Установки атомно-слоевого осаждения SI ALD и SI ALD LL для процессов атомно-слоевого осаждения (Thermal ALD и PEALD) производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) без/c вакуумным загрузочным шлюзом соотвественно.
Атомно-слоевое осаждение (ALD) - процесс осаждения очень тонких пленок с высокой однородностью и 3D структур слой за слоем. Высокоточный контроль толщины и свойств получаемых пленок обеспечивается добавлением прекурсоров в вакуумную камеру отдельными циклами в процессе осаждения. Термическое атомно-слоевое осаждение (Thermal Atomic Layer Deposition) и плазменно-стимулированное атомно-слоевое осаждение (PEALD - Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition) продвинутый метод расширяющий возможность ALD применением радикалов частиц газа вместо воды в качестве окислителя в процессе осаждения.
Обработка пластин диаметром до 200 мм.
Температура процесса: до 500 oC
Источник плазмы PE (опция)
Вакуумный загрузочный шлюз (для SI ALD LL)
Процесс: термический ALD (Thermal ALD) и плазменный ALD (PEALD)
Программное обеспечение SENTECH Software
ALD real time monitor
in-situ эллипсометр (лазерный или спектроскоический)
Кластерная конфигурация
Интергация в перчаточный бокс
Установки атомно-слоевого осаждения SI ALD и SI ALD LL для процессов атомно-слоевого осаждения (Thermal ALD и PEALD) производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) без/c вакуумным загрузочным шлюзом соотвественно.
Атомно-слоевое осаждение (ALD) - процесс осаждения очень тонких пленок с высокой однородностью и 3D структур слой за слоем. Высокоточный контроль толщины и свойств получаемых пленок обеспечивается добавлением прекурсоров в вакуумную камеру отдельными циклами в процессе осаждения. Термическое атомно-слоевое осаждение (Thermal Atomic Layer Deposition) и плазменно-стимулированное атомно-слоевое осаждение (PEALD - Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition) продвинутый метод расширяющий возможность ALD применением радикалов частиц газа вместо воды в качестве окислителя в процессе осаждения.
Обработка пластин диаметром до 200 мм.
Температура процесса: до 500 oC
Источник плазмы PE (опция)
Вакуумный загрузочный шлюз (для SI ALD LL)
Процесс: термический ALD (Thermal ALD) и плазменный ALD (PEALD)
Программное обеспечение SENTECH Software
ALD real time monitor
in-situ эллипсометр (лазерный или спектроскоический)
Кластерная конфигурация
Интергация в перчаточный бокс
Установки SILAYO для процессов атомно-слоевого осаждения (ICP ALD) производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) c вакуумным загрузочным шлюзом для оптических применений.
Установка специально разработана для оптических применений. Осаждение пленок с экстримально высокой однородностью - <1% (200мм).
Атомно-слоевое осаждение (ALD) - процесс осаждения очень тонких пленок с высокой однородностью и 3D структур слой за слоем. Высокоточный контроль толщины и свойств получаемых пленок обеспечивается добавлением прекурсоров в вакуумную камеру отдельными циклами в процессе осаждения. Плазменно-стимулированное атомно-слоевое осаждение (PEALD - Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition) с источником ICP (PTSA) делают возможным осаждение слоев для оптических применений с однородность <1% на пластине 200 мм.
Обработка пластин диаметром до 330 мм и высотой до 100 мм
Температура процесса: до 400 oC
Источник ICP (PTSA) - индуктивно-связанная плазма
Вакуумный загрузочный шлюз
Процесс: Плазменный ALD (ICP ALD)
Программное обеспечение SENTECH Software
ALD real time monitor (in-situ)
Stress control
Интергация в перчаточный бокс
Применение: оптические пленки: Al2O3, SiO2, TiO2, HfO2, TaO2, ZrO, Nb2O5 (фильтры, антиотражающие покрытия)
Установки SILAYO для процессов атомно-слоевого осаждения (ICP ALD) производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) c вакуумным загрузочным шлюзом для оптических применений.
Установка специально разработана для оптических применений. Осаждение пленок с экстримально высокой однородностью - <1% (200мм).
Атомно-слоевое осаждение (ALD) - процесс осаждения очень тонких пленок с высокой однородностью и 3D структур слой за слоем. Высокоточный контроль толщины и свойств получаемых пленок обеспечивается добавлением прекурсоров в вакуумную камеру отдельными циклами в процессе осаждения. Плазменно-стимулированное атомно-слоевое осаждение (PEALD - Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition) с источником ICP (PTSA) делают возможным осаждение слоев для оптических применений с однородность <1% на пластине 200 мм.
Обработка пластин диаметром до 330 мм и высотой до 100 мм
Температура процесса: до 400 oC
Источник ICP (PTSA) - индуктивно-связанная плазма
Вакуумный загрузочный шлюз
Процесс: Плазменный ALD (ICP ALD)
Программное обеспечение SENTECH Software
ALD real time monitor (in-situ)
Stress control
Интергация в перчаточный бокс
Применение: оптические пленки: Al2O3, SiO2, TiO2, HfO2, TaO2, ZrO, Nb2O5 (фильтры, антиотражающие покрытия)
Атомно-слоевое осаждение (ALD) - технология, позволяющая покрыть подложку нестандартной формы, равномерно тонким и беспористым слоем. Используется в области нанотехнологий и систем MEMS. ALD технология улучшает функциональные возможности поверхности, и обеспечивают ее защиту.
Цикл атомно-слоевого осаждения состоит из четырех этапов:
1. Подача первого прекурсора
2. Удаление непрореагировавших прекурсоров инертным газом
3. Подача второго прекурсора
4. Удаление остатков реагентов
Цикл повторяется до приобретения необходимой толщины пленки
В процессе ALD атомарные слои наносятся последовательно, что обеспечивает точный контроль толщины пленки и позволяет сформировать беспористое и очень однородное покрытие.
Преимущества пленки полученной атомно-слоевым осаждением:
Применяется для формирования оксидных и нитридных слоев, нанокомпозитов и слоев металлов.
Для процессов атомно-слоевого осаждения используются установки производства SENTECH Instruments GmbH. Системы ALD позволяют реализовывать режим термического и плазмо-стимулированного осаждения, а также использует высокоскоростной эллипсометр от SENTECH для контроля осаждения в реальном времени (Real Time Monitor). SENTECH предлагает самые передовые и современные ультра быстрые in-situ эллипсометры для контроля роста осаждаемых слой за слоем пленок с использование как лазерного, так и спектроскопических эллипсометров.