5 nm has been demonstrated (Rawlings et al., ACS Nano, 2015) |
Установка нанолитографии NanoFrazor Explore производства HEIDELBERG INSTRUMENTS NANO (SwissLitho AG, Швейцария).
NanoFrazor Explore - уникальная хорошо зарекомендовавшая себя система обеспечивает полную гибкость для обслуживания практически любого исследовательского приложения, которое требует четко определенных наноструктур.
Первая на рынке гибридная система нанолитографии объединяющая в себе 2 метода литографии: нано и микро (Mix&Match) в одной машине!
Максимальный размер образца (XYZ): 100 х 100 х 20 мм
Минимальный размер подложки: 1 х 1 мм2
Pattering (Thermal probe):
Минимальный размер элемента письма: 15 нм
Минимальный размер элемента для Lines and spaces (half-pitch)2: менее 25 нм.
Вертикальное (3D) разрешение3 (отличимый размер ступеньки): менее 2 нм
Скорость (линейная) создание паттерна (@50 nm размере пискселя): 1 мм/сек
Скорость создание паттерна (@50 nm размере пискселя): 1000 мкм2/мин
Точность совмещения (overlay accuracy): 25 нм
Pattering (лазерная литография, 405 нм):
Минимальный размер элемента письма: 600 нм
Минимальный размер элемента для Lines and spaces (half-pitch)2: менее 1000 нм.
Скорость (линейная) создание паттерна (@50 nm размере пискселя): 5 мм/сек
Скорость создание паттерна (@50 nm размере пискселя): 100 000 мкм2/мин
Точность совмещения (overlay accuracy): 100 нм
Topography Imaging
Латеральное разрешение (topography feature size): менее 10 нм.
Вертикальное (imaging) разрешение (topography sensitivity): менее 0,5 нм
Imaging speed (@50 nm размере пискселя): 1000 мкм/мин
Imaging and writing field size: до 60 х 60 мкм
Установка нанолитографии NanoFrazor Explore производства HEIDELBERG INSTRUMENTS NANO (SwissLitho AG, Швейцария).
NanoFrazor Explore - уникальная хорошо зарекомендовавшая себя система обеспечивает полную гибкость для обслуживания практически любого исследовательского приложения, которое требует четко определенных наноструктур.
Первая на рынке гибридная система нанолитографии объединяющая в себе 2 метода литографии: нано и микро (Mix&Match) в одной машине!
Максимальный размер образца (XYZ): 100 х 100 х 20 мм
Минимальный размер подложки: 1 х 1 мм2
Pattering (Thermal probe):
Минимальный размер элемента письма: 15 нм
Минимальный размер элемента для Lines and spaces (half-pitch)2: менее 25 нм.
Вертикальное (3D) разрешение3 (отличимый размер ступеньки): менее 2 нм
Скорость (линейная) создание паттерна (@50 nm размере пискселя): 1 мм/сек
Скорость создание паттерна (@50 nm размере пискселя): 1000 мкм2/мин
Точность совмещения (overlay accuracy): 25 нм
Pattering (лазерная литография, 405 нм):
Минимальный размер элемента письма: 600 нм
Минимальный размер элемента для Lines and spaces (half-pitch)2: менее 1000 нм.
Скорость (линейная) создание паттерна (@50 nm размере пискселя): 5 мм/сек
Скорость создание паттерна (@50 nm размере пискселя): 100 000 мкм2/мин
Точность совмещения (overlay accuracy): 100 нм
Topography Imaging
Латеральное разрешение (topography feature size): менее 10 нм.
Вертикальное (imaging) разрешение (topography sensitivity): менее 0,5 нм
Imaging speed (@50 nm размере пискселя): 1000 мкм/мин
Imaging and writing field size: до 60 х 60 мкм
ООО "Минатех"— Микро и нано технологии
Статьи
© Все права защищены
Россия, Москва, ул. Ткацкая, д.5с1.
тел./факс: +7 (495) 909-89-53 / +7 (495) 909-89-54
моб.тел.: +7 (926) 134-69-15
e-mail: info@minateh.ru
