+7 (495) 909-89-53

Установка плазменной очистки при атмосферном давлении серии PlasmaBeam

Установка плазменной очистки при атмосферном давлении серии PlasmaBeam plasmabeam_anwendung_en.gifplasmabeampc_screen_en2plasmabeam_flameplasmabeam_effekt2plasmabeam_duo.gifplasmabeamduo_anlage_klein.gifplasmabeam_19plasmabeam_2plasmabeam_1

Установка плазменной очистки при атмосферном давлении серии PlasmaBeam производства Diener electronic (Германия). 

Генератор атмосферной плазмы „plasma system PlasmaBeam“ рассчитан, главным образом, на локальную предварительную обработку (очистку, активацию) различных поверхностей:

полимерных
металлических
керамических
стеклянных
из комбинированных материалов

„Plasma system PlasmaBeam“ может устанавливаться в существующие автоматические производственные линии без больших затрат.

Применение: 
In-Line“ производство
Мелкосерийное производство
Медицинская техника
Стерилизация
Научно-исследовательские работы
Археология
Текстильная промышленность
Полупроводниковая техника
Техника обработки пластмасс

PlasmaBeam - It's plasma technologies.
Процесс тонкой очистки поверхностей и активации может проводиться с помощью реакции содержащихся в активной газовой струе реактивных частиц (радикалов). Дополнительно с помощью активной газовой струи, ускоренной за счёт сжатия, с поверхности удаляются свободные, клейкие частицы.

 „Plasma system PlasmaBeam“ является агрегатом предварительной обработки для следующих процессов:
-Склеивания
-Микросварки
-Печати
-Каширования
-Пайки
-Сварки
- на поверхностях из пластмасс, стекла, керамики и комбинированных материалов.

Plasma finishing: Активная газовая струя, выходящая из сопла плазменной горелки, свободна от потенциала высокого напряжения. Это позволяет применять установку в электронной промышленности, например:
-для очистки контактных площадок при микросварке проволочных соединений
-для очистки и активации контактов ЖК-мониторов перед термосваркой
-для активации поверхностей чипов перед печатью

Plasma surface technolgies: Обработка поверхности с помощью установки „PlasmaBeam“ должна постоянно проходить в движении. Скорость обработки (V) и расстояние между соплом плазменной горелки и обрабатываемой поверхностью (D) – это два важнейших параметра для достижения желаемого результата. Изменение этих параметров может заметно повлиять на эффект предварительной обработки.

Особенности

  • Генератор 20кГц, 300 Вт.

  • Ширина обработки 8-12 мм
  • Длина кабеля - 3 м
  • Охлаждение - сжатый воздух

  • Питание: 220В, 50 Гц
Скачать брошюру PlasmaBeam в PDF

Характеристики

Тип установки плазма атмосферного давления
Кабинет установки

Ш 562 мм, В 211 мм, Г 420 мм

Ганератор плазмы

Макс. Ø 32 мм, Д 270 мм 
Длина кабеля: 3 м 
Ширина поля обработки: макс. 12 мм

Охлаждение сжатый воздух
Управление Ручное или с PLC
Контроль Ручной 
PCCE-Control (Microsoft Windows CE) - PLC
Подключение 220 В, 50 Гц 

Видеопрезентация установки PlasmaBeam


Видеопрезентация фирмы Diener



Запросить предложение можно по ссылке или направив нам письмо по адресу info@minateh.ru

Запросить предложение товара

Установка плазменной очистки при атмосферном давлении серии PlasmaBeam

Также Вас может заинтересовать
Установка плазменной очистки COGRADE от Femto Science (Корея)

Установка плазменной очистки низкого давления модели COGRADE производства FEMTO SCIENCE (Ю. Корея). 

Применение: Исследовательские работы, очистка, активация, травление (мелкосерийные процессы)

Process Mode: PE
Камера: прямоугольная (алюминий), ШхГхВ: 250 x 300 x 200 (мм)
Вакуумный насос, ~ 5 x 10-4 Torr 
Ганератор:

  • 20-100 кГц (шаг 10 кГц), мощность до 300 Вт.
  • 13.56 МГц, до 300 Вт 

Управление: ручное или автоматическое (PLC)
Газовые линии - до 4 шт (MFC)

Установка плазменной очистки низкого давления модели COGRADE производства FEMTO SCIENCE (Ю. Корея). 

Применение: Исследовательские работы, очистка, активация, травление (мелкосерийные процессы)

Process Mode: PE
Камера: прямоугольная (алюминий), ШхГхВ: 250 x 300 x 200 (мм)
Вакуумный насос, ~ 5 x 10-4 Torr 
Ганератор:

  • 20-100 кГц (шаг 10 кГц), мощность до 300 Вт.
  • 13.56 МГц, до 300 Вт 

Управление: ручное или автоматическое (PLC)
Газовые линии - до 4 шт (MFC)

Уже установлено в России и СНГ: 2 шт
Установка плазменной очистки COVANCE от Femto Science (Корея)

Установка плазменной очистки низкого давления модели COVANCE производства FEMTO SCIENCE (Ю. Корея). 

Применение: Исследовательские работы, очистка, активация, травление (мелкосерийные процессы)

Process Mode: PE
Камера: прямоугольная (алюминий), ШхГхВ: 200 x 220 x 160 (мм)
Вакуумный насос, ~ 5 x 10-4 Torr 
Ганератор:

  • 20-100 кГц (шаг 10 кГц), мощность до 200 Вт.
  • 13.56 МГц, до 300 Вт 

Управление: ручное или автоматическое (PLC)
Газовые линии - до 4 шт (MFC)

Установка плазменной очистки низкого давления модели COVANCE производства FEMTO SCIENCE (Ю. Корея). 

Применение: Исследовательские работы, очистка, активация, травление (мелкосерийные процессы)

Process Mode: PE
Камера: прямоугольная (алюминий), ШхГхВ: 200 x 220 x 160 (мм)
Вакуумный насос, ~ 5 x 10-4 Torr 
Ганератор:

  • 20-100 кГц (шаг 10 кГц), мощность до 200 Вт.
  • 13.56 МГц, до 300 Вт 

Управление: ручное или автоматическое (PLC)
Газовые линии - до 4 шт (MFC)

Уже установлено в России и СНГ: 9 шт
Установка плазменной очистки и травления CIONE 6 (PE/RIE) от Femto Science (Корея)

Установка плазменной очистки низкого давления модели CIONE 6 производства FEMTO SCIENCE (Ю. Корея) с двумя режимами плазменной обработки - RIE & PE

Применение: Исследовательские работы, очистка, активация, прецизионное травление тонких слоев (мелкосерийные процессы), травление 2D материаллов

Process Mode: Mode: PE (Plasma Etching) & RIE (Reactive Ion Etching) Mode with dual electrode
Камера: прямоугольная (алюминий), ШхГхВ: 200 x 220 x 160 (мм)
Вакуумный насос, ~ 5 x 10-4 Torr 
Ганератор: 20-100 кГц (шаг 10 кГц), мощность до 300 Вт. или 13,56 МГц, 300 Вт.
Управление: ручное или автоматическое (PLC)
Газовые линии - до 4 шт (MFC)

Установка плазменной очистки низкого давления модели CIONE 6 производства FEMTO SCIENCE (Ю. Корея) с двумя режимами плазменной обработки - RIE & PE

Применение: Исследовательские работы, очистка, активация, прецизионное травление тонких слоев (мелкосерийные процессы), травление 2D материаллов

Process Mode: Mode: PE (Plasma Etching) & RIE (Reactive Ion Etching) Mode with dual electrode
Камера: прямоугольная (алюминий), ШхГхВ: 200 x 220 x 160 (мм)
Вакуумный насос, ~ 5 x 10-4 Torr 
Ганератор: 20-100 кГц (шаг 10 кГц), мощность до 300 Вт. или 13,56 МГц, 300 Вт.
Управление: ручное или автоматическое (PLC)
Газовые линии - до 4 шт (MFC)