Настольная установка безмаскового совмещения и экспонирования модели µMLA производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
Установки бесмаскового совмещения и экспонирования серии MLA (Maskless Aligners) - это высокопроизводительные системы прямого экспонирования специально разработанные для процессов совмещения и экспонирования без использования фотошаблонов (масок). Установки предлагают все возможности традиционной технологии совмещения и экспонирования для однослойных и многослойных применений и даже дают возможность преодолеть некоторые из ограничений фотошаблонной технологии. Установки MLA позволят избавиться от потребности в фотошаблонах и сокращает цикл производства, что существенно сокращает затраты на производство или исследования.
Установка безмасковой литографии μMLA представляет собой новое поколение настольных установок лазерной безмасковой литографии: позволяет точно подбирать режим экспонирования исходя из ваших задач, включает модуль растрового экспонирования с возможностью выбора пищущей линзы и разрешения, модуль векторного экспонирования или оба модуля одновременно в одной машине.
µMLA приходит на смену уже зарекомендовавшим себя установкам mPG 101, а также является приемником установки MLA100 и «младшим братом» продвинутой системы безмасковой литографии MLA 150 и будет надежной и незаменимой «рабочей лошадкой» для мелкосерийных производств, лабораторий и институтов.
При разработке совершенно новой системы µMLA были введены новые функции, такие как переменное разрешение (например, с линзы 1 мкм вы можете писать элементы с мин топологическим размером и 2 мкм и 4 мкм, тем самым значительно повышая скорость) и была создана гибкая и легко настраиваемая система. Оптимизирована возможность работы с небольшими образцами и кусочками. Опираясь на наш многолетний опыт, µMLA включает в себя все лучшее, что было в наших предыдущих настольных системах, предлагая больше вариантов и более высокую производительность, чем когда-либо прежде.
Система прекрасно найдет применение в таких областях как МЭМС, микрофлюидика, микрооптика и других областях, где требуется недорогой, компактный и мощный генератор изображения для создания микроструктур.
Применение установки µMLA: медицина, MEMS, микрофлюидика, микрооптика, полупроводники, сенсоры, датчики, MOEMS, исследование материалов, нанотрубки, графены и др.
Система может быть оснащена либо LED источником, работающим на длине волны 390 нм с мощностью 10 Вт, либо UV LED источником работающим на длине волны 365 нм с мощностью 10 Вт. Иточники устанавливаются в зависимости от применения. Также для режима вектороного экспонирования можно установить до двух лазерных источников с длиной волны 405 и/или 375 нм.
| Режим работы | WM I | WM II | WM III | |
| Параметры экспонирования для растрового и вектороного режимов экспонироавния | ||||
| Минимальный размер элемента топологии, мкм | 0,6 | 1,0 | 3,0 | |
| Минимальный размер линии для переодической структуры [half pitch, мкм] | 0,8 | 1,5 | 3,0 | |
| Точность совмещения для области 5x5 мм² [3σ, нм]) | 500 | 500 | 1000 | |
| Точность совмещения для области 50x50 мм² [3σ, нм]) | 1000 | 1000 | 2000 | |
| Параметры экспонирования для растрового режима экспонироавния | ||||
| Равномерность ширины линии (3σ), нм | 200 | 300 | 400 | |
| Скорость экспонирования, мм2/мин | 10 | 30 | 130 | |
|
Скорость экспонирования с опцией "Переменное разрешение для растрового модуля экспонирования, |
10 мм2/мин |
30 мм2/мин при 1,0 мкм |
130 мм2/мин при 3,0 мкм |
|
| 20 мм2/мин при 1,0 мкм |
60 мм2/мин при 2,0 мкм |
160 мм2/мин при 4,0 мкм |
||
| 25 мм2/мин при 2,0 мкм |
100 мм2/мин при 4,0 мкм |
300 мм2/мин при 6,0 мкм |
||
| Параметры экспонирования для векторного режима экспонироавния | ||||
| Размер адресной сетки в векторном режиме, нм | 20 | |||
| Неровность края (3σ), нм | 30 | 50 | 80 | |
| Равномерность ширины линии (3σ), нм | 70 | 80 | 130 | |
| Максимальная линейная скорость экспонирования, мм/сек | 200 | |||
| Спецификация системы | ||||
| Максимальный размер подложки | 5" х 5" | |||
| Минимальный размер подложки | 5 мм х 5 мм | |||
| Тольщина подложек | 0,1 - 12 мм | |||
| Максимальная область экспонирования | 150 мм х 150 мм | |||
| Модуль растрового экспонирования | Модуль векторного экспонирования | |||
| Источники экспонирования | LED: 390 нм или 365 нм | Лазер: 405 нм и/или 375 нм | ||
| Размеры системы | ||||
| µMLA система | Ширина | Глубина | Высота | Вес |
| Основная система | 630 мм | 800 мм | 530 мм | 100 кг |
| Опционально с антивибрационным столом и столиком для ПК | 1400 мм | 700 мм | 750 мм | 350 кг |
| Требования к подключению | ||||
| Электропитание | 230 В ± 5%, 50/60 Гц, 16A | |||
| Сжатый воздух | 6 - 10 bar, стабильность± 0.5 bar | |||
Обновленные установки безмасковой лазерной литографии (генератор изображения) модели VPG+ 200 / VPG+ 400 производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
VPG+ - High Speed Pattern Generators. Установки для серийного производства.
Теперь установки VPG+ стали в почти 3 раза быстрее чем предудущая сери установок VPG.
Предназначены для задач производств крупных серий. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики.
Минимальый топологический размер 0,75 мкм.
Сменные пишущие головки на 0,75 мкм, 1,0 мкм, 2,0 мкм, 4,0 мкм.
Скорость письма от 970 до 13500 мм2/мин в зависимости от выбора пишущей линзы и модели.
Размер шаблонов или пластин до 9 х 9 дюймов и 17 х 17 дюймов (для VPG+ 200/VPG+ 400)
Область экспонирования до 200 х 200 мм2 и 400 х 400 мм2 (для VPG+ 200/VPG+ 400)
Растровое (бинарное) экспонирование, оптический автофокус в дополнение с пневматическому.
Обновленные установки безмасковой лазерной литографии (генератор изображения) модели VPG+ 200 / VPG+ 400 производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
VPG+ - High Speed Pattern Generators. Установки для серийного производства.
Теперь установки VPG+ стали в почти 3 раза быстрее чем предудущая сери установок VPG.
Предназначены для задач производств крупных серий. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики.
Минимальый топологический размер 0,75 мкм.
Сменные пишущие головки на 0,75 мкм, 1,0 мкм, 2,0 мкм, 4,0 мкм.
Скорость письма от 970 до 13500 мм2/мин в зависимости от выбора пишущей линзы и модели.
Размер шаблонов или пластин до 9 х 9 дюймов и 17 х 17 дюймов (для VPG+ 200/VPG+ 400)
Область экспонирования до 200 х 200 мм2 и 400 х 400 мм2 (для VPG+ 200/VPG+ 400)
Растровое (бинарное) экспонирование, оптический автофокус в дополнение с пневматическому.
Установка безмаскового совмещения и экспонирования модели MLA150 производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
Новое поколение систем прямого экспонирования - установка MLA150 объединяет в себе легкость использования и высокую точность совмещения и высокую производительность. Предназначена для решения задач, требующих высокой производительности в производстве, а также задачи исследования, НИОКР.
Экспонирование по фоторезсту или фотоэмульсии.
Минимальный топологический размер 0,6 мкм (WM I) или 1 мкм (WM II).
Размер шаблонов или пластин до 9 х 9 дюймов.
Область экспонирования до 150 х 150 мм. или до Ø150 мм (до 200 х 200 опционально)
Точность совмещения (100x100 мм² [3sigma, нм]) - 500 нм.
Время экспонирования области 100х100 мм² - 9 минут (мин. топология 1 мкм).
Обратное совмещение (BSA) - опция.
Серая шкала - опция
Оптический автофокус - опция
Режим с высоким аспектным отношением - опция
Автоматическое совмещения по реперам на каждом из чипов - опция
Возможность установки двух источников - 405 нм и 375 нм.
Установка безмаскового совмещения и экспонирования модели MLA150 производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
Новое поколение систем прямого экспонирования - установка MLA150 объединяет в себе легкость использования и высокую точность совмещения и высокую производительность. Предназначена для решения задач, требующих высокой производительности в производстве, а также задачи исследования, НИОКР.
Экспонирование по фоторезсту или фотоэмульсии.
Минимальный топологический размер 0,6 мкм (WM I) или 1 мкм (WM II).
Размер шаблонов или пластин до 9 х 9 дюймов.
Область экспонирования до 150 х 150 мм. или до Ø150 мм (до 200 х 200 опционально)
Точность совмещения (100x100 мм² [3sigma, нм]) - 500 нм.
Время экспонирования области 100х100 мм² - 9 минут (мин. топология 1 мкм).
Обратное совмещение (BSA) - опция.
Серая шкала - опция
Оптический автофокус - опция
Режим с высоким аспектным отношением - опция
Автоматическое совмещения по реперам на каждом из чипов - опция
Возможность установки двух источников - 405 нм и 375 нм.
Установки безмасковой лазерной литографии высокого разрешения (генератор изображения) модели DWL 2000 / DWL 4000 производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
Предназначена для задач производств крупных серий. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.
Минимальый топологический размер 0,5 мкм.
Сменные пишущие головки на 0,5 мкм, 0,7 мкм, 0,8 мкм, 1,3 мкм.
Скорость письма от 29 до 340 мм2/мин в зависимости от выбора пишущей линзы.
Размер шаблонов или пластин до 9 х 9 дюймов и 17 х 17 дюймов (для DWL 2000/DWL 4000)
Область экспонирования до 200 х 200 мм2 и 400 х 400 мм2 (для DWL 2000/DWL 4000)
Растровое (бинарное) экспонирование, векторное экспонирование (Vector Exposure Mode) и 3D экспонирование для режима полутоновой шкалы экспонирования (Advanced and Professional Gray Scale Exposure Mode), оптический автофокус в дополнение с пневматическому.
Установки безмасковой лазерной литографии высокого разрешения (генератор изображения) модели DWL 2000 / DWL 4000 производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
Предназначена для задач производств крупных серий. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.
Минимальый топологический размер 0,5 мкм.
Сменные пишущие головки на 0,5 мкм, 0,7 мкм, 0,8 мкм, 1,3 мкм.
Скорость письма от 29 до 340 мм2/мин в зависимости от выбора пишущей линзы.
Размер шаблонов или пластин до 9 х 9 дюймов и 17 х 17 дюймов (для DWL 2000/DWL 4000)
Область экспонирования до 200 х 200 мм2 и 400 х 400 мм2 (для DWL 2000/DWL 4000)
Растровое (бинарное) экспонирование, векторное экспонирование (Vector Exposure Mode) и 3D экспонирование для режима полутоновой шкалы экспонирования (Advanced and Professional Gray Scale Exposure Mode), оптический автофокус в дополнение с пневматическому.
ООО "Минатех"— Микро и нано технологии
Статьи
© Все права защищены
Россия, Москва, ул. Ткацкая, д.5с1.
тел./факс: +7 (495) 909-89-53 / +7 (495) 909-89-54
моб.тел.: +7 (926) 134-69-15
e-mail: info@minateh.ru
