Инспекционные микроскопы Nikon (Япония)

Микроскоп проходящего и падающего света Nikon ECLIPSE LV100ND

Ручной микроскоп для работы при эпископическом/диаскопическом освещении, который отвечает разнообразным требованиям наблюдения, контроля, исследования и анализа в широком спектре отраслей промышленности. Более высокие чем когда-либо ранее числовые апертуры и большое рабочее расстояние являются залогом исключительно высоких оптических характеристик и эффективного процесса полученияцифровых изображений.

Максимальный размер образца: 150 х 100 мм.
Наблюдение образцов можно проводить в проходящем и отраженном свете.

Микроскоп падающего  света Nikon ECLIPSE LV150N/LV150NA

Модульная конструкция микроскопов серии Eclipse LV-N делает их универсальными с применением в различных отраслях. Устройства Eclipse LV-N могут использоваться для исследования самых разных образцов и в самых разных сферах применения - от разработки и контроля качества до осуществления технологического контроля в процессе производства.

Максимальный размер образца: 150 х 150 мм.
Наблюдение образцов можно проводить отраженном свете.

Микроскоп проходящего и падающего света Nikon ECLIPSE L200N/L200ND

Инспекционные микроскопы Nikon ECLIPSE L200N/L200ND предназначены для изучения и контроля качества интегральных схем. Предшественниками моделей Nikon Eclipse L200N/L200ND являются микроскопы Nikon Eclipse L200/L200D. L200N - Изучение полупроводниковых пластин диаметром до 200 мм при эпископическом освещении. L200ND - Изучение полупроводниковых пластин диаметром до 200 мм при эпископическом и диаскопическом освещении.

Максимальный размер образца: 200 х 200 мм.
Наблюдение образцов можно проводить в проходящем и отраженном свете.

Идеальное решение для контроля полупроводниковых пластин и фотошаблонов как в произвосдтве так и в процессе исследований.

Микроскоп проходящего и падающего света Nikon ECLIPSE L300N/L300ND

Модель L300N/L300ND обладает мощными возможностями наблюдения по методу эпифлуоресценции, что расширяет диапазон контроля, включая возбуждение излучения с длиной волны 365 нм. Возможно также диаскопическое освещение и выполнение наблюдений по таким методам, как светлое поле, темное поле, простая поляризация и ДИК. Такие широкие возможности использования различных методов наблюдения очень полезны при контроле остатков резиста на полупроводниковых пластинах и при контроле структуры органических электролюминесцентных дисплеев.

Максимальный размер образца: 14 х 12 дюймов (354 x 302 мм).
Наблюдение образцов можно проводить в проходящем и отраженном свете.

Идеальное решение для контроля полупроводниковых пластин и фотошаблонов как в произвосдтве так и в процессе исследований.