+7 (495) 909-89-53

Резистивное термическое испарение (resistive evaporation)

Процесс резистивного испарения фото angstromevap-6angstromevap-5angstromevap-4angstromevap-3angstromevap-2angstromevap-18072-Angstrom01764-73

Resistive Thermal Evaporation

Резистивное термическое испарение

Резистивное испарение – это процесс осаждения в вакууме, который использует электрическую энергию для нагрева катода, который в свою очередь нагревает осаждаемый материал до такой степени, что испаряет его. Процесс может производиться в очень высоком вакууме, что позволяет увеличить длину свободного пробега атома и уменьшить тем самым возможность загрязнения пленки. Может быть достигнута высокая скорость осаждения. Более низкая энергия частиц может уменьшить эффект повреждения подложки. Angstrom Engineering разработал системы осаждения тонких пленок на основе такой технологии, которые позволяют наносить широкий спектр материалов включая: металлы, органические полимеры и неорганические полимеры. Процесс может контролироваться с использованием QCM (quality control manual),системой температурного и оптического контроля обеспечивающие результаты с высоким качеством и повторяемостью. 

Доступные для процесса системы : 
Covap II  Nexdep  Amod  Evovac  Другие по запросу

 

Запросить предложение товара

Резистивное термическое испарение (resistive evaporation)

Также Вас может заинтересовать
Ионное асистирование (ion-assisted deposition)

Ионное напыление (ion-assisted deposition).

Широкий луч от ионного источника направляется прямо на подложку обычно совместно с магнетронным или электронно-лучевым напылением.

 

Ионное напыление (ion-assisted deposition).

Широкий луч от ионного источника направляется прямо на подложку обычно совместно с магнетронным или электронно-лучевым напылением.

 

Электронно-лучевое испарение (electron beam evaporation)

Электронно-лучевое испарение (electron beam evaporation)

Катод эмитирует сфокусированный магнитным полем высоко энергетический пучок, который попадая на материал в тигле уносит с тигля напыляемый материал, осаждаемый на подложку.

Электронно-лучевое испарение (electron beam evaporation)

Катод эмитирует сфокусированный магнитным полем высоко энергетический пучок, который попадая на материал в тигле уносит с тигля напыляемый материал, осаждаемый на подложку.

Магнетронное распыление (magnetron sputtering)

Магнетронное напыление (sputter deposition).

Столкновение высокоэнергетических частиц содержащихся в плазме эмитируют атомы с поверхности материала мишени, которые конденсируются на поверхности подложки создавая пленку на подложке.

Магнетронное напыление (sputter deposition).

Столкновение высокоэнергетических частиц содержащихся в плазме эмитируют атомы с поверхности материала мишени, которые конденсируются на поверхности подложки создавая пленку на подложке.