Универсальная система AS-Master производства ANNEALSYS (Франция) для быстрых термических процессов (RTP) для обработки пластин диаметром до 8 дюймов (200 мм.) с возможностью проведения процессов RTCVD (опция).
Применение:
Отжиг контактов A3B5 и SiC
Быстрый термический отжиг (RTA - Rapid Thermal Annealing)
Быстрое термическое окисление (RTO - Rapid Thermal Oxidation)
Отжиг SiC контактов, карбонизация
Отжиг соединений полупроводников
Селенизация, Нитритизация
Дифузия
Кристализация
Контроль качества имплантации
Послеимплантационный отжиг
RTCVD (поликремний - Poly Si, SiO2, SiNx...) и др.
| Температурный диапазон |
от комнатной (RT) до 1450°C (в зависимости от версии) |
| Скорость нагрева | Скорость нагрева до 200°C/сек или до 50°C/сек с графитовым держателем |
| Скрорость охлаждения | 50°C/сек в стандартном исполнении и до 100°C/сек со специальным оборудованием (опция) |
| Газовая система | Возможность смешивать процессные газы, Контроллеры массового расхода газа |
| Вакуум | от атм. (н.у.) до 10-6 Торр с турбомолекулярным насосом (опция) |
| Контроль температуры | измерение температуры термопарой и быстрым температурным контроллером PID гарантирует высокий и стабильный температурный контроль по всему диапазону температур |
| Управление | система имеет управление с ПК с программным обеспечением на базе Windows |
| Опции | Низкотемпературный или высокотемпературный пиромерт, Кассетная станция с одной или двумя кассетами для разных диаметров пластин |
Система AS-One производства ANNEALSYS (Франция) для быстрых термических процессов с холодными стенками в исполнении для пластин диаметром до 4 дюймов (100 мм) и до 6 дюймов (150 мм).
Применение:
быстрый термический отжиг (RTA)
быстрое термическое окисление (RTO)
послеимплантационный отжиг и др.
Температурный диапазон: от RT до 1450°C (в зависимости от версии печи)
Загрузка: ручная
Система AS-One производства ANNEALSYS (Франция) для быстрых термических процессов с холодными стенками в исполнении для пластин диаметром до 4 дюймов (100 мм) и до 6 дюймов (150 мм).
Применение:
быстрый термический отжиг (RTA)
быстрое термическое окисление (RTO)
послеимплантационный отжиг и др.
Температурный диапазон: от RT до 1450°C (в зависимости от версии печи)
Загрузка: ручная
Компактная система Zenith 100 и Zenith 150 производства ANNEALSYS (Франция) для высокотемпературных термических процессов (High Temperature RTP и CVD) для обработки пластин диаметром до 4 дюймов (100 мм) и до 6 дюймов (150 мм) соотвестенно.
Применение:
Постимплантационный отжиг SiC
Получение графена высокотемпературной сублимацией SiC
Получение графена CVD методом
Температурный диапазон: от 450°C до 2000°C
Пластины до 100 мм
Загрузка: ручная
Компактная система Zenith 100 и Zenith 150 производства ANNEALSYS (Франция) для высокотемпературных термических процессов (High Temperature RTP и CVD) для обработки пластин диаметром до 4 дюймов (100 мм) и до 6 дюймов (150 мм) соотвестенно.
Применение:
Постимплантационный отжиг SiC
Получение графена высокотемпературной сублимацией SiC
Получение графена CVD методом
Температурный диапазон: от 450°C до 2000°C
Пластины до 100 мм
Загрузка: ручная
Компактная система AS-Premium производства ANNEALSYS (Франция) для быстрых термических процессов (RTP) для обработки пластин размером до 8х8 дюймов (200 х 200 мм) с холодными стенками.
Применение:
быстрый термический отжиг (RTA)
быстрое термическое окисление (RTO)
Диффузия
Селенизация (CIGS solar cell)
Отжиг полупроводников
Нитритизация, силицидирование
Кристализация и уплотнение
Температурный диапазон: от RT до 1300°C
Верхнее расположение ламп или двухсторонний отжиг с верхним и нижним расположением ламп
Загрузка: ручная (опционально - кассетная закгрузка, кластерная конфигурация)
Компактная система AS-Premium производства ANNEALSYS (Франция) для быстрых термических процессов (RTP) для обработки пластин размером до 8х8 дюймов (200 х 200 мм) с холодными стенками.
Применение:
быстрый термический отжиг (RTA)
быстрое термическое окисление (RTO)
Диффузия
Селенизация (CIGS solar cell)
Отжиг полупроводников
Нитритизация, силицидирование
Кристализация и уплотнение
Температурный диапазон: от RT до 1300°C
Верхнее расположение ламп или двухсторонний отжиг с верхним и нижним расположением ламп
Загрузка: ручная (опционально - кассетная закгрузка, кластерная конфигурация)
ООО "Минатех"— Микро и нано технологии
Статьи
© Все права защищены
Россия, Москва, ул. Ткацкая, д.5с1.
тел./факс: +7 (495) 909-89-53 / +7 (495) 909-89-54
моб.тел.: +7 (926) 134-69-15
e-mail: info@minateh.ru
