Новая обновленная установка безмасковой лазерной литографии (генератор изображения) модели DWL 66+ производства Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия) с лучшими характеристиками. 

Установка безмасковой лазерной литографии (генератор изображения) модели DWL 66+ предназначена для задач НИОКР, мелкой серии, опытное производство. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.
Экспонирование по фоторезсту или фотоэмульсии.

Для обеспечения высокоточного перемещения подложки генератор оборудован специальной оптической системой и системой позиционирования подложки. Во время экспонирования положение координатного столика контролируется с помощью интерферометрической системы высокого разрешения. Оптическая ситема смонтрована на тяжелом гранитном основании.

Камера микроклимата, с помощью которой поддерживется стабильная температура в камере литографа для достижения наилучшх результатов, точности и стабильности параметров. 

Для обеспечения наилучшей разрешающей способности генератор оборудован системой автофокусировки с подстройкой пьезомодулем и системой модуляции луча с помощью акусто-оптического модулятора.

В установке можно реализовывать процессы совмещения в ручном, полуавтоматическом и полностью автоматическом режиме.

В базовой комплектации система оснащена диодным лазером, работающим на длине волны 405 нм с мощностью до 300 мВт и базовой системой экспонирования в серой шкале (basic grey scale exposure mode) с до 128 уровней экспонирования. В зависимости от технических требований заказчика установка может быть оснащена различными лазерными системами: UV-диодный лазер (375 нм, 70 мВт).

Установку можно оснастить сменными пишущими линзами с минимальным размером элемента 0,3 мкм, 0,6 мкм, 0,8 мкм и 1 мкм, 2 мкм, 4 мкм соответствено (по выбору). Пишущие головки сменные и могут меняться оператором при смене процесса.

Опции:

• оптический автофокус (дополнительно к пневматческой системе автофокусировки) 
• режим вектороного экспонирования 
• продвинутый или профессиональный режим 3D экспонирование для полутоновой шкалы экспонирования (Advanced and Professional Gray Scale Exposure Mode) 
• обратное совмещение (BSA) 
• режим экспонирования с высоким разрешением (размер элемента до 0,3 мкм) 
• увеличение скорости письма (почти в 2 раза от стандартной спецификации) 
• Увеличенная точность совмещения слоев до 0,35 мкм
• кассетная загрузка для пластин (до 8 дюймов) или шаблонов (до 7х7 дюймов) - cassette to cassette station (до 2-ух кассетных модулей)
• станция предварительного совмещения пластны и сканнер пластин

Особенности

• Сменные пишущие линзы (головы) на 0,3 мкм, 0,6 мкм, 0,8 мкм, 1 мкм, 2 мкм, 4 мкм.

• Источники излучения: Диодный лазер — 405 нм, 300 мВт, 5000 часов (типичное 20000 часов), воздушное охлаждение (для тонких и стандартных резистов g-line и h-line),   УФ-диодный лазер (по заказу) — 375 нм, 70 мВт, 5000 часов (типичное 20000 часов), воздушное охлаждение (для стандартных и УФ-резистов  таких как SU8, g-line, h-line и i-line)

• Размер обрабатываемых подложек и пластин до 9 х 9 дюймов

• Размер поля экспонирования до 200 х 200 мм (минимум 5х5 мм)

• Толщина подложки до 12 мм

• Рамер адресной сетки от 5 нм
• Скорость письма (экспонировния) от 3 до 2000 мм²/мин в зависимости от выбора пишущей линзы.
• Погрешность позиционирования подложки: 10 нм;
• Работа с дизайнами форматов DXF, CIF, GDSII, Gerber
• Габаритные размеры: 1300 х 1100 х 1950 мм, вес: 1000 кг;
• Размеры блока управления: 650 х 800 х 1950 мм, вес: 180 кг;