Установки травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия).
Система травления SI 500 PTSA ICP plasma etcher производства SENTECH Instruments GmbH предназначена для использования в НИОКР для реализации процессов высокоскоростного сухого плазменного травления кремния (Si), глубокое травлени кремния, (Bosсh процесс или DRIE), MEMS, диэлектриков (SiO2, Si3N4) и полупроводниковых структур, особенно III/V (таких как GaAs, GaN, InP и др.), металлов, микрооптики, наноструктур и фотошаблонов в индуктивно-связанной плазме.
Установка травления SI 500 с источником индуктивно связанной плазмы может быть использована в широком диапазоне плазменных процессов – от обычного реактивного ионного травления до процессов в плазме высокой плотности. Отличительными особенностями SI 500 являются наличие источника индуктивно связанной плазмы, электрод подложки с гелиевым охлаждением и высокопроизводительная вакуумная система. Управление всеми важными параметрами оборудования осуществляется автоматически. Установка SI 500 была разработана для использования в пилотных производствах и НИОКР.
Отличительной особенностью системы SI 500 является запатентованный источник индуктивно связанной плазмы ICP-PTSA 200 (плоская тройная спиральная антенна), специально подходящий для травления с низким повреждением структуры, электрод подложки с гелиевым охлаждением и динамическим контролем температуры для поддержания постоянной температуры независимо от мощности плазмы, вакуумная система позволяет обеспечивать высокую производительность требуемую для процессов травления и магнито-пневматический загрузочный шлюз для высочайшей надежности при загрузке/ выгрузке пластин. Все важнейшие параметры системы контролируются автоматически.
Система позволяет обрабатывать как пластины диаметром до 200 мм, так и кусочки. Мощная двухступенчатая вакуумная система позволяет быстро откачивать камеру реактора и получать достаточно глубокий вакуум для проведения процессов травления.
Высокая скорость травления
Высокое аспектное отношение
Модель установки | SI 500 | SI 500-300 Multiwafer |
Диаметр обрабатываемых пластин | до 200 мм (8 дюймов) | до 300 мм (12 дюймов) |
Источник индуктивно-связанной плазмы (ICP) | PTSA 200 (planar triple spiral antenna) Частота: 13,56 МГц Мошность: 100-1200 Вт или 100-2500 Вт |
PTSA 400 (planar triple spiral antenna) Частота: 13,56 МГц Мощность: 100-1200 Вт или 100-2500 Вт |
Вакуумный загрузочный шлюз (load-lock) | наличие, оборудован сухим фор насосом | наличие, оборудован сухим фор насосом |
Реактор | Цельная камера без сварных швов, материал камеры - AlMgSi 0.5 |
Цельная камера без сварных швов, материал камеры - AlMgSi 0.5 |
Электрод | электрод с водяным охлаждением, диаметр электрода 240 мм механический прижим пластины температурный диапазон: -30...+250 оС или -150...+400 оС с крио электродом (другой температурный диапазон при наличии чиллера) Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки |
электрод с водяным охлаждением, диаметр электрода 398 мм механический прижим пластины температурный диапазон: КТ...+80 оС (другой температурный диапазон при наличии чиллера) Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки |
Вакуумная система | < 10-6 mbar форвакуумный насос + турбина антикоррозионное исполнение, сухой форвакуумный насос для шлюза. турбина для шлюза - опция |
< 10-6 mbar форвакуумный насос + турбина антикоррозионное исполнение, сухой форвакуумный насос для шлюза. турбина для шлюза - опция |
Газовые линии | до 16 газовых линий с MFC и фильтрами и отсечными клапанами | до 16 газовых линий с MFC и фильтрами и отсечными клапанами |
RF генератор | ВЧ генератор 13,56 МГц, 600 Вт., воздушное охлаждение автоматическое согласование |
ВЧ генератор 13,56 МГц, 600 Вт., воздушное охлаждение автоматическое согласование |
Контроль | SENTECH control software | SENTECH control software |
Опции |
- Более производительная вакуумная система |
ion spectrosc- Более производительная вакуумная система |
Запросить предложение можно по ссылке или направив нам письмо по адресу info@minateh.ru
Установки реактивно-ионного травления SI 591 Compact и SI 591 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) с вакуумным загрузочным шлюзом.
Обработка пластин диаметром до 200 мм или 7х7 дюймов.
Процесс: RIE
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация
Установки реактивно-ионного травления SI 591 Compact и SI 591 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) с вакуумным загрузочным шлюзом.
Обработка пластин диаметром до 200 мм или 7х7 дюймов.
Процесс: RIE
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация
Установки реактивно-ионного травления SI 500 RIE производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) с гелиевым охлаждением обратной стороны подложки и вакуумным загрузочным шлюзом.
Обработка пластин диаметром до 200 мм или 7х7 дюймов
Процесс: RIE
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация
Установки реактивно-ионного травления SI 500 RIE производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) с гелиевым охлаждением обратной стороны подложки и вакуумным загрузочным шлюзом.
Обработка пластин диаметром до 200 мм или 7х7 дюймов
Процесс: RIE
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация