EMPro - новейший лазерный (сканирующий) эллипсометр производства Beijing Ellitop Scientific Co.Ltd (Китай) с возможностью проведения измерений пленок под различными углами разработан для высокоточного измерения толщины и оптических характеристик пленочных структур (коэффициент преломления, показатель поглащения) на различных типах поверхностей. Измерение нанопленок.
Длина волны - 632,8 нм
Диапазон измерения толщины пленк: 1 нм до 6000 нм.
Применение: Измерение толщины и коэффициента преломления единичных слоев или двухслойных пленок (с известными параметрами подслоя) в производстве или лаборатории.
Высокая стабильность и точность при измерении с источником света (HeNe лазер, 632,8 нм.), термостабилизированный компенсатор, управление поляризатором, детектор сверх низких шумов.
Высокая точность выравнивания образца (регулировка по высоте и углу наклона) с помощью автоколлиматического телескопа (АСТ).
Полностью интегрированная поддержка для многоугловых измерений с продвинутым программным обеспечением ELLITOP.
Программное обеспечение Ellitop для проведения эллипсометрических измерений, включающее в себя библиотеку приложений
n, k массивного материала
толщина монослоев
толщина и индекс преломления монослоев
толщина и индекс преломления верхнего слоя двойного слоя
заданные эллипсометрические приложения
- 30 мкм микроспот (фокусировка пятна)
- Столик с ручной регулировкой x-y (перемещение - 200 мм) для картирования (mapping)
- Моторизованные столики с компьютерным управлением для обрацов диаметром до 200 мм и перемещением с высокой точностью для меппинга (картирования)
- Видеокамера для выравнивания образца взамен окуляра с выводом изображения и РС.
- Жидкостная ячейка
- Автофокусировка в комбинации с моторизованным столиком для выравнивания образцов
- ПО для иммитационного моделирования (SIMULATION Software)
- Установка для измерений пленок на кристаллическом кремнии (текстурированном)
| Источник и длина волны | 632,8 нм HeNe лазер (< 1 мВт) |
| Точность измерения ψ и ∆: | 0,002о , 0,002о |
| Точность измерения толщины пленки: |
0,01 нм на 100 нм SiO2на Si |
| Точность измерения индекса преломления: | 5х10-4 на 100 нм SiO2 наSi |
| Диапазон измерений для прозрачных пленок: | до 6000 нм |
| Диапазон измерений для слабоабсорбирующих слоев(полисиликон): | до 2000 нм. |
| Время измерения | 0.8с (зависит от режима измерений) |
| Диаметр светового пятна | менее 1 мм |
| Угол падения луча света | Ручной гониометр 40 – 90о, шаг установки 5о |
| Выравнивание образца, фокусировка | Автоколлиматический телескоп (АСТ) |
| Столик образцов | для пластин до 200мм, +- 6.5 мм |
Спектроскопические (спетральные) рефлектометры моделей RM 1000 и RM 2000 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) для исследований и производства. Применяются для измерения прозрачных, плохо абсорбирующих пленок на отражающих, прозрачных и абсорбирующих образцах спектроскопическим методом, основанном на преломлении белого света.
Измерене показателя преломления и толщины пленок на различных типах поверхностей. В том числе рутинные измерения в изготовлении изделий микроэлектроники (измерения толщины резистов, окислов и т.п)
Спектральный диапазон:
RM 1000: 410-1000 нм.
RM 2000: 200 - 1000 нм.
Спектроскопические (спетральные) рефлектометры моделей RM 1000 и RM 2000 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) для исследований и производства. Применяются для измерения прозрачных, плохо абсорбирующих пленок на отражающих, прозрачных и абсорбирующих образцах спектроскопическим методом, основанном на преломлении белого света.
Измерене показателя преломления и толщины пленок на различных типах поверхностей. В том числе рутинные измерения в изготовлении изделий микроэлектроники (измерения толщины резистов, окислов и т.п)
Спектральный диапазон:
RM 1000: 410-1000 нм.
RM 2000: 200 - 1000 нм.
Лазерные и спекроскопические эллипсометры серии PV производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) для измерения в фотовольтаике. Приборы с возможностью проведения измерений пленок под различными углами разработаны для высокоточного измерения толщины и оптических характеристик просветляющих покрытий (коэффициент преломления, показатель поглащения) на поли- и монокристаллическом кремнии (on solar cell). Особенно SiNx на текстурированном кремнии, а также пассивирующие слои SiO2 и Al2O3.
Лазерные и спекроскопические эллипсометры серии PV производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) для измерения в фотовольтаике. Приборы с возможностью проведения измерений пленок под различными углами разработаны для высокоточного измерения толщины и оптических характеристик просветляющих покрытий (коэффициент преломления, показатель поглащения) на поли- и монокристаллическом кремнии (on solar cell). Особенно SiNx на текстурированном кремнии, а также пассивирующие слои SiO2 и Al2O3.
Спектроскопические (спетральные) эллипсометры производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) для исследований и производства. В зависимости от модели, работающие в диапазоне от DUV-VIS-NIR-IR (190-25000 нм). Приборы с возможностью проведения измерений пленок под различными углами разработаны для высокоточного измерения толщины и оптических характеристик однослойных и многослойных пленок и пленочных структур (коэффициент преломления, показатель поглащения и др.) на различных типах поверхностей.
Спектроскопические (спетральные) эллипсометры производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) для исследований и производства. В зависимости от модели, работающие в диапазоне от DUV-VIS-NIR-IR (190-25000 нм). Приборы с возможностью проведения измерений пленок под различными углами разработаны для высокоточного измерения толщины и оптических характеристик однослойных и многослойных пленок и пленочных структур (коэффициент преломления, показатель поглащения и др.) на различных типах поверхностей.
ООО "Минатех"— Микро и нано технологии
Статьи
© Все права защищены
Россия, Москва, ул. Ткацкая, д.5с1.
тел./факс: +7 (495) 909-89-53 / +7 (495) 909-89-54
моб.тел.: +7 (926) 134-69-15
e-mail: info@minateh.ru
