+7 (495) 909-89-53

Плазменное осаждение (PECVD, ICPECVD)

Установка осаждения диэлектриков Depolab 200 (PECVD)

Установки плазменного осаждения диэлектриков Depolab 200 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) без вакуумного загрузочного шлюза.

Обработка пластин диаметром до 200 мм.

  • Процесс: PECVD
  • До 8 газовых линий
  • Программное обеспечение SENTECH Software
  • OES

Установки плазменного осаждения диэлектриков Depolab 200 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) без вакуумного загрузочного шлюза.

Обработка пластин диаметром до 200 мм.

  • Процесс: PECVD
  • До 8 газовых линий
  • Программное обеспечение SENTECH Software
  • OES

Уже установлено в России и СНГ: 1 шт
Установка осаждения диэлектриков SI 500 PPD (PECVD)

Установки плазменного осаждения диэлектриков SI 500 PPD производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) c вакуумным загрузочным шлюзом.

Обработка пластин диаметром до 200 мм.
Вакуумный загрузочный шлюз
Процесс: PECVD
До 8 газовых линий
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия, in-situ эллипсометр 

Установки плазменного осаждения диэлектриков SI 500 PPD производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) c вакуумным загрузочным шлюзом.

Обработка пластин диаметром до 200 мм.
Вакуумный загрузочный шлюз
Процесс: PECVD
До 8 газовых линий
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия, in-situ эллипсометр 

Установка осаждения диэлектриков SI 500 D (ICPECVD)

Установки плазменного высокоскоростного осаждения диэлектриков в индуктивно-связанной плазме SI 500 D производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) c вакуумным загрузочным шлюзом.

Обработка пластин диаметром до 200 мм.
Источник индуктивно-связанной плазмы
Вакуумный загрузочный шлюз
Процесс: ICPECVD
До 16 газовых линий
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия, in-situ эллипсометр 
Подача жидких прекурсоров (TEOS)

Установки плазменного высокоскоростного осаждения диэлектриков в индуктивно-связанной плазме SI 500 D производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) c вакуумным загрузочным шлюзом.

Обработка пластин диаметром до 200 мм.
Источник индуктивно-связанной плазмы
Вакуумный загрузочный шлюз
Процесс: ICPECVD
До 16 газовых линий
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия, in-situ эллипсометр 
Подача жидких прекурсоров (TEOS)

Уже установлено в России и СНГ: 3 шт

Технология плазмохимического осаждения (PECVD или ICPECVD) - это метод формирования высококачественного тонкопленочного покрытия из газовой фазы, использующий плазменный разряд для разложения реакционного газа на активные радикалы.

В процессе плазмохимического осаждения реакционный газ, подаваемый в камеру-реактор, диссоциируется в разряде и образовавшиеся радикалы реагируют с поверхностью подложки и тем самым образуют тонкопленочное покрытие. Отличительной особенностью данного метода является относительно низкая температура процесса (КТ-400 С°), что положительно влияет на скорость процесса и ряд других параметров.

Плазмохимическое осаждение является функциональным и высококачественным методом осаждения с широким выбором материалов и возможностей по получаемым свойствам пленки. Основным применением данного метода является осаждение диэлектриков SiO2, Si3N4, и др. при производстве электронных компонентов и схем.

Для плазменного осаждения диэлектриков отлично подойдут установки производства SENTECH такие как Depolab 200 и SI 500 PPD, применяющиеся в НИОКР. Различается наличием вакуумного загрузочного шлюза. Для низкотемпературного плазма-химического осаждения диэлектриков специально разработана установка SI 500 D. Отличительной особенностью системы является плоский источник индуктивно связанной плазмы, электрод подложки с гелиевым охлаждением и динамической регулировкой температуры, а также высокоэффективная вакуумная система.