Ионное асистирование (ion-assisted deposition)

Ion Assisted Deposition

Ионное напыление (ионное асистирование)

В IAD (ионном напылении) источник широкого пучка ионов направляет рассеянный ионный пучок ионов с различным энергиями прямо на подложку, обычно вместе с источником магнетронным распыления или источником электронно-лучевого напыления. Инертный газ такой как Ar или реактивный газы такие как О2 и N2  могут быть использованы для обеспечения дополнительных химических реакций в течение роста пленки. IAD процессы позволяют усовершенствовать процессы роста пленок через реакции на поверхности, контролировать плотность пленки и улучшать адгезию пленки.Angstrom Engineering может улучшить возможности Вашей системы добавлением ионного источника для ваших процессов. Программные решения компании Angstrom Engineeringпозволяют осуществлять прецизионный тщательный контроль процессов в системах.

Доступные для процесса системы : Nexdep │ Amod │ Evovac │ Другие по запросу  

Также Вас может заинтересовать

Резистивное термическое испарение (resistive evaporation)

Резистивное термическое испарение (resistive thermal evaporation).

Использование электрической энергии для нагрева катода, который в свою очередь нагревает распыляемый материал до температуры испарения.

Резистивное термическое испарение (resistive thermal evaporation).

Использование электрической энергии для нагрева катода, который в свою очередь нагревает распыляемый материал до температуры испарения.

Электронно-лучевое испарение (electron beam evaporation)

Электронно-лучевое испарение (electron beam evaporation)

Катод эмитирует сфокусированный магнитным полем высоко энергетический пучок, который попадая на материал в тигле уносит с тигля напыляемый материал, осаждаемый на подложку.

Электронно-лучевое испарение (electron beam evaporation)

Катод эмитирует сфокусированный магнитным полем высоко энергетический пучок, который попадая на материал в тигле уносит с тигля напыляемый материал, осаждаемый на подложку.

Магнетронное распыление (magnetron sputtering)

Магнетронное напыление (sputter deposition).

Столкновение высокоэнергетических частиц содержащихся в плазме эмитируют атомы с поверхности материала мишени, которые конденсируются на поверхности подложки создавая пленку на подложке.

Магнетронное напыление (sputter deposition).

Столкновение высокоэнергетических частиц содержащихся в плазме эмитируют атомы с поверхности материала мишени, которые конденсируются на поверхности подложки создавая пленку на подложке.