Химическая декапсуляция пластиковых корпусов PS103S и PS105 от NSC (Япония)

Установки химической декапсуляции моделей  PS103S и PS105 NSC (Nippon Scientific CO., Ltd.), Япония реализуют процесс удаления слоя материала химическим травлением в пластиковых корпусах.

Установки химической декапсуляции яции PS103S и PS105 от NSC способны вытравливать слой пластмассы для обеспечения доступа к кристаллам микросхем, а также выполнять декапсуляцию на очень маленьких корпусах.

Установки оснащены системой прецизионного смешивания рабочих жидкостей (кислот) (модель PS105), системой контроля температуры кислот (от комнатной до 250 градусов Цельсия), а так же системой поддува кислоты азотом к обрабатываемой поверхности. Это позволяет обрабатывать образцы практически любых размеров (т.е. очень малых), значительно снизить расход кислот. Благодаря возможности использования кислоты низкой температуры можно использовать данные установки для вскрытия корпусов с медными выводами.

Интерфейс управления системами очень прост и удобен. 

Декапсуляция (лазерная и химическая) применяется для:

1. Как подготовка для последующей плазменной или лазерной декапсуляции
В наши дни, смолы для корпусов меняются и усовершенствуются для того чтобы быть не растворимыми в кислоте в то время как соединительные провода и подложки корпусов меняются в сторону более легкого растворения в кислотах. В процессе декапсуляции цель избежать длительного воздействия сильной кислоты дабы не причинять урона окружающей среде и не наносить повреждения соединительным проводам. Поэтому производится обработка лазером и оставляется слой смолы около 100 мкм. Этот метод позволяет уменьшить время воздействия кислоты и ее объем при вскрытии корпуса интегральной микросхемы, что значительно уменьшит повреждения или сведет их на нет. 
Метод лазерной декапсуляции эффективен при вскрытии корпусов с медными (Cu) и серебрянными (Ag) проводами и для смолы практически не растворимой в кислоте.

2. Декаплуляция площадок корпуса (secondaery bond decapsulation)
Подложки корпусов как BGA обычно защищен паяльным резистом. Этой резист может быть легко поврежден кислотой при вскрытии. Лазерная декапсуляция идеальна для вкрытия такого резиста.  

3. Предварительная декапсуляция для анализа обратной стороны корпуса.
Требуется воздействие на заднюю поверхность чипа когда необходимо провести анализ на отказ с использованием эмиссии на заднюю поверхность или IR-OBIRCH. Лазерная декапсуляция может за короткое время удалить задний участок для таких анализов.


Запросить брошюру в PDF