Установки реактивно-ионного травления Etchlab 200 и Etchlab 380 multiwafer производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) без вакуумного загрузочного шлюза.
Системы травления RIE Etchlab 200 и RIE Etchlab 380 multiwafer производства SENTECH Instruments GmbH предназначена для использования в НИОКР для реализации процессов сухого плазменного травления. В базовой конфигурации (без вакуумного загрузочного шлюза - фторная химия) система Etchlab 200 успешно применяються для широкого спектра процессов, таких как травление диэлектриков (SiO2,Si3N4), полупроводников (Si), полимеров и металлов (Au, Pt, Ti, Ni).
Модель установки | Etchlab 200 | Etchlab 380 multiwafer |
Диаметр обрабатываемых пластин | до 200 мм. | до 380 мм или 5 х 100 мм |
Реактор | диаметр камеры реактора 298 мм, AlMgSi 0.5 материал камеры | диаметр камеры реактора 580 мм, AlMgSi 0.5 материал камеры |
Электрод | электрод с водяным охлаждением, диаметр электрода 215 мм. Опционально PE электрод |
электрод с водяным охлаждением, диаметр электрода 400 мм. Опционально PE электрод |
Вакуумная система | < 10-5 mbar форвакуумный насос + турбина антикоррозионное исполнение |
< 5х10-6 mbar форвакуумный насос + турбина антикоррозионное исполнение |
Газовые линии | до 8 газовых линий с MFC и фильтрами и отсечными клапанами | до 8 газовых линий с MFC и фильтрами и отсечными клапанами |
RF генератор | ВЧ генератор 13,56 МГц, 600 Вт., воздушное охлаждение автоматическое согласование |
ВЧ генератор 13,56 МГц, 600 Вт., воздушное охлаждение автоматическое согласование |
Контроль | SENTECH control software | SENTECH control software |
Опции |
- Более производительная вакуумная система |
- Более производительная вакуумная система - Дополнительный газовые линии - Чилер - Порты камеры реактора - PE электрод - Нагреа стенок реактора - OES |
Запросить предложение можно по ссылке или направив нам письмо по адресу info@minateh.ru
Установки реактивно-ионного травления SI 591 Compact и SI 591 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) с вакуумным загрузочным шлюзом.
Обработка пластин диаметром до 200 мм или 7х7 дюймов.
Процесс: RIE
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация
Установки реактивно-ионного травления SI 591 Compact и SI 591 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) с вакуумным загрузочным шлюзом.
Обработка пластин диаметром до 200 мм или 7х7 дюймов.
Процесс: RIE
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация
Установки криогенного травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 С производства SENTECH Instruments GmbH (Германия).
Обработка пластин диаметром до 200 мм
Процессы: Cryo ICP-RIE, ICP-RIE, RIE
Источник индуктивно-связанной плазмы (ИСП)
Криогенный электрод (-150 oС...+400 oС)
Высокая плотность плазмы и скорость травления
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация
Установки криогенного травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 С производства SENTECH Instruments GmbH (Германия).
Обработка пластин диаметром до 200 мм
Процессы: Cryo ICP-RIE, ICP-RIE, RIE
Источник индуктивно-связанной плазмы (ИСП)
Криогенный электрод (-150 oС...+400 oС)
Высокая плотность плазмы и скорость травления
Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки
Вакуумный загрузочный шлюз
До 16 газовых линий
Использование фторной и хлорной химии
Программное обеспечение SENTECH Software
OES и лазерная интерферометрия
Кластерная конфигурация