Установка нанолитографии NanoFrazor Scholar производства HEIDELBERG INSTRUMENTS NANO (SwissLitho AG, Швейцария).
NanoFrazor Scholar - новейшая система NanoFrazor, доступная только с 2017 года. Начальный уровень NanoFrazor особенно подходит для академических исследовательских групп, которые ищут простой способ создания своих нанопаттеров или устройств с высоким разрешением.
NanoFrazor Scholar - это гибкая настольная литографическая система, которая занимает очень мало места. Установку можно даже поставить внутри перчаточного бокса, позволяя изготовить устройство или локальные модификации поверхности, не подвергая образец воздействию воздуха.
Максимальный размер образца (XYZ): 50 х 50 х 20 мм
Минимальный размер образца: 1 х 1 мм2
Pattering:
Минимальный размер письма : менее 20 нм.
Минимальный размер письма для Lines and spaces (half-pitch in resist)2: менее 30 нм.
Вертикальное (3D) разрешение3 (отличимый размер ступеньки): менее 3 нм
Скорость (линейная) создание паттерна (@50 nm размере пискселя): 0.5 мм/сек
Скорость (при размере пикселя 50 нм) создание паттерна : 500 мкм2/мин
Topography Imaging
Латеральное разрешение (topography feature size): менее 10 нм.
Вертикальное (imaging) разрешение (topography sensitivity): менее 0,2 нм
Imaging speed (@50 nm размере пискселя): 500 мкм2/мин
Imaging and writing field size: до 50 х 50 мкм
Точность совмещения: менее 50 нм
Установка нанолитографии NanoFrazor Scholar производства HEIDELBERG INSTRUMENTS NANO (SwissLitho AG, Швейцария).
NanoFrazor Scholar - новейшая система NanoFrazor, доступная только с 2017 года. Начальный уровень NanoFrazor особенно подходит для академических исследовательских групп, которые ищут простой способ создания своих нанопаттеров или устройств с высоким разрешением.
NanoFrazor Scholar - это гибкая настольная литографическая система, которая занимает очень мало места. Установку можно даже поставить внутри перчаточного бокса, позволяя изготовить устройство или локальные модификации поверхности, не подвергая образец воздействию воздуха.
Максимальный размер образца (XYZ): 50 х 50 х 20 мм
Минимальный размер образца: 1 х 1 мм2
Pattering:
Минимальный размер письма : менее 20 нм.
Минимальный размер письма для Lines and spaces (half-pitch in resist)2: менее 30 нм.
Вертикальное (3D) разрешение3 (отличимый размер ступеньки): менее 3 нм
Скорость (линейная) создание паттерна (@50 nm размере пискселя): 0.5 мм/сек
Скорость (при размере пикселя 50 нм) создание паттерна : 500 мкм2/мин
Topography Imaging
Латеральное разрешение (topography feature size): менее 10 нм.
Вертикальное (imaging) разрешение (topography sensitivity): менее 0,2 нм
Imaging speed (@50 nm размере пискселя): 500 мкм2/мин
Imaging and writing field size: до 50 х 50 мкм
Точность совмещения: менее 50 нм
Установка нанолитографии NanoFrazor Explore производства HEIDELBERG INSTRUMENTS NANO (SwissLitho AG, Швейцария).
NanoFrazor Explore - уникальная хорошо зарекомендовавшая себя система обеспечивает полную гибкость для обслуживания практически любого исследовательского приложения, которое требует четко определенных наноструктур.
Первая на рынке гибридная система нанолитографии объединяющая в себе 2 метода литографии: нано и микро (Mix&Match) в одной машине!
Максимальный размер образца (XYZ): 100 х 100 х 20 мм
Минимальный размер подложки: 1 х 1 мм2
Pattering (Thermal probe):
Минимальный размер элемента письма: 15 нм
Минимальный размер элемента для Lines and spaces (half-pitch)2: менее 25 нм.
Вертикальное (3D) разрешение3 (отличимый размер ступеньки): менее 2 нм
Скорость (линейная) создание паттерна (@50 nm размере пискселя): 1 мм/сек
Скорость создание паттерна (@50 nm размере пискселя): 1000 мкм2/мин
Точность совмещения (overlay accuracy): 25 нм
Pattering (лазерная литография, 405 нм):
Минимальный размер элемента письма: 600 нм
Минимальный размер элемента для Lines and spaces (half-pitch)2: менее 1000 нм.
Скорость (линейная) создание паттерна (@50 nm размере пискселя): 5 мм/сек
Скорость создание паттерна (@50 nm размере пискселя): 100 000 мкм2/мин
Точность совмещения (overlay accuracy): 100 нм
Topography Imaging
Латеральное разрешение (topography feature size): менее 10 нм.
Вертикальное (imaging) разрешение (topography sensitivity): менее 0,5 нм
Imaging speed (@50 nm размере пискселя): 1000 мкм/мин
Imaging and writing field size: до 60 х 60 мкм
Установка нанолитографии NanoFrazor Explore производства HEIDELBERG INSTRUMENTS NANO (SwissLitho AG, Швейцария).
NanoFrazor Explore - уникальная хорошо зарекомендовавшая себя система обеспечивает полную гибкость для обслуживания практически любого исследовательского приложения, которое требует четко определенных наноструктур.
Первая на рынке гибридная система нанолитографии объединяющая в себе 2 метода литографии: нано и микро (Mix&Match) в одной машине!
Максимальный размер образца (XYZ): 100 х 100 х 20 мм
Минимальный размер подложки: 1 х 1 мм2
Pattering (Thermal probe):
Минимальный размер элемента письма: 15 нм
Минимальный размер элемента для Lines and spaces (half-pitch)2: менее 25 нм.
Вертикальное (3D) разрешение3 (отличимый размер ступеньки): менее 2 нм
Скорость (линейная) создание паттерна (@50 nm размере пискселя): 1 мм/сек
Скорость создание паттерна (@50 nm размере пискселя): 1000 мкм2/мин
Точность совмещения (overlay accuracy): 25 нм
Pattering (лазерная литография, 405 нм):
Минимальный размер элемента письма: 600 нм
Минимальный размер элемента для Lines and spaces (half-pitch)2: менее 1000 нм.
Скорость (линейная) создание паттерна (@50 nm размере пискселя): 5 мм/сек
Скорость создание паттерна (@50 nm размере пискселя): 100 000 мкм2/мин
Точность совмещения (overlay accuracy): 100 нм
Topography Imaging
Латеральное разрешение (topography feature size): менее 10 нм.
Вертикальное (imaging) разрешение (topography sensitivity): менее 0,5 нм
Imaging speed (@50 nm размере пискселя): 1000 мкм/мин
Imaging and writing field size: до 60 х 60 мкм
Thermal Scanning Probe Lithography (t-SPL) - технология, лежащая в основе NanoFrazor, была изобретена в IBM Research в Цюрихе. Стандартный процесс представляет собой субстрактивный метод ("вычитания"), когда материал избирательно удаляется с поверхности нагретым кантилевером и может быть описан как «обратная 3D-печать в наномасштабе».
Анимация ниже иллюстрирует принцип создания паттерна в замедленном движении
Этот подход является безмассковой литографической технологией с прямой записью (direct writing). Специальный, термочувствительный резист перед нанесением рисунка наносится на поверхность образца. Затем нагретый ультра-острый наконечник используется для разложения и испарения резиста локально, тем самым создавая произвольную структуру резиста. Этот образец резиста затем может быть перенесен практически в любой другой материал посредством отрыва, травления, плакирования, формования и т. д.
Горизонтальное и вертикальное движение наконечника иглы кантилевера регулируется точно с помощью пьезоэлементов и быстрых электростатических отклонений кантилевера, позволяя получать суб-20 нм латеральное разрешение и суб-2 нм вертикальное разрешение. Нагретый резист (обычно полифталальдегид) разлагается на летучие молекулы, которые испаряются, оставляя крошечное отверстие в фоторезисте с той же геометрией, что и наконечник иглы контилевера. Глубина каждого отверстия точно определяется электростатическим изгибом кантилевера, позволяющим записывать трехмерные фигуры с непревзойденной точностью всего за один шаг. Испарение резиста происходит быстро (менее 2 мкс), что позволяет создавать паттерны при скоростях сканирования на скатах несколько мм/с.
Важным аспектом технологии является in-situ метрология в процессе формирования рисунка. С наконечником иглы кантилевера в холодном состоянии, топография каждой линии отображается с использованием встроенного датчика топографии в кантилевере. Измеренные отклонения суб-нм диапазоне от целевой глубины затем используются в качестве обратной связи для следующей линии рисунка. Таким образом, NanoFrazor может обеспечить точный и автономный контроль глубины паттерна. Этот новый подход к литографии, где написанная наноструктура постоянно измеряется во время формирования рисунка, обозначается как «Литография замкнутого цикла» (Closed Loop Lithography - CLL).
● MEMS
● Нанолитография и исследования
● Наномагниты
● Наноэлектроника
● Плазмоника
● Фотоника
● Квантовые компьютеры
● Полупроводники
● Безмасковое непосредственное формирование изображения
● Протопирование
● Наноимпринт штампы
Журнал по литографии "The Lithographer"
The Lithographer 2020 - Grayscale Issue (3D литография) 
The Lithographer 2020 - Quantum Issue (применения для кватовых вычислений)
ООО "Минатех"— Микро и нано технологии
Статьи
© Все права защищены
Россия, Москва, ул. Ткацкая, д.5с1.
тел./факс: +7 (495) 909-89-53 / +7 (495) 909-89-54
моб.тел.: +7 (926) 134-69-15
e-mail: info@minateh.ru
