Установки реактивно-ионного травления SI 500 RIE производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) с гелиевым охлаждением обратной стороны подложки и вакуумным загрузочным шлюзом.
Система травления SI 500 RIE производства SENTECH Instruments GmbH предназначена для использования в НИОКР для реализации процессов сухого плазменного травления. Cистема SI 500 RIE успешно применяться для широкого спектра процессов, таких как травление III/V cтруктур, диэлектриков (SiO2, Si3N4), кремния Si, металлов (фторная/хлорная химия) и травления фотошаблонов размером до 7х7 дюймов.
Установка имеет систему гелиевого охлажения обратной стороны подложки.
Система позволяет обрабатывать как пластины диаметром до 200 мм, так и кусочки. Мощная двухступенчатая вакуумная система позволяет быстро откачивать камеру реактора и получать достаточно глубокий вакуум для проведения процессов травления.
Модель установки | SI 500 RIE |
Диаметр обрабатываемых пластин | до 200 мм |
Вакуумный загрузочный шлюз (load-lock) | наличие, оборудован сухим фор насосом |
Реактор | диаметр камеры реактора 348 мм, AlMgSi 0.5 материал камеры |
Электрод | электрод с водяным охлаждением, диаметр электрода 240 мм механический прижим пластины температурный диапазон: -30...+250 оС (другой температурный диапазон при наличии чиллера) Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки |
Вакуумная система | < 10-5 mbar форвакуумный насос + турбина антикоррозионное исполнение, сухой форвакуумный насос для шлюза. турбина для шлюза - опция |
Газовые линии | до 16 газовых линий с MFC и фильтрами и отсечными клапанами |
RF генератор | ВЧ генератор 13,56 МГц, 600 Вт., воздушное охлаждение автоматическое согласование |
Контроль | SENTECH control software |
Опции |
- Более производительная вакуумная система |
Запросить предложение можно по ссылке или направив нам письмо по адресу info@minateh.ru
Установки травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия).
Обработка пластин диаметром до 200 мм или до 300 мм
Процессы: ICP-RIE, RIE
Источник индуктивно-связанной плазмы (ИСП)
Высокая плотность плазмы и скорость травления
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация
Установки травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия).
Обработка пластин диаметром до 200 мм или до 300 мм
Процессы: ICP-RIE, RIE
Источник индуктивно-связанной плазмы (ИСП)
Высокая плотность плазмы и скорость травления
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация
Установки криогенного травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 С производства SENTECH Instruments GmbH (Германия).
Обработка пластин диаметром до 200 мм
Процессы: Cryo ICP-RIE, ICP-RIE, RIE
Источник индуктивно-связанной плазмы (ИСП)
Криогенный электрод (-150 oС...+400 oС)
Высокая плотность плазмы и скорость травления
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация
Установки криогенного травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 С производства SENTECH Instruments GmbH (Германия).
Обработка пластин диаметром до 200 мм
Процессы: Cryo ICP-RIE, ICP-RIE, RIE
Источник индуктивно-связанной плазмы (ИСП)
Криогенный электрод (-150 oС...+400 oС)
Высокая плотность плазмы и скорость травления
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация