+7 (495) 909-89-53

THK-Ms - cистемы измерения геометрии пластин и стресса

измерение геометрии пластин

THK-Ms -полуавтоматиеские высокоточные и полностью автоматические системы для бесконтактного измерения геометрии и механических напряжений полупроводниковых пластин Si, GaAs, InP, Ge, SiC, Сапфира и др. Системы предназначены для контроля ключевых параметров, таких как толщина, плоскостность (TTV, Bow, Warp), прогиба и коробления, а также распределение напряжений в тонких пленках.

Измерение (карториование) на пластинах диаметром от 52 мм (2") до 300 мм (12") и толщиной до 2000 мкм.  

Особенности

  • Высокая точность – разрешение до 0,001 мкм для измерения толщины и 0,1 кПа для напряжений.
  • Широкий диапазон измерений – толщина от 20 мкм до 2000 мкм, напряжения от -5 ГПа до +5 ГПа.
  • Универсальность – совместимость с пластинами из Si, сапфира, GaAs, GaN, SiC и других материалов.
  • Автоматизация – поддержка 4, 6, 8 и 12 дюймовых пластин, несколько режимов сканирования (линейное, кросс, полная карта).
  • Программное обеспечение – удобный интерфейс, экспорт отчетов в PDF и Excel, база данных измерений.
  • Быстрая интеграция – поставка в течение 120 дней, установка и обучение за 7 рабочих дней.

Применение

Полупроводниковая промышленность – контроль качества кремниевых пластин.
Производство светодиодов (LED) – анализ напряжений в структурах GaN/SiC/Si.
Фотовольтаика – контроль геометрии солнечных элементов.

Характеристики

Диапазон измерения толщины пластин от 20 мкм до 2000 мкм
Среднее отклонение измерения толщины и TTV ±0.2μm
Разрешение

 0.001 мкм

Средняя воспроизводимость (повторяемость) измерения толщины и TTV

≤ 0.2 мкм

Среднее отклонение измерения прогиба и коробления  (BOW/WARP)

±0.25 мкм

Средняя воспроизводимость (повторяемость) измерения прогиба и коробления  (BOW/WARP)

≤ 0.2μm

Диапазон измерение стресаа пленки

(- 5 MPa) to 5 GPa

Подключение 220 В, 50 Гц

Запросить предложение можно по ссылке или направив нам письмо по адресу info@minateh.ru

Запросить предложение товара

THK-Ms - cистемы измерения геометрии пластин и стресса

Также Вас может заинтересовать
ATLAS 300 - Система измерения механических напряжений в тонких плёнках

ATLAS 300 - Система измерения механических напряжений в тонких плёнках. 

Приборы серии Atlas для измерения механических напряжений в тонких плёнках позволяют в автоматическом режиме измерять такие параметры, как профиль поверхности, высота прогиба, коробление, радиус кривизны и механические напряжения в тонких плёнках образцов пластин. Приборы предназначены для работы с тонкоплёночными материалами: вольфрамом, нитридом титана, алюминием, нитридом кремния и диоксидом кремния. В основе работы прибора лежит метод изгиба подложки: механические напряжения в тонких плёнках на поверхностях различных подложек измеряются бесконтактным высокоточным методом с применением уравнения Стони.

  • Поддержка пластин диаметром до 300 мм (12 дюймов)
  • Диапазон измерения механических напряжений плёнки: 1–10 000 МПа
  • Диапазон измерения радиуса кривизны: 2 - 33 км
  • Воспроизводимость измерения радиуса кривизны: <1% при 1σ (вогнутое зеркало с радиусом кривизны 20 м)
  • Погрешность измерения: ≤2% (вогнутое зеркало с радиусом кривизны 20 м)
  • Минимальный шаг сканирования: 0,1 мм

ATLAS 300 - Система измерения механических напряжений в тонких плёнках. 

Приборы серии Atlas для измерения механических напряжений в тонких плёнках позволяют в автоматическом режиме измерять такие параметры, как профиль поверхности, высота прогиба, коробление, радиус кривизны и механические напряжения в тонких плёнках образцов пластин. Приборы предназначены для работы с тонкоплёночными материалами: вольфрамом, нитридом титана, алюминием, нитридом кремния и диоксидом кремния. В основе работы прибора лежит метод изгиба подложки: механические напряжения в тонких плёнках на поверхностях различных подложек измеряются бесконтактным высокоточным методом с применением уравнения Стони.

  • Поддержка пластин диаметром до 300 мм (12 дюймов)
  • Диапазон измерения механических напряжений плёнки: 1–10 000 МПа
  • Диапазон измерения радиуса кривизны: 2 - 33 км
  • Воспроизводимость измерения радиуса кривизны: <1% при 1σ (вогнутое зеркало с радиусом кривизны 20 м)
  • Погрешность измерения: ≤2% (вогнутое зеркало с радиусом кривизны 20 м)
  • Минимальный шаг сканирования: 0,1 мм