+7 (495) 909-89-53

Осаждение SprayCVD, MOCVD, LPCVD

Установка DLI-CVD и MOCVD модели MC-050 от ANNEALSYS (Франция)

Бюджетная установка для процессов DLI-CVD и MOCVD производства ANNEALSYS (Франция) для исследований и НИОКР на подложках диаметром до 2-ух дюймов. осаждение и отжиг можно производить в одной камере.

Применение:
DLI-CVD, CVD, MOCVD
быстрый термический отжиг (RTA),
быстрое термическое окисление (RTO)
In-situ отжиг и др.
Пластины до 2-ух дюймов
Максимальная температура: 1200°C
Загрузка: ручная

Бюджетная установка для процессов DLI-CVD и MOCVD производства ANNEALSYS (Франция) для исследований и НИОКР на подложках диаметром до 2-ух дюймов. осаждение и отжиг можно производить в одной камере.

Применение:
DLI-CVD, CVD, MOCVD
быстрый термический отжиг (RTA),
быстрое термическое окисление (RTO)
In-situ отжиг и др.
Пластины до 2-ух дюймов
Максимальная температура: 1200°C
Загрузка: ручная

Установка DLI-CVD и MOCVD модели MC-100 и MC-200 от ANNEALSYS (Франция)

Универсальная установка для процессов MOCVD, DLI-CVD и DLI-ALD производства ANNEALSYS (Франция) для исследований и R&D. Установка доступна для обработки пластин до 4 дюймов (100 мм.) и до 8 дюймов (200 мм) соответственно.

Применение:
DLI-CVD, DLI-ALD, SprayCVD, MOCVD, металлы, сплавы
быстрый термический отжиг (RTA),
быстрое термическое окисление (RTO)
In-situ отжиг и др.
Пластины до 4-х дюймов и до 8 дюймов
Максимальная температура: 850°C
Загрузка: ручная

Универсальная установка для процессов MOCVD, DLI-CVD и DLI-ALD производства ANNEALSYS (Франция) для исследований и R&D. Установка доступна для обработки пластин до 4 дюймов (100 мм.) и до 8 дюймов (200 мм) соответственно.

Применение:
DLI-CVD, DLI-ALD, SprayCVD, MOCVD, металлы, сплавы
быстрый термический отжиг (RTA),
быстрое термическое окисление (RTO)
In-situ отжиг и др.
Пластины до 4-х дюймов и до 8 дюймов
Максимальная температура: 850°C
Загрузка: ручная

Осаждение SprayCVD, MOCVD, LPCVD

Установки французской фирмы ANNEALSYS обладают широким спектром возможностей и специально разработаны для удовлетворения потребностей исследовательских организаций и НИИ в области технологий химического осаждения из газовой фазы (Chemical Vapor Deposition – CVD).

CVD и MOCVD процесс используется для получения твердых метало-органический и других материалов высокой степени чистоты. Его часто применяют в полупроводниковой индустрии для создания тонких пленок. Обычно, в процессе CVD осаждения подложка помещается в камеру с одним или несколькими веществами, которые реагируют (или разлагаются) и производят необходимую на поверхности подложки пленку. С помощью CVD-процессов можно производить материалы с различными структурами: поликристаллы и монокристаллы, а также аморфные и эпитаксиальные тела и металло-органические соединения.

Установки DLI-CVD / DLI-ALD оснащены испарителями для прямого впрыска (Direct Liquid Injection – DLI) для использования самого широкого диапазона химических веществ, включая низкое давление пара и термически неустойчивых перкурсоров.

Такие установки предлагают несколько технологических возможностей внутри одной и той же камеры: CVD, ALD, MOCVD, импульсное давление CVD, RTP, RTCVD. Подобная комплектация предлагает неограниченные возможности для разработки новых материалов.