+7 (495) 909-89-53

Установки атомно-слоевого осаждения SI ALD и SI ALD LL (Thermal ALD и PEALD)

Atomic Layer Deposition System ALD LL with ALD Real Time MonitorClose up view of direct loadPlasma enhanced Atomic Layer Deposition with loadlockglove box integrationClusterThermal ALD Al2O3 on 8“ wafer with uniformity of ± 1.2 %PEALD Al2O3 on 8“ wafer with very good uniformityNotable homogeneity by thermal ALD of Al2O3 on 4'' wafersExraordinary homogeneity by PEALD of Al2O3 on 4'' wafersAtomic Layer Deposition18 nm ALD Al2O3 (top) and 21 nm PEALD Al2O3 (bottom) showing very good conformality to 3D structures

Установки атомно-слоевого осаждения SI ALD и SI ALD LL для процессов атомно-слоевого осаждения (Thermal ALD и PEALD) производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) без/c вакуумным загрузочным шлюзом соотвественно.

Атомно-слоевое осаждение (ALD) - процесс осаждения очень тонких пленок с высокой однородностью и 3D структур слой за слоем. Высокоточный контроль толщины и свойств получаемых пленок обеспечивается добавлением прекурсоров в вакуумную камеру отдельными циклами в процессе осаждения. Термическое атомно-слоевое осаждение (Thermal Atomic Layer Deposition) и плазменно-стимулированное атомно-слоевое осаждение (PEALD - Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition) продвинутый метод расширяющий возможность ALD применением радикалов частиц газа вместо воды в качестве окислителя в процессе осаждения. 

Основанное на многолетнем успешном опыте разработки и производства систем PECVD и ICPECVD, включая запатентованный ICP источник в виде тройной планарной спиральной антенны (PTSA) компания SENTECH разрабатывает и производит и успешно продает ALD системы. Системы ALD позволяют реализовывать как режим термического так и плазменного стимулированного осаждения, а также использует эллипсометр от SENTECH для контроля осаждения в реальном времени (Real Time Monitor). SENTECH предлагает самые передовые и современные ультра быстрые in-situ эллипсометры для контроля роста осаждаемых слой за слоем пленок с использование как лазерного так и спектроскопических эллипсометров.  

Первая PEALD система была внедрена в лаборатории технического универсистетма Брауншвейга уже несколько лет назад для осаждения экстримально однородных и плотных тонких пленок таких как Al2O3, ZnO. Системы ALD от SENTECH показывают превосходные параметры по однородности и индексу преломления получаемых слоев.

Особенности

  • Обработка пластин диаметром до 200 
  • Осаждение электрода до 500 oC
  • Температура реактора до 150 oC
  • Процесс: термический ALD (Thermal ALD) и плазменный ALD (PEALD)
  • Держатели для пластин меньшего размера
  • Компактный дизайн и малая занимаемая площадь
  • Линии для подачи жидких и газобразных прекурсоров
  • ALD real time monitor 
  • in-situ эллипсометр (лазерный или спектроскоический) 
  • Кластерная конфигурация
  • Интергация в перчаточный бокс
Запросить брошюру в PDF

Характеристики


Модель установки SI ALD SI ALD LL
Диаметр обрабатываемых пластин до 200 мм 
Вакуумный загрузочный шлюз нет да
Реактор  AlMgSi 0.5 материал камеры
Фланцы для обзора и аналитики

Держатель пластин Пластины диаметром до 200 мм и меньшего размера: 6, 4, 3, 2 дюйма
Температура на держателе до 400 oC (опционально до 500 oC)
Температура реактора до 150 oC
Вакуумная система  Сухой насос Alcatel ADS 602 H (< 10-2 mbar)
Опционально: + турбина (< 10-5 mbar)
антикоррозионное исполнение
Кабинет подачи газов и прекурсоров Включает MFC и отсечные клапана
до 6 линий подачи прекурсоров
Плазменный истоник (опция) 
SI PEALD LL система 
CCP плазменный истоник для процесса PEALD
до 4 газовых линий (некоррозионных) или до 2-х коррозионных
RF питание 13.56 МГц, 300 Вт
Контроль SENTECH control software
Опции

- Дополнительные лини подачи прекурсоров (прямой впрыск или барботер)
- Дополнительные газовые линии для плазменного источника
- Линия подачи озона
- Лайнер для реатора (необходим для 500°C температуры подложки)
- Ловушка паров
- Автоматический отсечной клапан для управления временем подачи прекурсора в реактор
- Турбина Oerlikon Leybold Turbovac 151 C с отсечным клапаном (≤ 10-4 mbar)
-  Отсечной клапан между реактором и плазменным источником
- Вакууметры Пеннинга и Пирани
- Фланец для установки in-situ эллипсометра, угол 65deg 
- Перчаточный бокс
- Интеграция в ластер
- С to C
- Контейнер подачи прекурсоров с или без рубашки нагрева
- Теплообменник для охлаждения плазменного источника
- Теплообменник для охлаждения сухого фор насоса ADS 602 H

Запросить предложение можно по ссылке или направив нам письмо по адресу info@minateh.ru  

 

 

Новости

Все новости

Система плазменной очистки ATTO с нашего склада в Москве

Подробнее

Международная выставка испытательного и контрольно-измерительного оборудования Testing & Control

Подробнее

МИНАТЕХ начинает сотрудничество с немецким специалистом по метрологии SURAGUS

Подробнее

Новая установка безмасковой лазерной литографии DWL 66+

Подробнее

МИНАТЕХ начинает сотрудничество с немецкой компанией Accurion GmbH

Подробнее

Процесс совмещения на установках MLA от HIMT

Подробнее

Новый компактный 3D профилометр-конфокальный микроскоп S lynx от SENSOFAR

Подробнее

SENTECH анонсировал новую серию спектроскопических эллипсометров SENresearch 4.0.

Подробнее