Установки SILAYO для процессов атомно-слоевого осаждения (ICP ALD) производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) c вакуумным загрузочным шлюзом для оптических применений.
Установка специально разработана для оптических применений. Осаждение пленок с экстримально высокой однородностью - <1% (200мм). Создание 3D структур (3D осаждение с высокой однородностью).
Атомно-слоевое осаждение (ALD) - процесс осаждения очень тонких пленок с высокой однородностью и 3D структур слой за слоем. Высокоточный контроль толщины и свойств получаемых пленок обеспечивается добавлением прекурсоров в вакуумную камеру отдельными циклами в процессе осаждения. Плазменно-стимулированное атомно-слоевое осаждение (PEALD - Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition) с источником ICP (PTSA) делают возможным осаждение слоев для оптических применений с однородность <1% на пластине 200 мм.
Применение: оптические пленки: Al2O3, SiO2, TiO2, HfO2, TaO2, ZrO, Nb2O5 (фильтры, антиотражающие покрытия)
Однородность на пластине 200 мм:
SiO2 < 0.7%
TiO2 < 0.8%
Al2O3 <0.3%
| Модель установки | SILAYO |
|
| Диаметр обрабатываемых пластин | до 330 мм | |
| Высота обрабатываемых пластин | до 100 мм | |
| Вакуумный загрузочный шлюз | да | |
| Реактор | AlMgSi 0.5 материал камеры Фланцы для обзора и аналитики |
|
| Держатель пластин | Пластины диаметром до 330 мм и меньшего размера: 6, 4, 3, 2 дюйма Температура на держателе до 400 oC Температура стенок 150 oC |
|
| Вакуумная система | Фор насос 1700 м3/час Турбина (опционально) |
|
| Кабинет подачи газов и прекурсоров | Включает MFC и отсечные клапана до 9 линий подачи прекурсоров (4 стандартно, 5 опционально) до 9 газовых линий (3 стандартно, 6 опционально) |
|
| Плазменный истоник |
PTSA (Planar Triple Spiral Antenna) - ICP источник | |
| Контроль | SENTECH control software | |
| Опции |
- Real time monitor (высокоскоростной эллипсометр) |
|
Установки атомно-слоевого осаждения SI ALD и SI ALD LL для процессов атомно-слоевого осаждения (Thermal ALD и PEALD) производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) без/c вакуумным загрузочным шлюзом соотвественно.
Атомно-слоевое осаждение (ALD) - процесс осаждения очень тонких пленок с высокой однородностью и 3D структур слой за слоем. Высокоточный контроль толщины и свойств получаемых пленок обеспечивается добавлением прекурсоров в вакуумную камеру отдельными циклами в процессе осаждения. Термическое атомно-слоевое осаждение (Thermal Atomic Layer Deposition) и плазменно-стимулированное атомно-слоевое осаждение (PEALD - Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition) продвинутый метод расширяющий возможность ALD применением радикалов частиц газа вместо воды в качестве окислителя в процессе осаждения.
Обработка пластин диаметром до 200 мм.
Температура процесса: до 500 oC
Источник плазмы PE (опция)
Вакуумный загрузочный шлюз (для SI ALD LL)
Процесс: термический ALD (Thermal ALD) и плазменный ALD (PEALD)
Программное обеспечение SENTECH Software
ALD real time monitor
in-situ эллипсометр (лазерный или спектроскоический)
Кластерная конфигурация
Интергация в перчаточный бокс
Установки атомно-слоевого осаждения SI ALD и SI ALD LL для процессов атомно-слоевого осаждения (Thermal ALD и PEALD) производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) без/c вакуумным загрузочным шлюзом соотвественно.
Атомно-слоевое осаждение (ALD) - процесс осаждения очень тонких пленок с высокой однородностью и 3D структур слой за слоем. Высокоточный контроль толщины и свойств получаемых пленок обеспечивается добавлением прекурсоров в вакуумную камеру отдельными циклами в процессе осаждения. Термическое атомно-слоевое осаждение (Thermal Atomic Layer Deposition) и плазменно-стимулированное атомно-слоевое осаждение (PEALD - Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition) продвинутый метод расширяющий возможность ALD применением радикалов частиц газа вместо воды в качестве окислителя в процессе осаждения.
Обработка пластин диаметром до 200 мм.
Температура процесса: до 500 oC
Источник плазмы PE (опция)
Вакуумный загрузочный шлюз (для SI ALD LL)
Процесс: термический ALD (Thermal ALD) и плазменный ALD (PEALD)
Программное обеспечение SENTECH Software
ALD real time monitor
in-situ эллипсометр (лазерный или спектроскоический)
Кластерная конфигурация
Интергация в перчаточный бокс
ООО "Минатех"— Микро и нано технологии
Статьи
© Все права защищены
Россия, Москва, ул. Ткацкая, д.5с1.
тел./факс: +7 (495) 909-89-53 / +7 (495) 909-89-54
моб.тел.: +7 (926) 134-69-15
e-mail: info@minateh.ru
