Заявка на обратный звонок

Контактное лицо*
Номер телефона*
* - обязательные для заполнения поля
Введите этот код
###
+7 (495) 909-89-53
Обратный звонок
RU | EN
Минатех » Оборудование » Технологическое оборудование » Плазменное травление (RIE, RIE-ICP, DRIE) » Установка реактивно-ионного травления SI 591 Compact (RIE) и SI 591 (RIE)

Установка реактивно-ионного травления SI 591 Compact (RIE) и SI 591 (RIE)

Установка травления фото SI 591 _ cluster toolSI 591 with loadlockSI 591 Compact_reactor chamberlaser interferometertrough the wall installationSelective etching for GaAs_AlGasMesa etching of AlGaAsEtching of Ta2O5 on silicon by fluorine chemistryEtching of polysilicon by chlorine chemistryEtching of GaAs by chlorine chemistryEtching of cromium by fluor chemistryEtching of aluminum by chlorine chemistryEtching of AlCu _ TiW interconnect by chlorine chemistryDeep anisotropic etching of silicaEtching of SiO2 on silicon with CHF3 _ H2 chemistry

Установки реактивно-ионного травления SI 591 Compact и SI 591 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) с вакуумным загрузочным шлюзом.

Система травления SI 591 Compact производства SENTECH Instruments GmbH предназначена для использования в НИОКР для реализации процессов сухого плазменного травления. Cистема SI 591 Compact успешно применяться для широкого спектра процессов, таких как травление III/V cтруктур, диэлектриков (SiO2, Si3N4), кремния Si,  металлов (фторная/хлорная химия) и травления фотошаблонов размером до 7х7 дюймов.

Система позволяет обрабатывать как пластины диаметром до 200 мм, так и кусочки. Мощная двухступенчатая вакуумная система позволяет быстро откачивать камеру реактора и получать достаточно глубокий вакуум для проведения процессов травления.

Особенности

  • Обработка пластин диаметром до 200 мм или до 7х7 дюймов
  • Процесс: RIE
  • Вакуумный загрузочный шлюз
  • Химия: фторна / хлорная
  • Кластерная конфигурация
  • Групповая обработка пластин
  • Держатели для пластин меньшего размера
  • Компактный дизайн и малая занимаемая площадь
  • до 16 газовых линий (фторная химия)
  • Программное обеспечение SENTECH control software  
  • Возможность апгрейда турбомолекулярных насосов (опция)
  • OES и лазерная интрферометрия
Запросить брошюру в PDF

Характеристики

Модель установки SI 591 Compact  SI 591
Диаметр обрабатываемых пластин до 200 мм. до 200 мм.
Вакуумный загрузочный шлюз (load-lock) наличие, оборудован сухим фор насосом,
смонтирован внутрь установки для установки в условиях ограниченной площади чисто комнаты		 наличие, оборудован сухим фор насосом,
смонтирован наружу для установки через стену в чистой комнате (througр the wall)
Реактор  диаметр камеры реактора 298 мм, AlMgSi 0.5 материал камеры диаметр камеры реактора 298 мм, AlMgSi 0.5 материал камеры
Электрод электрод с водяным охлаждением, диаметр электрода 216 мм.
Опционально PE электрод
 электрод с водяным охлаждением, диаметр электрода 216 мм.
Опционально PE электрод
Вакуумная система  < 10-5 mbar
форвакуумный насос + турбина
антикоррозионное исполнение,
сухой форвакуумный насос для шлюза.
турбина для шлюза - опция
 < 10-5 mbar
форвакуумный насос + турбина
антикоррозионное исполнение,
сухой форвакуумный насос для шлюза.
турбина для шлюза - опция
Газовые линии до 16 газовых линий с MFC и фильтрами и отсечными клапанами до 16 газовых линий с MFC и фильтрами и отсечными клапанами
RF генератор ВЧ генератор 13,56 МГц, 600 Вт., воздушное охлаждение
автоматическое согласование		 ВЧ генератор 13,56 МГц, 600 Вт., воздушное охлаждение
автоматическое согласование
Контроль SENTECH control software SENTECH control software
Опции

- Более производительная вакуумная система
- Дополнительный газовые линии
- Чилер
- Порты камеры реактора
- PE электрод
- Нагреа стенок реактора
- Лазерный интерферометр для определния окончания процесса
- OES
- кластерная конфигурация
- установка через стену

 - Более производительная вакуумная система
- Дополнительный газовые линии
- Чилер
- Порты камеры реактора
- PE электрод 
- Нагреа стенок реактора
- Лазерный интерферометр для определния окончания процесса
- OES
- кластерная конфигурация
- установка через стену


Запросить предложение можно по ссылке или направив нам письмо по адресу info@minateh.ru  

Запросить предложение товара

Установка реактивно-ионного травления SI 591 Compact (RIE) и SI 591 (RIE)

Также Вас может заинтересовать
Установки реактивно-ионного травления VITA 8 / VITA 12 (RIE) от FEMTO SCIENCE (Корея)

Установки реактивно-ионного травления VITA 8 и VITA 12 (RIE) от FEMTO SCIENCE (Корея) без вакуумного загрузочного шлюза.

Обработка пластин диаметром до 200 мм (8") и 300 мм (12") соотвественно
Процесс: RIE
До 4 газовых линий
Программное обеспечение на базе PLC
10.2” Touchscreen PC & USB data transfer

Установки реактивно-ионного травления VITA 8 и VITA 12 (RIE) от FEMTO SCIENCE (Корея) без вакуумного загрузочного шлюза.

Обработка пластин диаметром до 200 мм (8") и 300 мм (12") соотвественно
Процесс: RIE
До 4 газовых линий
Программное обеспечение на базе PLC
10.2” Touchscreen PC & USB data transfer

Установки реактивно-ионного травления Etchlab 200 (RIE) и Etchlab 380 Multiwafer

Установки реактивно-ионного травления Etchlab 200 и Etchlab 380 multiwafer производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) без вакуумного загрузочного шлюза.

Обработка пластин диаметром до 200 мм и 380 мм соответственно.
Процесс: RIE
До 8 газовых линий
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия

Установки реактивно-ионного травления Etchlab 200 и Etchlab 380 multiwafer производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) без вакуумного загрузочного шлюза.

Обработка пластин диаметром до 200 мм и 380 мм соответственно.
Процесс: RIE
До 8 газовых линий
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия

Уже установлено в России и СНГ: 2 шт
Установка травления в индуктивно-связанной плазме SI 500

Установки травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия).

Обработка пластин диаметром до 200 мм или до 300 мм
Процессы: ICP-RIE, RIE
Источник индуктивно-связанной плазмы (ИСП)
Высокая плотность плазмы и скорость травления
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация

Установки травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия).

Обработка пластин диаметром до 200 мм или до 300 мм
Процессы: ICP-RIE, RIE
Источник индуктивно-связанной плазмы (ИСП)
Высокая плотность плазмы и скорость травления
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация

Уже установлено в России и СНГ: 10 шт
Свернуть
Свернуть
Свернуть

ООО "Минатех"— Микро и нано технологии
Статьи
© Все права защищены

Россия, Москва, ул. Ткацкая, д.5с1.

тел./факс: +7 (495) 909-89-53 / +7 (495) 909-89-54
моб.тел.: +7 (926) 134-69-15
e-mail: info@minateh.ru

Карта сайта