.jpg "Лазерный литограф для производства")
Установки безмасковой лазерной литографии высокого разрешения (генератор изображения) модели DWL 2000 / DWL 4000 производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
Высокопроизводительные лазерные устновки лазерной литографи (генераторы изображения) DWL DWL 2000 и DWL 4000 предназначены для задач производств крупных серий для ормирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.
Для обеспечения высокоточного перемещения подложки генератор оборудован специальной оптической системой и системой позиционирования подложки. Во время экспонирования положение координатного столика контролируется с помощью интерферометрической системы высокого разрешения. Оптическая ситема смонтрована на тяжелом гранитном основании.
Камера микроклимата, с помощью которой подверживется стабильная температура в камере литографа для достижения наилучшх результатов, точности и стабильности параметров.
Для обеспечения наилучшей разрешающей способности генератор оборудован системой автофокусировки с подстройкой пьезомодулем и системой модуляции луча с помощью акусто-оптического модулятора.
В базовой комплектации система оснащена диодным лазером, работающим на длине волны 405 нм, (100 мВт или больше по запросу). В зависимости от технических требований заказчика установка может быть оснащена Kr-ion лазером (413 нм, 300 мВт).
Генератор может быть снабжён автоматической системой загрузки пластин (из кассеты в кассету), возможна загрузка пластин диаметром 200 мм или размером 178 х 178 мм.
Установку можно оснастить сменными пишущими линзами с минимальным размером элемента 0,5 мкм, 0,7 мкм и 0,8 мкм и 1,3 мкм соответствено (по выбору). Пишущие головки сменные и могут меняться оператором при смене процесса.
Опции: оптический автофокус (дополнительно к пневматческой системе автофокусировки), режим вектороного экспонирования, продвинутый или профессиональный режим 3D экспонирование для полутоновой шкалы экспонирования (Advanced и Professional Gray Scale Exposure Mode).
Сменные пишущие линзы (головы) на 0,5 мкм, 0,7 мкм, 0,8 мкм, 1,3 мкм.
Источники излучения: Диодный лазер — 405 нм, 100 мВт, 5000 часов, воздушное охлаждение (для тонких и стандартных резистов), Kr-ion лазер (413 нм, 300 мВт)
Размер обрабатываемых подложек и пластин до 9 х 9 и 17 х 17 дюймов
Толщина подложки до 6 мм
| Режим работы | I | II | III | IV |
| Размер адресной сетки, нм | 5 | 10 | 12,5 | 25 |
| Минимальный размер элемента, мкм | 0,5 | 0,7 | 0,8 | 1,3 |
| Скорость экспонирования с диодным лазером (рисования), мм2/мин | 29 | 110 | - | - |
| Скорость экспонирования с Kr-ion (рисования), мм2/мин | 29 | 110 | 170 | 340 |
| Неровность края (3σ), нм | 40 | 50 | 60 | 80 |
| Равномерность линии (3σ), нм | 60 | 80 | 90 | 120 |
|
Точность совмещения (3σ), нм (Overlay accuracy (3σ), nm) |
160 | 200 | 225 | 350 |
|
Alignment measurement accuracy (3σ), нм |
60 | 70 | 90 | 140 |
Новая установка безмасковой лазерной литографии (генератор изображения) модели DWL 66+ производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
Установка безмасковой лазерной литографии (генератор изображения) модели DWL 66+ предназначена для задач НИОКР, мелкой серии, опытное производство. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.
Экспонирование по фоторезсту или фотоэмульсии.
Минимальый топологический размер 0,3 мкм. (300 нм)
Сменные пишущие головки на 0,3 мкм, 0,6 мкм, 0,8 мкм, 1 мкм, 2 мкм, 4 мкм.
Скорость письма от 3 до 2000 мм2/мин в зависимости от выбора пишущей линзы.
Размер шаблонов или пластин до 9 х 9 дюймов
Область экспонирования до 200 х 200 мм.
Толщина подложки до 12 мм.
Точность совмещения до 0,35 мкм
Растровое (бинарное) экспонирование, векторное экспонирование (Vector Exposure Mode) и 3D экспонирование для режима полутоновой шкалы экспонирования (Advanced and Professional Gray Scale Exposure Mode), обратное совмещение (BSA), оптический автофокус в дополнение с пневматическому, режим экспонирования с высоким разрешением (размер элемента до 0,3 мкм), кассетная загрузка для пластин (до 8 дюймов) или шаблонов (до 7х7 дюймов) - cassette to cassette station (до 2-ух кассетных модулей).
Новая установка безмасковой лазерной литографии (генератор изображения) модели DWL 66+ производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
Установка безмасковой лазерной литографии (генератор изображения) модели DWL 66+ предназначена для задач НИОКР, мелкой серии, опытное производство. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.
Экспонирование по фоторезсту или фотоэмульсии.
Минимальый топологический размер 0,3 мкм. (300 нм)
Сменные пишущие головки на 0,3 мкм, 0,6 мкм, 0,8 мкм, 1 мкм, 2 мкм, 4 мкм.
Скорость письма от 3 до 2000 мм2/мин в зависимости от выбора пишущей линзы.
Размер шаблонов или пластин до 9 х 9 дюймов
Область экспонирования до 200 х 200 мм.
Толщина подложки до 12 мм.
Точность совмещения до 0,35 мкм
Растровое (бинарное) экспонирование, векторное экспонирование (Vector Exposure Mode) и 3D экспонирование для режима полутоновой шкалы экспонирования (Advanced and Professional Gray Scale Exposure Mode), обратное совмещение (BSA), оптический автофокус в дополнение с пневматическому, режим экспонирования с высоким разрешением (размер элемента до 0,3 мкм), кассетная загрузка для пластин (до 8 дюймов) или шаблонов (до 7х7 дюймов) - cassette to cassette station (до 2-ух кассетных модулей).
Настольная установка безмаскового совмещения и экспонирования модели µMLA производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
µMLA предназначена для решения задач, не требующих очень высокой производительности - лабораторные исследования, НИОКР, опытное производство и др. Высокая производительность, малая занимаемая площадь, низкая стоимость использования.
Установка μMLA представляет собой новое поколение настольных установок лазерной безмасковой литографии: позволяет точно подбирать режим экспонирования исходя из ваших задач, включает модуль растрового экспонирования с возможностью выбора пищущей линзы и разрешения, модуль векторного экспонирования или оба модуля одновременно в одной машине.
Экспонирование по фоторезсту или фотоэмульсии.
Минимальный топологический размер до 0,6 мкм.
Максимальный размер шаблонов или пластин до 5 х 5 дюймов
Минимальный размер пластин: 5 х 5 мм
Область экспонирования до 150 х 150 мм
Точность совмещения (50x50 мм² [3σ, нм]) - 1000 нм.
Точность совмещения (5x5 мм² [3σ, нм]) - 500 нм.
Скорость экспонирования до 300 мм2/мин.
Растровое (бинарное) экспонирование, вектороное экспонирование и 3D экспонирование для режима полутоновой шкалы экспонирования (Basic Gray Scale Exposure Mode).
Настольная установка безмаскового совмещения и экспонирования модели µMLA производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
µMLA предназначена для решения задач, не требующих очень высокой производительности - лабораторные исследования, НИОКР, опытное производство и др. Высокая производительность, малая занимаемая площадь, низкая стоимость использования.
Установка μMLA представляет собой новое поколение настольных установок лазерной безмасковой литографии: позволяет точно подбирать режим экспонирования исходя из ваших задач, включает модуль растрового экспонирования с возможностью выбора пищущей линзы и разрешения, модуль векторного экспонирования или оба модуля одновременно в одной машине.
Экспонирование по фоторезсту или фотоэмульсии.
Минимальный топологический размер до 0,6 мкм.
Максимальный размер шаблонов или пластин до 5 х 5 дюймов
Минимальный размер пластин: 5 х 5 мм
Область экспонирования до 150 х 150 мм
Точность совмещения (50x50 мм² [3σ, нм]) - 1000 нм.
Точность совмещения (5x5 мм² [3σ, нм]) - 500 нм.
Скорость экспонирования до 300 мм2/мин.
Растровое (бинарное) экспонирование, вектороное экспонирование и 3D экспонирование для режима полутоновой шкалы экспонирования (Basic Gray Scale Exposure Mode).
Промышленная установка безмаскового совмещения и экспонирования для промышленности модели MLA300 для серийного производства производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
MLA300 предназначена для решения задач, требующих высокой производительности и может заменить вашу автоматическую установку совмещения и экспонирования на производстве.
MLA300 автоматизирована и оснащена роботом-загрузчиком и портами загрузки, а также программное обеспечение, специально разработанное для производственной среды и предлагающее упрощенный автоматизированный рабочий процесс.
Преимущества установки в стоимости владения и отсутствии фотошаблонного хозяйства на производстве.
Минимальный топологический размер до 1,5 мкм.
Минимальный размер линии для переодической структуры [half pitch, мкм] - 2,0 мкм
Область экспонирования до 300 х 300 мм
Точность совмещения, [3σ, нм] - 500 нм.
Точность совмещения по обратной стороне - BSA, [3σ, нм] - 1000 нм.
Скорость экспонирования 5000 мм2/мин на длине волны 405 нм и одним модулем экспонирования
Автофокус в реальном времени
Совмещение по верхней и нижней стороне пластины
Контроль климата
Источники 405 и/или 375 нм
Промышленная установка безмаскового совмещения и экспонирования для промышленности модели MLA300 для серийного производства производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия).
MLA300 предназначена для решения задач, требующих высокой производительности и может заменить вашу автоматическую установку совмещения и экспонирования на производстве.
MLA300 автоматизирована и оснащена роботом-загрузчиком и портами загрузки, а также программное обеспечение, специально разработанное для производственной среды и предлагающее упрощенный автоматизированный рабочий процесс.
Преимущества установки в стоимости владения и отсутствии фотошаблонного хозяйства на производстве.
Минимальный топологический размер до 1,5 мкм.
Минимальный размер линии для переодической структуры [half pitch, мкм] - 2,0 мкм
Область экспонирования до 300 х 300 мм
Точность совмещения, [3σ, нм] - 500 нм.
Точность совмещения по обратной стороне - BSA, [3σ, нм] - 1000 нм.
Скорость экспонирования 5000 мм2/мин на длине волны 405 нм и одним модулем экспонирования
Автофокус в реальном времени
Совмещение по верхней и нижней стороне пластины
Контроль климата
Источники 405 и/или 375 нм
ООО "Минатех"— Микро и нано технологии
Статьи
© Все права защищены
Россия, Москва, ул. Ткацкая, д.5с1.
тел./факс: +7 (495) 909-89-53 / +7 (495) 909-89-54
моб.тел.: +7 (926) 134-69-15
e-mail: info@minateh.ru
