Установки атомно-слоевого осаждения SI ALD и SI ALD LL для процессов атомно-слоевого осаждения (Thermal ALD и PEALD) производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) без/c вакуумным загрузочным шлюзом соотвественно.
Атомно-слоевое осаждение (ALD) - процесс осаждения очень тонких пленок с высокой однородностью и 3D структур слой за слоем. Высокоточный контроль толщины и свойств получаемых пленок обеспечивается добавлением прекурсоров в вакуумную камеру отдельными циклами в процессе осаждения. Термическое атомно-слоевое осаждение (Thermal Atomic Layer Deposition) и плазменно-стимулированное атомно-слоевое осаждение (PEALD - Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition) продвинутый метод расширяющий возможность ALD применением радикалов частиц газа вместо воды в качестве окислителя в процессе осаждения.
Основанное на многолетнем успешном опыте разработки и производства систем PECVD и ICPECVD, включая запатентованный ICP источник в виде тройной планарной спиральной антенны (PTSA) компания SENTECH разрабатывает и производит и успешно продает ALD системы. Системы ALD позволяют реализовывать как режим термического так и плазменного стимулированного осаждения, а также использует эллипсометр от SENTECH для контроля осаждения в реальном времени (Real Time Monitor). SENTECH предлагает самые передовые и современные ультра быстрые in-situ эллипсометры для контроля роста осаждаемых слой за слоем пленок с использование как лазерного так и спектроскопических эллипсометров.
Первая PEALD система была внедрена в лаборатории технического универсистетма Брауншвейга уже несколько лет назад для осаждения экстримально однородных и плотных тонких пленок таких как Al2O3, ZnO. Системы ALD от SENTECH показывают превосходные параметры по однородности и индексу преломления получаемых слоев.
Модель установки | SI ALD | SI ALD LL |
Диаметр обрабатываемых пластин | до 200 мм | |
Вакуумный загрузочный шлюз | нет | да |
Реактор | AlMgSi 0.5 материал камеры Фланцы для обзора и аналитики |
|
Держатель пластин | Пластины диаметром до 200 мм и меньшего размера: 6, 4, 3, 2 дюйма Температура на держателе до 400 oC (опционально до 500 oC) Температура реактора до 150 oC |
|
Вакуумная система | Сухой насос Alcatel ADS 602 H (< 10-2 mbar) Опционально: + турбина (< 10-5 mbar) антикоррозионное исполнение |
|
Кабинет подачи газов и прекурсоров | Включает MFC и отсечные клапана до 6 линий подачи прекурсоров |
|
Плазменный истоник (опция) SI PEALD LL система |
CCP плазменный истоник для процесса PEALD до 4 газовых линий (некоррозионных) или до 2-х коррозионных RF питание 13.56 МГц, 300 Вт |
|
Контроль | SENTECH control software | |
Опции |
- Дополнительные лини подачи прекурсоров (прямой впрыск или барботер) |
Установки SILAYO для процессов атомно-слоевого осаждения (ICP ALD) производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) c вакуумным загрузочным шлюзом для оптических применений.
Установка специально разработана для оптических применений. Осаждение пленок с экстримально высокой однородностью - <1% (200мм).
Атомно-слоевое осаждение (ALD) - процесс осаждения очень тонких пленок с высокой однородностью и 3D структур слой за слоем. Высокоточный контроль толщины и свойств получаемых пленок обеспечивается добавлением прекурсоров в вакуумную камеру отдельными циклами в процессе осаждения. Плазменно-стимулированное атомно-слоевое осаждение (PEALD - Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition) с источником ICP (PTSA) делают возможным осаждение слоев для оптических применений с однородность <1% на пластине 200 мм.
Обработка пластин диаметром до 330 мм и высотой до 100 мм
Температура процесса: до 400 oC
Источник ICP (PTSA) - индуктивно-связанная плазма
Вакуумный загрузочный шлюз
Процесс: Плазменный ALD (ICP ALD)
Программное обеспечение SENTECH Software
ALD real time monitor (in-situ)
Stress control
Интергация в перчаточный бокс
Применение: оптические пленки: Al2O3, SiO2, TiO2, HfO2, TaO2, ZrO, Nb2O5 (фильтры, антиотражающие покрытия)
Установки SILAYO для процессов атомно-слоевого осаждения (ICP ALD) производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) c вакуумным загрузочным шлюзом для оптических применений.
Установка специально разработана для оптических применений. Осаждение пленок с экстримально высокой однородностью - <1% (200мм).
Атомно-слоевое осаждение (ALD) - процесс осаждения очень тонких пленок с высокой однородностью и 3D структур слой за слоем. Высокоточный контроль толщины и свойств получаемых пленок обеспечивается добавлением прекурсоров в вакуумную камеру отдельными циклами в процессе осаждения. Плазменно-стимулированное атомно-слоевое осаждение (PEALD - Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition) с источником ICP (PTSA) делают возможным осаждение слоев для оптических применений с однородность <1% на пластине 200 мм.
Обработка пластин диаметром до 330 мм и высотой до 100 мм
Температура процесса: до 400 oC
Источник ICP (PTSA) - индуктивно-связанная плазма
Вакуумный загрузочный шлюз
Процесс: Плазменный ALD (ICP ALD)
Программное обеспечение SENTECH Software
ALD real time monitor (in-situ)
Stress control
Интергация в перчаточный бокс
Применение: оптические пленки: Al2O3, SiO2, TiO2, HfO2, TaO2, ZrO, Nb2O5 (фильтры, антиотражающие покрытия)